dynamic RAM

Тип полупроводниковой оперативной памяти. Каждый двоичный разряд (бит) хранится в схеме, состоящей из транзистора и конденсатора. Если конденсатор заряжен, это соответствует 1, разряженный конденсатор соответствует 0. Транзистор управляет доступом к конденсатору. Микросхема динамической оперативной памяти содержит, как правило, 1 048 576 bit, и из них набирается оперативная память

‘tkazgichli operativ xotiraning bir turi. Har bir ikkilik razryad (bit) tranzistor va kondensatordan iborat sxemada saqlanadi. Agar, kondensator za-ryadlangan bo‘lsa, 1 ga mos keladi, zaryadsizlangan kondensator 0 ga mos keladi. Tranzistor kondensatordan foydalanishni boshqaradi. Dinamik operativ xotiraning mikrosxemasi odatda, 1 048 576 bit ni ichiga oladi, ulardan operativ xotira yig‘iladi.

Яримўтказгичли оператив хотиранинг бир тури. Ҳар бир иккилик разряд (бит) транзистор ва конденсатордан иборат схемада сақланади. Агар, конденсатор зарядланган бўлса, 1 га мос келади, зарядсизланган конденсатор 0 га мос келади. Транзистор конденсатордан фойдаланишни бошқаради. Динамик оператив хотиранинг микросхемаси одатда, 1 048 576 bit ни ичига олади, улардан оператив хотира йиғилади