Yuqori energiyali (1 MeV gacha) ionlar dastasi bilan qattiq jism sirtini bombаrdimon qilish yo‘li bilan, bu jism ichiga yot atomlarni kiritish usuli. Implantlanadigan ionlar nishon materialiga, unda alohida struktura-faza holatini shakllantirgan holda, 0,01 µm dan 1,0 µm gacha chuqurlikkacha kiritiladi. Qatlam qalinligi ionlar massasi va energiyaga, shuningdek, nishon atomlari massasiga bog‘liq. Yarimo‘tkazgichli asboblar yaratishda yarimo‘tkazgich sirtida legirlangan sohalar yuzaga keltirish uchun keng foydalaniladi. Planar texnologiyada foydalaniladigan standart texnologik usul hisoblanadi.

Юқори энергияли (1 MeV гача) ионлар дастаси билан қаттиқ жисм сиртини бомбардимон қилиш йўли билан, бу жисм ичига ёт атомларни киритиш усули. Имплантланадиган ионлар нишон материалига, унда алоҳида структура-фаза ҳолатини шакллантирган ҳол-да, 0,01 µm дан 1,0 µm гача чуқурликкача киритилади. Қатлам қалинлиги ионлар массаси ва энергияга, шунингдек, нишон атомлари массасига боғлиқ. Яримўтказгичли асбоблар яратишда яримўтказгич сиртида легирланган соҳалар юзага келтириш учун кенг фойдала-нилади. Планар технологияда фойдаланиладиган стандарт технологик усул ҳисобланади

Способ введения посторонних атомов внутрь твердого тела путем бомбардировки его поверхности пучком ионов с высокой энергией (до 1 MeV). Имплантируемые ионы внедряются в материал мишени на глубину от 0,01 до 1,0 µm, формируя в ней особое структурно-фазовое состояние. Толщина слоя зависит от энергии и от массы ионов, а также от массы атомов мишени. Широко используется для формирования легированных облас-тей на поверхности полупроводника при соз-дании полупроводниковых приборов. Является стандартным технологическим приемом, используемым в планарной технологии.

ion implantation