complementary metal-oxide- semiconductor

Технология построения электронных схем. В технологии комплементарный металл-оксид- полупроводник используются полевые транзисторы с изолированным затвором с каналами разной проводимости. Отличительной особенностью схем комплементарный металл-оксид- полупроводник по сравнению с биполярными технологиями является очень малое энергопотребление в статическом режиме.

Elektron sxemalarni qurish texnologiyasi. Kom-plementar metall-oksid-yarimo‘tkazgich texno-logiyasida turli o‘tkazuvchanlik kanallari bo‘l-gan izolyatsiyalangan zatvorli maydon tranzis-torlaridan foydalaniladi. Bunday texnologiya asosida sxemalarning bipolyar texnologiyalarga qaraganda farqlanadigan xususiyati, statik rejimda energiya iste’molining kamligida.

Электрон схемаларни қуриш технологияси. Комплементар металл-оксид-яримўтказгич технологиясида турли ўтказувчанлик каналлари бўлган изоляцияланган затворли майдон транзисторларидан фойдаланилади. Бундай технология асосида схемаларнинг биполяр технологияларга қараганда фарқланадиган хусусияти, статик режимда энергия истеъмолининг камлигида.