molecular beam epitaxy

Процесс и технология осаждения эпитаксиальных пленок полупроводников путем испарения материалов при низком давлении. Применяется для изготовления сложных структур. Позволяет получать многослойные эпитаксиально выращенные материалы с высокой точностью контроля толщины и стехиометрии слоев.

Past bosimda materiallarni bug‘latish yo‘li bilan yarimo‘tkazgichlarning epitaksial plyonkalarini cho‘ktirish jarayoni va texnologiyasi. Murakkab strukturalar tayyorlashda qo‘llaniladi. Qatlamlar stexiometriyasi va qalinligi yuqori aniqlik bilan nazorat qilingan holda, ko‘p qatlamli epitaksial уetishtirilgan materiallar olish imkonini beradi.

Паст босимда материалларни буғлатиш йўли билан яримўтказгичларнинг эпитаксиал плёнкаларини чўктириш жараёни ва технологияси. Мураккаб структуралар тайёрлашда қўлланилади. Қатламлар стехиометрияси ва қалинлиги юқори аниқлик билан назорат қилинган ҳолда, кўп қатламли эпитаксиал етиштирилган материаллар олиш имконини беради.