nanoimprint lithography

Процесс создания наноструктур, заключающийся в формировании на поверхности полимеров топографической структуры (изображения) с размером отдельных элементов менее 100 nm в результате физической деформации резиста шаблоном, несущим изображение наноструктуры. Он позволяет отпечатывать на подложке узоры из проводников шириной не более 50 атомов. Используя эту технологию, изготовлены прототипы схем, содержащие проводники шириной 15 nm.

Polimerlar sirtida nanostruktura tasvirini tashuv-chi shablon bilan registni fizik deformatsiyalash natijasida, ayrim elementlarining o‘lchami 100 nm dan kichik bo‘lgan topografik struktura (tas-vir) ni shakllantirishdan iborat, nanostrukturalar yaratish jarayoni. U to‘shamada kengligi 50 atomdan ko‘p bo‘lmagan o‘tkazgichlardan tuzilgan naqshlar bosish imkonini beradi. Bu texno-logiyadan foydalangan holda, kengligi 15 nm bo‘lgan o‘tkazgichlarni ichiga oladigan sxemalarning prototiplari tayyorlangan.

Полимерлар сиртида наноструктура тасвирини ташувчи шаблон билан резистни физик деформациялаш натижасида, айрим элементларининг ўлчами 100 nm дан кичик бўлган топографик структура (тасвир) ни шакллантиришдан иборат, наноструктуралар яратиш жараёни. У тўшамада кенглиги 50 атомдан кўп бўлмаган ўтказгичлардан тузилган нақшлар босиш имконини беради. Бу технологиядан фойдаланган ҳолда, кенглиги 15 nm бўлган ўтказгичларни ичига оладиган схемаларнинг прототиплари тайёрланган.