Gazli fazadan kimyoviy cho‘kish – gazsimon reagentlar qatnashadigan kimyoviy reaksiyalar yordamida qattiq moddalar olish. Teksturalan-gan qoplamalar, monokristallar, epitaksial va monokristall plyonkalar (masalan, planar texno-logiyada), ipsimon monokristallar («mo‘ylov-lar»), to‘siq qatlamlar (raketa soplolaridagi qoplamalar buzilishini bartaraf qiladigan) olish uchun, murakkab konfiguratsiyadagi turli xil buyumlar tayyorlashda foydalaniladi.

Газли фазадан кимёвий чўкиш – газсимон реагентлар қатнашадиган кимёвий реакциялар ёрдамида қаттиқ моддалар олиш. Текстураланган қопламалар, монокристаллар, эпитаксиал ва монокристалл плёнкалар (масалан, планар технологияда), ипсимон монокристаллар («мўйловлар»), тўсиқ қатламлар (ракета соплоларидаги қопламалар бузилишини бартараф қиладиган) олиш учун, мураккаб конфигурациядаги турли хил буюмлар тайёрлашда фойдаланилади.

Химическое осаждение из газовой фазы − получение твердых веществ с помощью химических реакций, в которых участвуют газообразные реагенты. Используют для получения текстурированных покрытий, моно-кристаллов, эпитаксиальных и монокристаллических пленок (например, в планарной технологии), нитевидных монокристаллов («усов»), барьерных слоев (предотвращающих разрушение покрытий на соплах ракет), при изготовлении различных изделий сложной конфигурации и др.

vapor deposition