field effect transistor

Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора − созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами канал с электропроводностью n- или р- типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод − затвор, соединённый с его средней частью р-n переходом.

Kanal orqali oqib o‘tadigan asosiy eltuvchilar toki elektr maydoni orqali boshqariladigan yarimo‘tkazgichli asbob. Bunday tranzistorning asosini yarimo‘tkazgichda hosil qilingan va
n-yoki р-turidagi elektr o‘tkazuvchanlikka ega ikkita chiqish uchlari bilan ta’minlangan kanal tashkil qiladi. Kanalning qarshiligini uchinchi elektrod − uning o‘rta qismi bilan p-n o‘tish orqali birlashtirilgan zatvor boshqaradi.

Канал орқали оқиб ўтадиган асосий элтувчилар токи электр майдони орқали бошқариладиган яримўтказгичли асбоб. Бундай транзисторнинг асосини яримўтказгичда ҳосил қилинган ва n-ёки p-туридаги электр ўтказувчанликка эга иккита чиқиш учлари билан таъминланган канал ташкил қилади. Каналнинг қаршилигини учинчи электрод − унинг ўрта қисми билан р-n ўтиш орқали билан бирлаштирилган затвор бошқаради.