| Словарь по нанотехнологии | |
chiqish ishi чиқиш иши |
Qattiq jism hajmidan elektronni chiqarib tash-lash uchun sarflanishi zarur bo‘lgan eng kam energiya (odatda, elektron-voltlarda o‘lchanadigan). Elektron qattiq jismdan berilgan sirt orqali chiqarib tashlanadi va atom ko‘lamlar bo‘yicha sirtdan ancha uzoqda (elektron butun qo‘sh qatlamdan o‘tishi uchun), lekin kristall makroskopik qirralarining o‘lchamlariga nisbatan ancha yaqin joylashgan nuqtaga ko‘chiriladi. Bunda sirt zaryadlar qayta taqsimlаnishi tufayli yuzaga keladigan tashqi maydonlarni yengib o‘tishga sarflanishi zarur bo‘lgan qo‘shimcha ish e’tiborga olinmaydi. Shunday qilib, aynan bir modda uchun sirtning turli kristallografik oriуentatsiyalari uchun chiqish ishi turlicha bo‘ladi.
Қаттиқ жисм ҳажмидан электронни чиқариб ташлаш учун сарфланиши зарур бўлган энг кам энергия (одатда, электрон-вольтларда ўлчанадиган). Электрон қаттиқ жисмдан берилган сирт орқали чиқариб ташланади ва атом кўламлар бўйича сиртдан анча узоқда (электрон бутун қўш қатламдан ўтиши учун), лекин кристалл макроскопик қирраларининг ўлчамларига нисбатан анча яқин жойлашган нуқтага кўчирилади. Бунда сирт зарядлар қайта тақсимланиши туфайли юзага келадиган ташқи майдонларни енгиб ўтишга сарфланиши зарур бўлган қўшимча иш эътиборга олинмайди. Шундай қилиб, айнан бир модда учун сиртнинг турли кристаллографик ориентациялари учун чиқиш иши турлича бўлади. |
Работа выхода |
Минимальная энергия (обычно измеряемая в электрон-вольтах), которую необходимо затратить для удаления электрона из объема твёрдого тела. Электрон удаляется из твердого тела через данную поверхность и перемещается в точку, которая расположена достаточно далеко от поверхности по атомным масштабам (чтобы электрон прошел весь двойной слой), но достаточно близко по сравнению с размерами макроскопических граней кристалла. При этом пренебрегают дополни-тельной работой, которую необходимо затратить на преодоление внешних полей, возникающих из-за перераспределения поверхностных зарядов. Таким образом, работа вы-хода для одного и того же вещества для различных кристаллографических ориентаций поверхности оказывается различной. |
work function |
work function |