Ekspozitsiyalaydigan nurlanish to‘lqin uzunligi 0,4 nm dan 5 nm gacha diapazonda yotadigan optik kontaktsiz bosmaning bir turi. Rentgen litografiyasida kontaktsiz ekspozitsiyalaydigan tizimdan foydalanilishiga qaramay, difraksion effektlarning namoyon bo‘lishi rentgen nurlanish to‘lqin uzunligi kichikligi hisobiga kamaytirilgan. Rentgen litografiyasi metodini ishlab chiqishning asosiy sababi, yuqori ajrata olishga, shu vaqtning o‘zida uskunaning yuqori unumdorligiga erishishdan iborat edi. Bundan tashqari, yumshoq rentgen nurlanish energiyasi kattaligi kichik bo‘lishi hisobiga, rezistlarda va to‘shamalarda sochilish effektlarining namoyon bo‘lishi kamayadi.

Экспозициялайдиган нурланиш тўлқин узун-лиги 0,4 nm дан 5 nm гача диапазонда ётадиган оптик контактсиз босманинг бир тури. Рентген литографиясида контактсиз экспози-циялайдиган тизимдан фойдаланилишига қа-рамай, дифракцион эффектларнинг намоён бўлиши рентген нурланиш тўлқин узунлиги кичиклиги ҳисобига камайтирилган. Рентген литографияси методини ишлаб чиқишнинг асосий сабаби, юқори ажрата олишга, шу вақтнинг ўзида ускунанинг юқори унумдорлигига эришишдан иборат эди. Бундан таш-қари, юмшоқ рентген нурланиш энергияси катталиги кичик бўлиши ҳисобига, резистларда ва тўшамаларда сочилиш эффектларининг намоён бўлиши камаяди.

Разновидность оптической бесконтактной печати, в которой длина волны экспонирующего облучения лежит в диапазоне от 0,4 до 5 nm. Несмотря на то, что при рентгеновской литографии используется бесконтактная экспонирующая система, проявление дифракционных эффектов уменьшено за счет малой длины волны рентгеновского излучения. Основная причина разработки метода рентгеновской литографии заключалась в возможности получения высокого разрешения и, в то же время, высокой производительности оборудования. Кроме того, за счет малой вели-чины энергии мягкого рентгеновского излучения уменьшается проявление эффектов рассеяния в резистах и подложке.

X-ray lithography