thin film transistor

Полевой транзистор с изолированным затво-ром, в котором канал создан нанесением пленки полупроводника толщиной 0,1 до 1 µm на изолирующую подложку.

Kanal, qalinligi 0,1 µm dan 1 µm gacha bo‘lgan yarimo‘tkazgich qatlamini izolyatsiyalovchi to‘shama tushirish orqali hosil qilingan, izolyatsiyalangan zatvorli maydon tranzistori.

Канал, қалинлиги 0,1 µm дан 1 µm гача бўлган яримўтказгич қатламини изоляцияловчи тўшама тушириш орқали ҳосил қилинган, изоляцияланган затворли майдон транзистори.