Fotorezistlar yordamida berilgan konfiguratsiyadagi relyefli qoplamani shakllantirish usuli. Planar texnologiya metodlaridan biri hisoblanadi, integral mikrosxemalar, bosma platalar, xotirlovchi qurilmalar, yuqori chastotali asboblar tayyorlash uchun qo‘llaniladi. Quyidagi bosqich-larni ichiga oladi: fotorezistni metallga, dielektrik yoki yarimo‘tkazgichga tushirish; to‘shamaga adgeziyani yaxshilash uchun uni quritish; yashirin tasvirni shakllantirish uchun, berilgan rasmli fotoshablon (shisha, kvars) orqali ko‘rinadigan yoki ultrabinafsha nurlanish bilan ekspo-zitsiyalash; yuqori chastotali razryad plazmasida quruq haydash yoki suv – ishqoriy va organik erituvchilar bilan yuvish orqali, qatlamning nurlangan (pozitiv tasvir) yoki nurlanmagan (negativ tasvir) qismidan rezistni chiqarib tashlash yo‘li bilan yashirin tasvirni chiqarish (vizu-allash); tozalash (yedirish) da chidamliligini oshirish uchun, olingan relyef qoplamga (maskaga) termik ishlov berish (oshlash); quruq usullar bilan yoki kislota turidagi tozalovchilar bilan erkin sirt qismlarini tozalash; erituvchilar yoki kislorod plazma bilan kuydirib maskani chiqarib tashlash. Integral sxemalarni tayyorlashda jarayon materialning turli texnologik qatlamlarida ko‘p marta takrorlanadi, bunda har bir keyingi rasm oldingisi bilan to‘g‘ri kelishi kerak.

Фоторезистлар ёрдамида берилган конфигурациядаги рельефли қопламани шакллантириш усули. Планар технология методларидан бири ҳисобланади, интеграл микросхемалар, босма платалар, хотирловчи қурилмалар, юқори частотали асбоблар тайёрлаш учун қўлланилади. Қуйидаги босқичларни ичига олади: фоторезистни металлга, диэлектрик ёки яримўтказгичга тушириш; тўшамага адгезияни яхшилаш учун уни қуритиш; яширин тасвирни шакллантириш учун, берилган расмли фотошаблон (шиша, кварц) орқали кўринадиган ёки ультрабинафша нурланиш билан экспозициялаш; юқори частотали разряд плазмасида қуруқ ҳайдаш ёки сув – ишқорий ва органик эритувчилар билан ювиш орқали, қатламнинг нурланган (позитив тасвир) ёки нурланмаган (негатив тасвир) қис-мидан резистни чиқариб ташлаш йўли билан яширин тасвирни чиқариш (визуаллаш); тозалаш (едириш) да чидамлилигини ошириш учун, олинган рельеф қопламга (маскага) термик ишлов бериш (ошлаш); қуруқ усуллар билан ёки кислота туридаги тозаловчилар билан эркин сирт қисмларини тозалаш; эри-тувчилар ёки кислород плазма билан куйди-риб маскани чиқариб ташлаш. Интеграл схемаларни тайёрлашда жараён материалнинг турли технологик қатламларида кўп марта такрорланади, бунда ҳар бир кейинги расм олдингиси билан тўғри келиши керак.

Способ формирования рельефного покрытия заданной конфигурации с помощью фоторезистов. Является одним из методов планарной технологии и применяется для изготовления интегральных микросхем, печатных плат, запоминающих устройств, высокочастотных приборов и др. Обычно включает стадии: нанесения фоторезиста на металл, ди-электрик или полупроводник; его сушку для улучшения адгезии к подложке; экспонирование видимым или УФ излучением через фотошаблон (стекло, кварц и др.) с заданным рисунком для формирования скрытого изображения; проявление (визуализацию) скрытого изображения путем удаления фоторезиста с облученного (позитивное изображение) или необлученного (негативное) участка слоя вымыванием водно-щелочными и органическими растворителями, либо возгонкой в плазме высокочастотного разряда; термическую обработку (дубление) полученного рельефного покрытия (маски) для увеличения его стойкости при травлении; травление участков свободной поверхности травителями кислотного типа или сухими методами; удаление маски растворителями или выжиганием кислородной плазмой. При изготовлении интегральных схем процесс повторяют многократно на различных технологических слоях материала и при этом каждый последующий рисунок должен быть совмещен с предыдущим.

photolithography