Yorug‘lik ta’sirida yarimo‘tkazgich elektr o‘tkazuvchanligining oshishi. Fotoo‘tkazuvchanlikka sabab, zaryad tashuvchilar – o‘tkazuvchanlik zo-nasida elektronlar, valent zonada teshiklar kon-sentratsiyasining oshishi hisoblanadi.

Ёруғлик таъсирида яримўтказгич электр ўтказувчанлигининг ошиши. Фотоўтказувчанликка сабаб, заряд ташувчилар – ўтказувчанлик зонасида электронлар, валент зонада тешиклар концентрациясининг ошиши ҳисобланади.

Увеличение электрической проводимости полупроводника под действием света. Причина фотопроводимости увеличение концентрации носителей заряда − электронов в зоне проводимости и дырок − в валентной зоне.

photoconductivity