epitaxy

Ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэптаксию (автоэпитаксию), когда они одинаковы. Эпитаксия определяется условиями сопряжения кристаллических решеток растущего кристалла и подложки. Эпитаксия широко применяется в микроэлектронике, в квантовой электронике и интегральной оптике.

Bir kristallning boshqa bir kristall (to‘shama) sirtida oriyentirlangan o‘sishi. To‘shama moddasi va o‘sib boradigan kristall moddasi turlicha bo‘ladigan geteroepitaksiya va bir xil bo‘ladigan gomoepitaksiya (avtoepitaksiya) ajratiladi. Epitaksiya to‘shama va o‘sib boradigan kristall panjaralarining tutashish sharoitlari bilan belgilanadi. Epitaksiya mikroelektronikada, kvant elektronikada va integral optikada keng qo‘llaniladi.

Бир кристаллнинг бошқа бир кристалл (тўшама) сиртида ориентирланган ўсиши. Тўшама моддаси ва ўсиб борадиган кристалл моддаси турлича бўладиган гетероэпитаксия ва бир хил бўладиган гомоэпитаксия (автоэпитаксия) ажратилади. Эпитаксия тўшама ва ўсиб борадиган кристалл панжараларининг туташиш шароитлари билан белгиланади. Эпитаксия микроэлектроникада, квант электроникада ва интеграл оптикада кенг қўлланилади.