Электрон техника ва радиоэлектроника |
yarimo‘tkazgichdagi
teshilish |
Yarimo‘tkazgich orqali o‘tadigan elektr tokining, qo‘yilgan potensiallar farqi namunaga nisbatan kam o‘zgarganda keskin oshib ketish hodisasi. Teshilishning asosiy sababi zarbli ionlanish va kuchli elektr maydonlarda zaryad tashuvchilarning ko‘chki ko‘payishi hisoblanadi.
|
Пробой в полупроводнике
|
Явление резкого возрастания электрического тока через полупроводник при относительно малом изменении приложенной к образцу разности потенциалов. Основной причиной пробоя является ударная ионизация и лавинное умножение носителей заряда в сильных электрических полях.
|
breakdown in
semiconductors |
breakdown in
semiconductors |