Электрон техника ва радиоэлектроника
yarimo‘tkazgichdagi teshilish Yarimo‘tkazgich orqali o‘tadigan elektr tokining, qo‘yilgan potensiallar farqi namunaga nisbatan kam o‘zgarganda keskin oshib ketish hodisasi. Teshilishning asosiy sababi zarbli ionlanish va kuchli elektr maydonlarda zaryad tashuvchilarning ko‘chki ko‘payishi hisoblanadi.
Пробой в полупроводнике Явление резкого возрастания электрического тока через полупроводник при относительно малом изменении приложенной к образцу разности потенциалов. Основной причиной пробоя является ударная ионизация и лавинное умножение носителей заряда в сильных электрических полях.
breakdown in semiconductors breakdown in semiconductors