| Электрон техника ва радиоэлектроника | |
| breakdown in semiconductors | breakdown in semiconductors |
| Пробой в полупроводнике | Явление резкого возрастания электрического тока через полупроводник при относительно малом изменении приложенной к образцу разности потенциалов. Основной причиной пробоя является ударная ионизация и лавинное умножение носителей заряда в сильных электрических полях. |
| yarimo‘tkazgichdagi teshilish | Yarimo‘tkazgich orqali o‘tadigan elektr tokining, qo‘yilgan potensiallar farqi namunaga nisbatan kam o‘zgarganda keskin oshib ketish hodisasi. Teshilishning asosiy sababi zarbli ionlanish va kuchli elektr maydonlarda zaryad tashuvchilarning ko‘chki ko‘payishi hisoblanadi. |