| Электрон техника ва радиоэлектроника | |
| narrow-gap semiconductor | narrow-gap semiconductor |
| Узкозонные полупроводники | Полупроводники с шириной запрещенной зоны меньше 0,2 eV. Узкозонные полупроводники имеют высокую подвижность, а при большой концентрации носителей заряда высокую проводимость. Применяются в приемниках инфракрасного излучения и лазерах инфракрасного диапазона. |
| tor zonali yarimo‘tkazgichlar | Taqiqlangan zona kengligi 0,2 eV dan kichik bo‘lgan yarimo‘tkazgichlar. Tor zonali yarimo‘t-kazgichlar yuqori harakatchanlikka, zaryad ta-shuvchilar konsentratsiyasi yuqori bo‘lganda esa, yuqori o‘tkazuvchanlikka ega bo‘ladi. Infraqizil nurlanish qabulqilgichlarida va infraqizil diapazondagi lazerlarda qo‘llaniladi. |