Метод наномодификации армирующих волокон, то есть «химическое газофазное осаждение» металлов, сплавов или химических соединений на заданную поверхность.

metod chemical vapor deposition (CVD)

Метод наномодификации армирующих волокон, то есть «химическое газофазное осаждение» металлов, сплавов или химических соединений на заданную поверхность.

Armaturalaydigan tolalarni nanomodifikatsiyalash metodi, ya’ni berilgan sirtga metallar, qotishmalar yoki kimyoviy birikmalarni «kimyo-viy gaz fazaviy cho‘ktirish».

Арматуралайдиган толаларни наномодификациялаш методи, яъни берилган сиртга металлар, қотишмалар ёки кимёвий бирикмаларни «кимёвий газ фазавий чўктириш».

metod chemical vapor deposition (CVD)

Метод наномодификации армирующих волокон, то есть «химическое газофазное осаждение» металлов, сплавов или химических соединений на заданную поверхность.

Armaturalaydigan tolalarni nanomodifikatsiyalash metodi, ya’ni berilgan sirtga metallar, qotishmalar yoki kimyoviy birikmalarni «kimyo-viy gaz fazaviy cho‘ktirish».

Арматуралайдиган толаларни наномодификациялаш методи, яъни берилган сиртга металлар, қотишмалар ёки кимёвий бирикмаларни «кимёвий газ фазавий чўктириш».

metod chemical vapor deposition (CVD)

Метод нанесения нанопокрытия, при котором металлы, сплавы или химические соединения осаждаются в глубоком вакууме путем подвода тепловой энергии или бомбардировки частицами. Иными словами, материал покрытия различными способами переводится из твердого состояния в паровую фазу и затем конденсируется на поверхности подложки (физическое распыление с осаждением). К PVD-методам относят еще ионное плакирование и катодное распыление (ионно-плазменное распыление). 

method physical vapor deposition (PVD)

Метод нанесения нанопокрытия, при котором металлы, сплавы или химические соединения осаждаются в глубоком вакууме путем подвода тепловой энергии или бомбардировки частицами. Иными словами, материал покрытия различными способами переводится из твердого состояния в паровую фазу и затем конденсируется на поверхности подложки (физическое распыление с осаждением). К PVD-методам относят еще ионное плакирование и катодное распыление (ионно-плазменное распыление). 

Nanoqoplamani tushirish metodi, bunda metal-lar, qotishmalar yoki kimyoviy birikmalar issiq-lik energiyasini keltirish yoki zarralarni bombar-dimon qilish yo‘li bilan qattiq vakuumda cho‘k-tiriladi. Boshqacha so‘zlar bilan aytganda, qop-lash materiali turli usullar bilan qattiq holatdan bug‘ fazasiga o‘tkaziladi, keyin to‘shama sirtida kondensatsiyalanadi (cho‘ktirish bilan fizik sochilish). PVD-metodlarga shuningdek, ion qoplash (plakirlash) va qayta sochilish (ion-plazmali sochilish) ham kiradi.

Наноқопламани тушириш методи, бунда металлар, қотишмалар ёки кимёвий бирикмалар иссиқлик энергиясини келтириш ёки зарраларни бомбардимон қилиш йўли билан қаттиқ вакуумда чўктирилади. Бошқача сўзлар билан айтганда, қоплаш материали турли усуллар билан қаттиқ ҳолатдан буғ фазасига ўтказилади, кейин тўшама сиртида конденсацияланади (чўктириш билан физик сочилиш). PVD-методларга шунингдек, ион қоплаш (плакирлаш) ва катод сочилиш (ион-плазмали сочилиш) ҳам киради.

method physical vapor deposition (PVD)

Метод нанесения нанопокрытия, при котором металлы, сплавы или химические соединения осаждаются в глубоком вакууме путем подвода тепловой энергии или бомбардировки частицами. Иными словами, материал покрытия различными способами переводится из твердого состояния в паровую фазу и затем конденсируется на поверхности подложки (физическое распыление с осаждением). К PVD-методам относят еще ионное плакирование и катодное распыление (ионно-плазменное распыление). 

Nanoqoplamani tushirish metodi, bunda metal-lar, qotishmalar yoki kimyoviy birikmalar issiq-lik energiyasini keltirish yoki zarralarni bombar-dimon qilish yo‘li bilan qattiq vakuumda cho‘k-tiriladi. Boshqacha so‘zlar bilan aytganda, qop-lash materiali turli usullar bilan qattiq holatdan bug‘ fazasiga o‘tkaziladi, keyin to‘shama sirtida kondensatsiyalanadi (cho‘ktirish bilan fizik sochilish). PVD-metodlarga shuningdek, ion qoplash (plakirlash) va qayta sochilish (ion-plazmali sochilish) ham kiradi.

Наноқопламани тушириш методи, бунда металлар, қотишмалар ёки кимёвий бирикмалар иссиқлик энергиясини келтириш ёки зарраларни бомбардимон қилиш йўли билан қаттиқ вакуумда чўктирилади. Бошқача сўзлар билан айтганда, қоплаш материали турли усуллар билан қаттиқ ҳолатдан буғ фазасига ўтказилади, кейин тўшама сиртида конденсацияланади (чўктириш билан физик сочилиш). PVD-методларга шунингдек, ион қоплаш (плакирлаш) ва катод сочилиш (ион-плазмали сочилиш) ҳам киради.

method physical vapor deposition (PVD)

Охлаждение струи жидкого металла на внешней (закалка на диске) или внутренней (центробежная закалка) поверхностях вращающихся барабанов или прокатка расплава между холодными валками, изготовленными из материалов с высокой теплопроводностью. В этом методе нанокристаллическая структура создается в аморфном сплаве путем его кристаллизации. Далее аморфная лента отжигается при контролируемой температуре для кристаллизации. Для создания нанокристаллической структуры отжиг проводится так, чтобы возникало большое число центров кристаллизации, а скорость роста кристаллов была низкой.

rapid melt-quenching

Охлаждение струи жидкого металла на внешней (закалка на диске) или внутренней (центробежная закалка) поверхностях вращающихся барабанов или прокатка расплава между холодными валками, изготовленными из материалов с высокой теплопроводностью. В этом методе нанокристаллическая структура создается в аморфном сплаве путем его кристаллизации. Далее аморфная лента отжигается при контролируемой температуре для кристаллизации. Для создания нанокристаллической структуры отжиг проводится так, чтобы возникало большое число центров кристаллизации, а скорость роста кристаллов была низкой.

Suyuq metall oqimini aylanadigan barabanlarning tashqi (diskdо toblash) yoki ichki (markazdan qochadigan toblash) sirtlarida sovitish yoki issiqlik o‘tkazuvchanligi yuqori bo‘lgan materiallardan tayyorlangan  sovuq valkalar o‘rtasida suyuqlanmani prokat qilish. Bu usulda nanokristall struktura amorf qotishmada kristallash yo‘li bilan yaratiladi. Keyin amorf lenta nazorat qilinadigan temperaturada kristall holatiga keltirish uchun yumshatiladi. Nanokristall struk-tura hosil qilish uchun, yumshatish ko‘p sonli kristallanish markazlari yuzaga keladigan, kristallarning o‘sish tezligi past bo‘ladigan qilib olib boriladi.

Суюқ металл оқимини айланадиган барабан-ларнинг ташқи (дискда тоблаш) ёки ички (марказдан қочадиган тоблаш) сиртларида совитиш ёки иссиқлик ўтказувчанлиги юқори бўлган материаллардан тайёрланган  совуқ валкалар ўртасида суюқланмани прокат қи-лиш. Бу усулда нанокристалл структура аморф қотишмада уни кристаллаш йўли билан яратилади. Кейин аморф лента назорат қилинадиган температурада кристалл ҳолати-га келтириш учун юмшатилади. Нанокрис-талл структура ҳосил қилиш учун, юмшатиш кўп сонли кристалланиш марказлари юзага келадиган, кристалларнинг ўсиш тезлиги паст бўладиган қилиб олиб борилади.

rapid melt-quenching

Охлаждение струи жидкого металла на внешней (закалка на диске) или внутренней (центробежная закалка) поверхностях вращающихся барабанов или прокатка расплава между холодными валками, изготовленными из материалов с высокой теплопроводностью. В этом методе нанокристаллическая структура создается в аморфном сплаве путем его кристаллизации. Далее аморфная лента отжигается при контролируемой температуре для кристаллизации. Для создания нанокристаллической структуры отжиг проводится так, чтобы возникало большое число центров кристаллизации, а скорость роста кристаллов была низкой.

Suyuq metall oqimini aylanadigan barabanlarning tashqi (diskdо toblash) yoki ichki (markazdan qochadigan toblash) sirtlarida sovitish yoki issiqlik o‘tkazuvchanligi yuqori bo‘lgan materiallardan tayyorlangan  sovuq valkalar o‘rtasida suyuqlanmani prokat qilish. Bu usulda nanokristall struktura amorf qotishmada kristallash yo‘li bilan yaratiladi. Keyin amorf lenta nazorat qilinadigan temperaturada kristall holatiga keltirish uchun yumshatiladi. Nanokristall struk-tura hosil qilish uchun, yumshatish ko‘p sonli kristallanish markazlari yuzaga keladigan, kristallarning o‘sish tezligi past bo‘ladigan qilib olib boriladi.

Суюқ металл оқимини айланадиган барабан-ларнинг ташқи (дискда тоблаш) ёки ички (марказдан қочадиган тоблаш) сиртларида совитиш ёки иссиқлик ўтказувчанлиги юқори бўлган материаллардан тайёрланган  совуқ валкалар ўртасида суюқланмани прокат қи-лиш. Бу усулда нанокристалл структура аморф қотишмада уни кристаллаш йўли билан яратилади. Кейин аморф лента назорат қилинадиган температурада кристалл ҳолати-га келтириш учун юмшатилади. Нанокрис-талл структура ҳосил қилиш учун, юмшатиш кўп сонли кристалланиш марказлари юзага келадиган, кристалларнинг ўсиш тезлиги паст бўладиган қилиб олиб борилади.

rapid melt-quenching

Четырехзондовый метод измерения удельно-го сопротивления тонких пластин или слоев на подложке произвольной формы.

Van der Pauw method

Четырехзондовый метод измерения удельно-го сопротивления тонких пластин или слоев на подложке произвольной формы.

Ixtiyoriy shakldagi to‘shamada yupqa plastinalar yoki qatlamlarning solishtirma qarshiligini o‘lchashning to‘rt zondli metodi.

Ихтиёрий шаклдаги тўшамада юпқа пласти-налар ёки қатламларнинг солиштирма қарши-лигини ўлчашнинг тўрт зондли методи.

Van der Pauw method

Четырехзондовый метод измерения удельно-го сопротивления тонких пластин или слоев на подложке произвольной формы.

Ixtiyoriy shakldagi to‘shamada yupqa plastinalar yoki qatlamlarning solishtirma qarshiligini o‘lchashning to‘rt zondli metodi.

Ихтиёрий шаклдаги тўшамада юпқа пласти-налар ёки қатламларнинг солиштирма қарши-лигини ўлчашнинг тўрт зондли методи.

Van der Pauw method

Метод, который заключается в организации поверхностных химических реакций с пространственным и временным разделением.

molecular layering technology

Метод, который заключается в организации поверхностных химических реакций с пространственным и временным разделением.

Fazo hamda vaqtda ajratish bilan sirt kimyoviy reaksiyalarni tashkil qilishda ifodalanadigan metod.

Фазо ҳамда вақтда ажратиш билан сирт кимёвий реакцияларни ташкил қилишда ифодаланадиган метод.

molecular layering technology

Метод, который заключается в организации поверхностных химических реакций с пространственным и временным разделением.

Fazo hamda vaqtda ajratish bilan sirt kimyoviy reaksiyalarni tashkil qilishda ifodalanadigan metod.

Фазо ҳамда вақтда ажратиш билан сирт кимёвий реакцияларни ташкил қилишда ифодаланадиган метод.

molecular layering technology

Численный метод, основанный на получении большого числа реализаций стохастического (случайного) процесса, который формируется таким образом, чтобы его вероятностные характеристики совпадали с аналогичными величинами решаемой задачи. Используется для решения задач в области физики, мате-матики, экономики, оптимизации, теории уп-равления и др.

Monte-Carlo method

Численный метод, основанный на получении большого числа реализаций стохастического (случайного) процесса, который формируется таким образом, чтобы его вероятностные характеристики совпадали с аналогичными величинами решаемой задачи. Используется для решения задач в области физики, мате-матики, экономики, оптимизации, теории уп-равления и др.

Ehtimoliy xarakteristikalari hal qilinadigan masalalarning o‘xshash kattaliklari bilan mos tushadigan qilib tuziladigan stoxastik (tasodifiy) jarayonni ko‘p sonli amalga oshirishlarga asos-langan sonli metod. Fizika, matematika, iqtiso-diyot, optimallash, boshqarish nazariyasi sohasidagi masalalarni hal qilish uchun foydalaniladi.

Эҳтимолий характеристикалари ҳал қилина-диган масалаларнинг ўхшаш катталиклари билан мос тушадиган қилиб тузиладиган стохастик (тасодифий) жараённи кўп сонли амалга оширишларга асосланган сонли ме-тод. Физика, математика, иқтисодиёт, опти-маллаш, бошқариш назарияси соҳасидаги масалаларни ҳал қилиш учун фойдаланилади.

Monte-Carlo method

Численный метод, основанный на получении большого числа реализаций стохастического (случайного) процесса, который формируется таким образом, чтобы его вероятностные характеристики совпадали с аналогичными величинами решаемой задачи. Используется для решения задач в области физики, мате-матики, экономики, оптимизации, теории уп-равления и др.

Ehtimoliy xarakteristikalari hal qilinadigan masalalarning o‘xshash kattaliklari bilan mos tushadigan qilib tuziladigan stoxastik (tasodifiy) jarayonni ko‘p sonli amalga oshirishlarga asos-langan sonli metod. Fizika, matematika, iqtiso-diyot, optimallash, boshqarish nazariyasi sohasidagi masalalarni hal qilish uchun foydalaniladi.

Эҳтимолий характеристикалари ҳал қилина-диган масалаларнинг ўхшаш катталиклари билан мос тушадиган қилиб тузиладиган стохастик (тасодифий) жараённи кўп сонли амалга оширишларга асосланган сонли ме-тод. Физика, математика, иқтисодиёт, опти-маллаш, бошқариш назарияси соҳасидаги масалаларни ҳал қилиш учун фойдаланилади.

Monte-Carlo method

Метод измерения поверхностного натяжения жидкости. Определяется сила, которая необ-ходима для уравновешивания тонкой плас-тинки, погруженной в жидкость; обычно используется полностью смачиваемая жид-костью пластинка. Универсальный метод, особенно подходит для измерения поверх-ностного натяжения в течение длительного промежутка времени. Широко используется в установках Ленгмюра-Блоджетт.

Wilhelmy plate method

Метод измерения поверхностного натяжения жидкости. Определяется сила, которая необ-ходима для уравновешивания тонкой плас-тинки, погруженной в жидкость; обычно используется полностью смачиваемая жид-костью пластинка. Универсальный метод, особенно подходит для измерения поверх-ностного натяжения в течение длительного промежутка времени. Широко используется в установках Ленгмюра-Блоджетт.

Suyuqlik sirt tarangligini o‘lchash usuli. Suyuqlikka botirilgan yupqa plastinkani muvo-zanatlashtirish uchun zarur bo‘lgan kuch aniq-lanadi; odatda, suyuqlik bilan to‘liq ho‘llana-digan plastinkadan foydalaniladi. Universal usul, ayniqsa uzoq vaqt oralig‘i mobaynida sirt taranglikni o‘lchash uchun mos keladi. Leng-myur-Blojett qurilmalarida keng qo‘llaniladi.

Суюқлик сирт таранглигини ўлчаш усули. Суюқликка ботирилган юпқа пластинкани мувозанатлаштириш учун зарур бўлган куч аниқланади; одатда, суюқлик билан тўлиқ ҳўлланадиган пластинкадан фойдаланилади. Универсал усул, айниқса узоқ вақт оралиғи мобайнида сирт тарангликни ўлчаш учун мос келади. Ленгмюр-Бложетт қурилмаларида кенг қўлланилади.

Wilhelmy plate method