Раздел оптики, изучающий особенности взаимодействия излучения (света) с частицами, размер которых меньше длины волны. Технологии в области нанооптики включают сканирующую оптическую микроскопию ближнего поля, фотоусиленную сканирующую туннельную микроскопию и спектроскопию поверхностного плазмонного резонанса.

Optikaning, nurlanish (yorug‘lik) ning o‘lchami to‘lqin uzunligidan kichik bo‘lgan zarralar bilan o‘zaro ta’sirining o‘ziga xos xususiyatlarini o‘rganadigan bo‘limi. Nanooptika sohasidagi texnologiya yaqin maydon skanerlaydigan optik mikroskopiyani, fotokuchaytirilgan skanerlaydigan tunnel mikroskopiyani va sirt plazmali rezo-nans spektroskopiyani ichiga oladi.

Оптиканинг, нурланиш (ёруғлик) нинг ўлчами тўлқин узунлигидан кичик бўлган зарралар билан ўзаро таъсирининг ўзига хос хусусиятларини ўрганадиган бўлими. Нанооптика соҳасидаги технология яқин майдон ска-нерлайдиган оптик микроскопияни, фотокучайтирилган сканерлайдиган туннель микроскопияни ва сирт плазмали резонанс спектроскопияни ичига олади.

nano-optics

Раздел оптики, изучающий особенности взаимодействия излучения (света) с частицами, размер которых меньше длины волны. Технологии в области нанооптики включают сканирующую оптическую микроскопию ближнего поля, фотоусиленную сканирующую туннельную микроскопию и спектроскопию поверхностного плазмонного резонанса.

Optikaning, nurlanish (yorug‘lik) ning o‘lchami to‘lqin uzunligidan kichik bo‘lgan zarralar bilan o‘zaro ta’sirining o‘ziga xos xususiyatlarini o‘rganadigan bo‘limi. Nanooptika sohasidagi texnologiya yaqin maydon skanerlaydigan optik mikroskopiyani, fotokuchaytirilgan skanerlaydigan tunnel mikroskopiyani va sirt plazmali rezo-nans spektroskopiyani ichiga oladi.

Оптиканинг, нурланиш (ёруғлик) нинг ўлчами тўлқин узунлигидан кичик бўлган зарралар билан ўзаро таъсирининг ўзига хос хусусиятларини ўрганадиган бўлими. Нанооптика соҳасидаги технология яқин майдон ска-нерлайдиган оптик микроскопияни, фотокучайтирилган сканерлайдиган туннель микроскопияни ва сирт плазмали резонанс спектроскопияни ичига олади.

nano-optics

Раздел оптики, изучающий особенности взаимодействия излучения (света) с частицами, размер которых меньше длины волны. Техно-логии в области нанооптики включают сканирующую оптическую микроскопию ближнего поля, фотоусиленную сканирующую туннельную микроскопию и спектроскопию поверхностного плазмонного резонанса.

nano-optics

Раздел оптики, изучающий особенности взаимодействия излучения (света) с частицами, размер которых меньше длины волны. Техно-логии в области нанооптики включают сканирующую оптическую микроскопию ближнего поля, фотоусиленную сканирующую туннельную микроскопию и спектроскопию поверхностного плазмонного резонанса.

Obyektni 1 nm dan 100 nm gacha bo‘lgan masofaga ko‘chirish.

Объектни 1 nm дан 100 nm гача бўлган масофага кўчириш

nano-optics

Раздел оптики, изучающий особенности взаимодействия излучения (света) с частицами, размер которых меньше длины волны. Техно-логии в области нанооптики включают сканирующую оптическую микроскопию ближнего поля, фотоусиленную сканирующую туннельную микроскопию и спектроскопию поверхностного плазмонного резонанса.

Obyektni 1 nm dan 100 nm gacha bo‘lgan masofaga ko‘chirish.

Объектни 1 nm дан 100 nm гача бўлган масофага кўчириш

nano-optics

Процесс создания наноструктур, заключающийся в формировании на поверхности полимеров топографической структуры (изображения) с размером отдельных элементов менее 100 nm в результате физической деформации резиста шаблоном, несущим изображение наноструктуры. Он позволяет отпечатывать на подложке узоры из проводников шириной не более 50 атомов. Используя эту технологию, изготовлены прототипы схем, содержащие проводники шириной 15 nm.

nanoimprint lithography

Процесс создания наноструктур, заключающийся в формировании на поверхности полимеров топографической структуры (изображения) с размером отдельных элементов менее 100 nm в результате физической деформации резиста шаблоном, несущим изображение наноструктуры. Он позволяет отпечатывать на подложке узоры из проводников шириной не более 50 атомов. Используя эту технологию, изготовлены прототипы схем, содержащие проводники шириной 15 nm.

Polimerlar sirtida nanostruktura tasvirini tashuv-chi shablon bilan registni fizik deformatsiyalash natijasida, ayrim elementlarining o‘lchami 100 nm dan kichik bo‘lgan topografik struktura (tas-vir) ni shakllantirishdan iborat, nanostrukturalar yaratish jarayoni. U to‘shamada kengligi 50 atomdan ko‘p bo‘lmagan o‘tkazgichlardan tuzilgan naqshlar bosish imkonini beradi. Bu texno-logiyadan foydalangan holda, kengligi 15 nm bo‘lgan o‘tkazgichlarni ichiga oladigan sxemalarning prototiplari tayyorlangan.

Полимерлар сиртида наноструктура тасвирини ташувчи шаблон билан резистни физик деформациялаш натижасида, айрим элементларининг ўлчами 100 nm дан кичик бўлган топографик структура (тасвир) ни шакллантиришдан иборат, наноструктуралар яратиш жараёни. У тўшамада кенглиги 50 атомдан кўп бўлмаган ўтказгичлардан тузилган нақшлар босиш имконини беради. Бу технологиядан фойдаланган ҳолда, кенглиги 15 nm бўлган ўтказгичларни ичига оладиган схемаларнинг прототиплари тайёрланган.

nanoimprint lithography

Процесс создания наноструктур, заключающийся в формировании на поверхности полимеров топографической структуры (изображения) с размером отдельных элементов менее 100 nm в результате физической деформации резиста шаблоном, несущим изображение наноструктуры. Он позволяет отпечатывать на подложке узоры из проводников шириной не более 50 атомов. Используя эту технологию, изготовлены прототипы схем, содержащие проводники шириной 15 nm.

Polimerlar sirtida nanostruktura tasvirini tashuv-chi shablon bilan registni fizik deformatsiyalash natijasida, ayrim elementlarining o‘lchami 100 nm dan kichik bo‘lgan topografik struktura (tas-vir) ni shakllantirishdan iborat, nanostrukturalar yaratish jarayoni. U to‘shamada kengligi 50 atomdan ko‘p bo‘lmagan o‘tkazgichlardan tuzilgan naqshlar bosish imkonini beradi. Bu texno-logiyadan foydalangan holda, kengligi 15 nm bo‘lgan o‘tkazgichlarni ichiga oladigan sxemalarning prototiplari tayyorlangan.

Полимерлар сиртида наноструктура тасвирини ташувчи шаблон билан резистни физик деформациялаш натижасида, айрим элементларининг ўлчами 100 nm дан кичик бўлган топографик структура (тасвир) ни шакллантиришдан иборат, наноструктуралар яратиш жараёни. У тўшамада кенглиги 50 атомдан кўп бўлмаган ўтказгичлардан тузилган нақшлар босиш имконини беради. Бу технологиядан фойдаланган ҳолда, кенглиги 15 nm бўлган ўтказгичларни ичига оладиган схемаларнинг прототиплари тайёрланган.

nanoimprint lithography