Нанесение слоев материала на подложку

deposition

Нанесение слоев материала на подложку

Material qatlamlarini to‘shamaga tushirish.

Материал қатламларини тўшамага тушириш

deposition

Нанесение слоев материала на подложку

Material qatlamlarini to‘shamaga tushirish.

Материал қатламларини тўшамага тушириш

deposition

Химическое осаждение из газовой фазы − получение твердых веществ с помощью химических реакций, в которых участвуют газообразные реагенты. Используют для получения текстурированных покрытий, моно-кристаллов, эпитаксиальных и монокристаллических пленок (например, в планарной технологии), нитевидных монокристаллов («усов»), барьерных слоев (предотвращающих разрушение покрытий на соплах ракет), при изготовлении различных изделий сложной конфигурации и др.

vapor deposition

Химическое осаждение из газовой фазы − получение твердых веществ с помощью химических реакций, в которых участвуют газообразные реагенты. Используют для получения текстурированных покрытий, моно-кристаллов, эпитаксиальных и монокристаллических пленок (например, в планарной технологии), нитевидных монокристаллов («усов»), барьерных слоев (предотвращающих разрушение покрытий на соплах ракет), при изготовлении различных изделий сложной конфигурации и др.

Gazli fazadan kimyoviy cho‘kish – gazsimon reagentlar qatnashadigan kimyoviy reaksiyalar yordamida qattiq moddalar olish. Teksturalan-gan qoplamalar, monokristallar, epitaksial va monokristall plyonkalar (masalan, planar texno-logiyada), ipsimon monokristallar («mo‘ylov-lar»), to‘siq qatlamlar (raketa soplolaridagi qoplamalar buzilishini bartaraf qiladigan) olish uchun, murakkab konfiguratsiyadagi turli xil buyumlar tayyorlashda foydalaniladi.

Газли фазадан кимёвий чўкиш – газсимон реагентлар қатнашадиган кимёвий реакциялар ёрдамида қаттиқ моддалар олиш. Текстураланган қопламалар, монокристаллар, эпитаксиал ва монокристалл плёнкалар (масалан, планар технологияда), ипсимон монокристаллар («мўйловлар»), тўсиқ қатламлар (ракета соплоларидаги қопламалар бузилишини бартараф қиладиган) олиш учун, мураккаб конфигурациядаги турли хил буюмлар тайёрлашда фойдаланилади.

vapor deposition

Химическое осаждение из газовой фазы − получение твердых веществ с помощью химических реакций, в которых участвуют газообразные реагенты. Используют для получения текстурированных покрытий, моно-кристаллов, эпитаксиальных и монокристаллических пленок (например, в планарной технологии), нитевидных монокристаллов («усов»), барьерных слоев (предотвращающих разрушение покрытий на соплах ракет), при изготовлении различных изделий сложной конфигурации и др.

Gazli fazadan kimyoviy cho‘kish – gazsimon reagentlar qatnashadigan kimyoviy reaksiyalar yordamida qattiq moddalar olish. Teksturalan-gan qoplamalar, monokristallar, epitaksial va monokristall plyonkalar (masalan, planar texno-logiyada), ipsimon monokristallar («mo‘ylov-lar»), to‘siq qatlamlar (raketa soplolaridagi qoplamalar buzilishini bartaraf qiladigan) olish uchun, murakkab konfiguratsiyadagi turli xil buyumlar tayyorlashda foydalaniladi.

Газли фазадан кимёвий чўкиш – газсимон реагентлар қатнашадиган кимёвий реакциялар ёрдамида қаттиқ моддалар олиш. Текстураланган қопламалар, монокристаллар, эпитаксиал ва монокристалл плёнкалар (масалан, планар технологияда), ипсимон монокристаллар («мўйловлар»), тўсиқ қатламлар (ракета соплоларидаги қопламалар бузилишини бартараф қиладиган) олиш учун, мураккаб конфигурациядаги турли хил буюмлар тайёрлашда фойдаланилади.

vapor deposition

Избыточное внешнее давление, которое следует приложить со стороны раствора, чтобы прекратить диффузионный процесс, т.е. создать условия осмотического равновесия. Превышение избыточного давления над осмотическим может привести к обращению осмоса обратной диффузии растворителя.

osmotic pressure

Избыточное внешнее давление, которое следует приложить со стороны раствора, чтобы прекратить диффузионный процесс, т.е. создать условия осмотического равновесия. Превышение избыточного давления над осмотическим может привести к обращению осмоса обратной диффузии растворителя.

Diffuziya jarayonini to‘xtatish, ya’ni osmotik muvozanat sharoitini yaratish uchun, eritma tomonidan qo‘yiladigan ortiqcha tashqi bosim. Ortiqcha bosimning osmotik bosimdan oshib ketishi, osmosning erituvchi teskari diffuziyasiga aylanishiga olib kelishi mumkin.

Диффузия жараёнини тўхтатиш, яъни осмотик мувозанат шароитини яратиш учун, эритма томондан қўйиладиган ортиқча ташқи бо-сим. Ортиқча босимнинг осмотик босимдан ошиб кетиши, осмоснинг эритувчи тескари диффузиясига айланишига олиб келиши мумкин.

osmotic pressure

Избыточное внешнее давление, которое следует приложить со стороны раствора, чтобы прекратить диффузионный процесс, т.е. создать условия осмотического равновесия. Превышение избыточного давления над осмотическим может привести к обращению осмоса обратной диффузии растворителя.

Diffuziya jarayonini to‘xtatish, ya’ni osmotik muvozanat sharoitini yaratish uchun, eritma tomonidan qo‘yiladigan ortiqcha tashqi bosim. Ortiqcha bosimning osmotik bosimdan oshib ketishi, osmosning erituvchi teskari diffuziyasiga aylanishiga olib kelishi mumkin.

Диффузия жараёнини тўхтатиш, яъни осмотик мувозанат шароитини яратиш учун, эритма томондан қўйиладиган ортиқча ташқи бо-сим. Ортиқча босимнинг осмотик босимдан ошиб кетиши, осмоснинг эритувчи тескари диффузиясига айланишига олиб келиши мумкин.

osmotic pressure

Термический процесс, использующийся для снятия напряжений, кристаллизации или придания покрытию большей однородности.

annealing

Термический процесс, использующийся для снятия напряжений, кристаллизации или придания покрытию большей однородности.

Kuchlanishlarni tushirish, kristallanish yoki qop-lamaga yuqori darajada birxillik berish uchun foydalaniladigan termik jarayon.

Кучланишларни тушириш, кристалланиш ёки қопламага юқори даражада бирхиллик бериш учун фойдаланиладиган термик жараён.

annealing

Термический процесс, использующийся для снятия напряжений, кристаллизации или придания покрытию большей однородности.

Kuchlanishlarni tushirish, kristallanish yoki qop-lamaga yuqori darajada birxillik berish uchun foydalaniladigan termik jarayon.

Кучланишларни тушириш, кристалланиш ёки қопламага юқори даражада бирхиллик бериш учун фойдаланиладиган термик жараён.

annealing

Краевой угол, образующийся в момент начала движения линии трехфазного контакта в сторону жидкой фазы. Измеряют следующим образом. Сначала образец помещают в жидкость, то есть принудительно смачивают всю твердую поверхность, потом к пластине подводят пузырек газа. Под его действием жидкость оттекает (отступает) с ранее смоченной поверхности. Поэтому угол, измеренный в момент начала течения жидкости, называется углом оттекания (или отступающим углом). Различие краевых углов при натекании и оттекании называется порядковым гистерезисом. Термин «порядковый» подчеркивает важность последовательности контакта поверхности твердого тела с двумя другими фазами, участвующими в смачивании.

receding contact angle

Краевой угол, образующийся в момент начала движения линии трехфазного контакта в сторону жидкой фазы. Измеряют следующим образом. Сначала образец помещают в жидкость, то есть принудительно смачивают всю твердую поверхность, потом к пластине подводят пузырек газа. Под его действием жидкость оттекает (отступает) с ранее смоченной поверхности. Поэтому угол, измеренный в момент начала течения жидкости, называется углом оттекания (или отступающим углом). Различие краевых углов при натекании и оттекании называется порядковым гистерезисом. Термин «порядковый» подчеркивает важность последовательности контакта поверхности твердого тела с двумя другими фазами, участвующими в смачивании.

Uch fazali kontakt liniyasining suyuq faza to-mon harakatlanishi boshlanish momentida hosil bo‘ladigan chetki burchak. Quyidagicha o‘lcha-nadi. Avval, namuna suyuqlikka joylashtiriladi, ya’ni butun qattiq sirti majburan ho‘llanadi, ke-yin plastinaga gaz pufakchasi keltiriladi. Uning ta’sirida suyuqlik oldin ho‘llangan sirtdan orqa-ga oqadi (chekinadi). Shu sababli, suyuqlik oqa boshlagan onda o‘lchangan burchak oqib ketish (yoki chekinish) burchagi deyiladi. Oqib kelish va oqib ketishdagi chetki burchaklar farqi tartib gisterezisi deb ataladi. «Tartib» atamasi qattiq jism sirtining, ho‘llanishda ishtirok etadigan boshqa ikki fazasi bilan kontaktlanish izchilligi-ning muhimligini ta’kidlaydi.

Уч фазали контакт линиясининг суюқ фаза томон ҳаракатланиши бошланиш моментида ҳосил бўладиган четки бурчак. Қуйидагича ўлчанади. Аввал, намуна суюқликка жойлаштирилади, яъни бутун қаттиқ сирти мажбуран ҳўлланади, кейин пластинага газ пуфакчаси келтирилади. Унинг таъсирида суюқлик ол-дин ҳўлланган сиртдан орқага оқади (чекинади). Шу сабабли, суюқлик оқа бошлаган онда ўлчанган бурчак оқиб кетиш (ёки чекиниш) бурчаги дейилади. Оқиб келиш ва оқиб кетишдаги четки бурчаклар фарқи тартиб гистерезиси деб аталади. «Тартиб» атамаси қаттиқ жисм сиртининг, ҳўлланишда иштирок этадиган бошқа икки фазаси билан контактланиш изчиллигининг муҳимлигини таъкидлайди.

receding contact angle

Краевой угол, образующийся в момент начала движения линии трехфазного контакта в сторону жидкой фазы. Измеряют следующим образом. Сначала образец помещают в жидкость, то есть принудительно смачивают всю твердую поверхность, потом к пластине подводят пузырек газа. Под его действием жидкость оттекает (отступает) с ранее смоченной поверхности. Поэтому угол, измеренный в момент начала течения жидкости, называется углом оттекания (или отступающим углом). Различие краевых углов при натекании и оттекании называется порядковым гистерезисом. Термин «порядковый» подчеркивает важность последовательности контакта поверхности твердого тела с двумя другими фазами, участвующими в смачивании.

Uch fazali kontakt liniyasining suyuq faza to-mon harakatlanishi boshlanish momentida hosil bo‘ladigan chetki burchak. Quyidagicha o‘lcha-nadi. Avval, namuna suyuqlikka joylashtiriladi, ya’ni butun qattiq sirti majburan ho‘llanadi, ke-yin plastinaga gaz pufakchasi keltiriladi. Uning ta’sirida suyuqlik oldin ho‘llangan sirtdan orqa-ga oqadi (chekinadi). Shu sababli, suyuqlik oqa boshlagan onda o‘lchangan burchak oqib ketish (yoki chekinish) burchagi deyiladi. Oqib kelish va oqib ketishdagi chetki burchaklar farqi tartib gisterezisi deb ataladi. «Tartib» atamasi qattiq jism sirtining, ho‘llanishda ishtirok etadigan boshqa ikki fazasi bilan kontaktlanish izchilligi-ning muhimligini ta’kidlaydi.

Уч фазали контакт линиясининг суюқ фаза томон ҳаракатланиши бошланиш моментида ҳосил бўладиган четки бурчак. Қуйидагича ўлчанади. Аввал, намуна суюқликка жойлаштирилади, яъни бутун қаттиқ сирти мажбуран ҳўлланади, кейин пластинага газ пуфакчаси келтирилади. Унинг таъсирида суюқлик ол-дин ҳўлланган сиртдан орқага оқади (чекинади). Шу сабабли, суюқлик оқа бошлаган онда ўлчанган бурчак оқиб кетиш (ёки чекиниш) бурчаги дейилади. Оқиб келиш ва оқиб кетишдаги четки бурчаклар фарқи тартиб гистерезиси деб аталади. «Тартиб» атамаси қаттиқ жисм сиртининг, ҳўлланишда иштирок этадиган бошқа икки фазаси билан контактланиш изчиллигининг муҳимлигини таъкидлайди.

receding contact angle

Каталитический газовый сенсор, содержащий платиновую проволоку внутри керамического шарика, поверхность которого покрыта слоем катализатора.

pellister

Каталитический газовый сенсор, содержащий платиновую проволоку внутри керамического шарика, поверхность которого покрыта слоем катализатора.

Sirti katalizator qatlami bilan qoplangan keramik sharchaning ichida platina sim bo‘lgan katalitik gazli sensor.

Сирти катализатор қатлами билан қопланган керамик шарчанинг ичида платина сим бўлган каталитик газли сенсор.

pellister

Каталитический газовый сенсор, содержащий платиновую проволоку внутри керамического шарика, поверхность которого покрыта слоем катализатора.

Sirti katalizator qatlami bilan qoplangan keramik sharchaning ichida platina sim bo‘lgan katalitik gazli sensor.

Сирти катализатор қатлами билан қопланган керамик шарчанинг ичида платина сим бўлган каталитик газли сенсор.

pellister

Минимум на зависимости энергии взаимодействия двух сближающихся частиц от рас-стояния между ними. Ближний, или первичный минимум соответствует прочному сцеплению частиц, при котором энергии теплового движения недостаточно для их разъединения. Сближаясь на расстояние, отвечающее этому минимуму, частицы объединяются в агрегаты, образование которых ведет к поте-ре системой агрегативной устойчивости. При этом устойчивость системы к коагуляции определяется высотой энергетического барьера.

primaiy minimum

Минимум на зависимости энергии взаимодействия двух сближающихся частиц от рас-стояния между ними. Ближний, или первичный минимум соответствует прочному сцеплению частиц, при котором энергии теплового движения недостаточно для их разъединения. Сближаясь на расстояние, отвечающее этому минимуму, частицы объединяются в агрегаты, образование которых ведет к поте-ре системой агрегативной устойчивости. При этом устойчивость системы к коагуляции определяется высотой энергетического барьера.

Yaqinlashadigan ikkita zarra o‘zaro ta’sir ener-giyasining, zarralar orasidagi masofaga bog‘liq-ligiga asoslangan minimum. Yaqin yoki birlam-chi zarralarning mustahkam bir-birini tortib turi-shiga mos keladi, bunda issiqlik harakati energi-yasi ularni ajratish uchun yetarli bo‘lmaydi. Bu minimumga javob beradigan masofaga yaqinla-shar ekan, zarralar, hosil bo‘lishi tizim agregativ barqarorligining yo‘qolishiga olib keladigan agregatlarga birlashadi. Tizimning koagulyatsi-yaga bo‘lgan chidamliligi energetik to‘siqning balandligi bilan belgilanadi.

Яқинлашадиган иккита зарра ўзаро таъсир энергиясининг, зарралар орасидаги масофага боғлиқлигига асосланган минимум. Яқин ёки бирламчи зарраларнинг мустаҳкам бир-бирини тортиб туришига мос келади, бунда иссиқлик ҳаракати энергияси уларни ажратиш учун етарли бўлмайди. Бу минимумга жавоб берадиган масофага яқинлашар экан, зарралар, ҳосил бўлиши тизим агрегатив барқарорлигининг йўқолишига олиб келадиган агрегатларга бирлашади. Тизимнинг коагуляцияга бўлган чидамлилиги энергетик тўсиқнинг баландлиги билан белгиланади.

primaiy minimum