Сконструированные Ленгмюром специальные весы, позволяющие определять поверхностное давление, под действием которого находится пленка (монослой на поверхности воды), и устанавливать зависимость этого давления от площади, занимаемой пленкой. С помощью этих весов Ленгмюром было блестяще доказано существование газообразных и конденсированных поверхностных пленок.

film balance (Langmuir film balance)

Сконструированные Ленгмюром специальные весы, позволяющие определять поверхностное давление, под действием которого находится пленка (монослой на поверхности воды), и устанавливать зависимость этого давления от площади, занимаемой пленкой. С помощью этих весов Ленгмюром было блестяще доказано существование газообразных и конденсированных поверхностных пленок.

Lengmyur tomonidan loyihalangan, ta’sirida plyonka (suv sirtidagi monoqatlam) bo‘lgan sirt bosimni aniqlash va bu bosimning plyonka egallaydigan maydonga bog‘liqligini o‘rnatish imkonini beradigan tarozi. Bu tarozi yordamida Lengmyur gazsimon va kondensatsiyalangan sirt plyonkalarning mavjudligini isbotlagan.

Ленгмюр томонидан лойиҳаланган, таъсирида плёнка (сув сиртидаги моноқатлам) бўлган сирт босимни аниқлаш ва бу босимнинг плёнка эгаллайдиган майдонга боғлиқлигини ўрнатиш имконини берадиган тарози. Бу тарози ёрдамида Ленгмюр газсимон ва конденсацияланган сирт плёнкаларнинг мавжудлигини исботлаган.

film balance (Langmuir film balance)

Сконструированные Ленгмюром специальные весы, позволяющие определять поверхностное давление, под действием которого находится пленка (монослой на поверхности воды), и устанавливать зависимость этого давления от площади, занимаемой пленкой. С помощью этих весов Ленгмюром было блестяще доказано существование газообразных и конденсированных поверхностных пленок.

Lengmyur tomonidan loyihalangan, ta’sirida plyonka (suv sirtidagi monoqatlam) bo‘lgan sirt bosimni aniqlash va bu bosimning plyonka egallaydigan maydonga bog‘liqligini o‘rnatish imkonini beradigan tarozi. Bu tarozi yordamida Lengmyur gazsimon va kondensatsiyalangan sirt plyonkalarning mavjudligini isbotlagan.

Ленгмюр томонидан лойиҳаланган, таъсирида плёнка (сув сиртидаги моноқатлам) бўлган сирт босимни аниқлаш ва бу босимнинг плёнка эгаллайдиган майдонга боғлиқлигини ўрнатиш имконини берадиган тарози. Бу тарози ёрдамида Ленгмюр газсимон ва конденсацияланган сирт плёнкаларнинг мавжудлигини исботлаган.

film balance (Langmuir film balance)

В коллоидных системах – величина заряда на поверхности, отнесенная к единице ее площади.

charge density

В коллоидных системах – величина заряда на поверхности, отнесенная к единице ее площади.

Kolloid tizimlarda – sirtda zaryadning, sirt maydoni birligiga qo‘shilgan kattaligi.

Коллоид тизимларда – сиртда заряднинг, сирт майдони бирлигига қўшилган катталиги.

charge density

В коллоидных системах – величина заряда на поверхности, отнесенная к единице ее площади.

Kolloid tizimlarda – sirtda zaryadning, sirt maydoni birligiga qo‘shilgan kattaligi.

Коллоид тизимларда – сиртда заряднинг, сирт майдони бирлигига қўшилган катталиги.

charge density

Количество вещества на поверхности раздела фаз, избыточное по отношению к объемам фаз, оказывается зависимым от положения разделяющей плоскости, так как концентрации вещества в различных фазах не равны.

Gibbs surface exess

Количество вещества на поверхности раздела фаз, избыточное по отношению к объемам фаз, оказывается зависимым от положения разделяющей плоскости, так как концентрации вещества в различных фазах не равны.

Fazalarni ajratish sirtidagi, fazalar hajmiga nis-batan ortiqcha bo‘lgan modda miqdori, ajratish tekisligining holatiga bog‘liq, chunki turli fazalarda modda konsentratsiyalari teng bo‘lmaydi.

Фазаларни ажратиш сиртидаги, фазалар ҳажмига нисбатан ортиқча бўлган модда миқдори, ажратиш текислигининг ҳолатига боғлиқ, чунки турли фазаларда модда концентрациялари тенг бўлмайди.

Gibbs surface exess

Количество вещества на поверхности раздела фаз, избыточное по отношению к объемам фаз, оказывается зависимым от положения разделяющей плоскости, так как концентрации вещества в различных фазах не равны.

Fazalarni ajratish sirtidagi, fazalar hajmiga nis-batan ortiqcha bo‘lgan modda miqdori, ajratish tekisligining holatiga bog‘liq, chunki turli fazalarda modda konsentratsiyalari teng bo‘lmaydi.

Фазаларни ажратиш сиртидаги, фазалар ҳажмига нисбатан ортиқча бўлган модда миқдори, ажратиш текислигининг ҳолатига боғлиқ, чунки турли фазаларда модда концентрациялари тенг бўлмайди.

Gibbs surface exess

Геометрическая поверхность, воспроизводя-щая форму поверхности раздела и распола-гающаяся параллельно последней. Поверх-ность Гиббса может быть проведена так, чтобы обратилась в нуль адсорбция любого наперед заданного компонента, но только одного. Гиббс использовал два основных положения разделяющей поверхности: такое, при котором адсорбция одного из компонентов равна нулю (сейчас эту поверхность называют эквимолекулярной), и положение, для которого исчезает явная зависимость поверхностной энергии от кривизны поверхности (это положение было названо Гиббсом поверхностью натяжения). Эквимолекулярной поверхностью Гиббс пользовался для рассмотрения плоских жидких поверхностей (и поверхностей твердых тел), а поверхностью натяжения − для рассмотрения искривленных поверхностей. Для обоих положений сокращается число переменных и достигается максимальная математическая простота.

Gibbs surface

Геометрическая поверхность, воспроизводя-щая форму поверхности раздела и распола-гающаяся параллельно последней. Поверх-ность Гиббса может быть проведена так, чтобы обратилась в нуль адсорбция любого наперед заданного компонента, но только одного. Гиббс использовал два основных положения разделяющей поверхности: такое, при котором адсорбция одного из компонентов равна нулю (сейчас эту поверхность называют эквимолекулярной), и положение, для которого исчезает явная зависимость поверхностной энергии от кривизны поверхности (это положение было названо Гиббсом поверхностью натяжения). Эквимолекулярной поверхностью Гиббс пользовался для рассмотрения плоских жидких поверхностей (и поверхностей твердых тел), а поверхностью натяжения − для рассмотрения искривленных поверхностей. Для обоих положений сокращается число переменных и достигается максимальная математическая простота.

Ajratish sirti shaklini aks ettiradigan va unga parallel joylashadigan geometrik sirt. Gibbs sirti oldindan berilgan istalgan, lekin bitta komponent adsorbsiyasi nol bo‘ladigan qilib o‘tkazilishi mumkin. Gibbs ajratish sirtining ikkita asosiy holatidan foydalandi: komponentlardan birining adsorbsiyasi nolga teng bo‘ladigan holatdan (hozir bu sirt ekvimolekulyar sirt deb ataladi) va sirt energiyaning sirt egriligiga bog‘liqligi yo‘-qoladigan holatdan (bu holatni Gibbs taranglik sirti deb atadi). Ekvimolekulyar sirtdan Gibbs tekis suyuq sirtlarni (qattiq jismlar sirtini ham) qarab chiqish uchun, taranglik sirtidan esa, egrilangan sirtlarni qarab chiqish uchun foydalandi. Har ikki holat uchun o‘zgaruvchilar soni qisqaradi va maksimal matematik soddalikka erishiladi.

Ажратиш сирти шаклини акс эттирадиган ва унга параллел жойлашадиган геометрик сирт. Гиббс сирти олдиндан берилган исталган, лекин битта компонент адсорбцияси ноль бўладиган қилиб ўтказилиши мумкин. Гиббс ажратиш сиртининг иккита асосий ҳолатидан фойдаланди: компонентлардан бирининг ад-сорбцияси нолга тенг бўладиган ҳолатдан (ҳозир бу сирт эквимолекуляр сирт деб атала-ди) ва сирт энергиянинг сирт эгрилигига боғ-лиқлиги йўқоладиган ҳолатдан (бу ҳолатни Гиббс таранглик сирти деб атади). Эквимолекуляр сиртдан Гиббс текис суюқ сиртларни (қаттиқ жисмлар сиртини ҳам) қараб чиқиш учун, таранглик сиртидан эса, эгриланган сиртларни қараб чиқиш учун фойдаланди. Ҳар икки ҳолат учун ўзгарувчилар сони қисқаради ва максимал математик соддаликка эришилади.

Gibbs surface

Геометрическая поверхность, воспроизводя-щая форму поверхности раздела и распола-гающаяся параллельно последней. Поверх-ность Гиббса может быть проведена так, чтобы обратилась в нуль адсорбция любого наперед заданного компонента, но только одного. Гиббс использовал два основных положения разделяющей поверхности: такое, при котором адсорбция одного из компонентов равна нулю (сейчас эту поверхность называют эквимолекулярной), и положение, для которого исчезает явная зависимость поверхностной энергии от кривизны поверхности (это положение было названо Гиббсом поверхностью натяжения). Эквимолекулярной поверхностью Гиббс пользовался для рассмотрения плоских жидких поверхностей (и поверхностей твердых тел), а поверхностью натяжения − для рассмотрения искривленных поверхностей. Для обоих положений сокращается число переменных и достигается максимальная математическая простота.

Ajratish sirti shaklini aks ettiradigan va unga parallel joylashadigan geometrik sirt. Gibbs sirti oldindan berilgan istalgan, lekin bitta komponent adsorbsiyasi nol bo‘ladigan qilib o‘tkazilishi mumkin. Gibbs ajratish sirtining ikkita asosiy holatidan foydalandi: komponentlardan birining adsorbsiyasi nolga teng bo‘ladigan holatdan (hozir bu sirt ekvimolekulyar sirt deb ataladi) va sirt energiyaning sirt egriligiga bog‘liqligi yo‘-qoladigan holatdan (bu holatni Gibbs taranglik sirti deb atadi). Ekvimolekulyar sirtdan Gibbs tekis suyuq sirtlarni (qattiq jismlar sirtini ham) qarab chiqish uchun, taranglik sirtidan esa, egrilangan sirtlarni qarab chiqish uchun foydalandi. Har ikki holat uchun o‘zgaruvchilar soni qisqaradi va maksimal matematik soddalikka erishiladi.

Ажратиш сирти шаклини акс эттирадиган ва унга параллел жойлашадиган геометрик сирт. Гиббс сирти олдиндан берилган исталган, лекин битта компонент адсорбцияси ноль бўладиган қилиб ўтказилиши мумкин. Гиббс ажратиш сиртининг иккита асосий ҳолатидан фойдаланди: компонентлардан бирининг ад-сорбцияси нолга тенг бўладиган ҳолатдан (ҳозир бу сирт эквимолекуляр сирт деб атала-ди) ва сирт энергиянинг сирт эгрилигига боғ-лиқлиги йўқоладиган ҳолатдан (бу ҳолатни Гиббс таранглик сирти деб атади). Эквимолекуляр сиртдан Гиббс текис суюқ сиртларни (қаттиқ жисмлар сиртини ҳам) қараб чиқиш учун, таранглик сиртидан эса, эгриланган сиртларни қараб чиқиш учун фойдаланди. Ҳар икки ҳолат учун ўзгарувчилар сони қисқаради ва максимал математик соддаликка эришилади.

Gibbs surface

Поверхность, разделяющая две фазы, например, твердое тело и жидкость или жидкость и газ.

interface

Поверхность, разделяющая две фазы, например, твердое тело и жидкость или жидкость и газ.

Ikki fazani, masalan, qattiq jism va suyuqlik yoki gaz va suyuqlikni ajratadigan sirt.

Икки фазани, масалан, қаттиқ жисм ва суюқ-лик ёки газ ва суюқликни ажратадиган сирт.

interface

Поверхность, разделяющая две фазы, например, твердое тело и жидкость или жидкость и газ.

Ikki fazani, masalan, qattiq jism va suyuqlik yoki gaz va suyuqlikni ajratadigan sirt.

Икки фазани, масалан, қаттиқ жисм ва суюқ-лик ёки газ ва суюқликни ажратадиган сирт.

interface

Величина, обратная модулю упругости при растяжении (D), модулю сдвига (G) или модулю всестороннего сжатия (В); эти величины связаны следующим соотношением: D=G/3+B/9.

compliance

Величина, обратная модулю упругости при растяжении (D), модулю сдвига (G) или модулю всестороннего сжатия (В); эти величины связаны следующим соотношением: D=G/3+B/9.

Cho‘zilishda elastiklik moduli (D) ga, siljish moduli (G) ga yoki har tomonlama siqilish moduli (V) ga teskari kattalik; bu kattaliklar D=G/3+B/9 nisbat orqali bog‘langan.

Чўзилишда эластиклик модули (D) га, сил-жиш модули (G) га ёки ҳар томонлама сиқи-лиш модули (В) га тескари катталик; бу катталиклар D=G/3+B/9 нисбат орқали боғ-ланган.

compliance

Величина, обратная модулю упругости при растяжении (D), модулю сдвига (G) или модулю всестороннего сжатия (В); эти величины связаны следующим соотношением: D=G/3+B/9.

Cho‘zilishda elastiklik moduli (D) ga, siljish moduli (G) ga yoki har tomonlama siqilish moduli (V) ga teskari kattalik; bu kattaliklar D=G/3+B/9 nisbat orqali bog‘langan.

Чўзилишда эластиклик модули (D) га, сил-жиш модули (G) га ёки ҳар томонлама сиқи-лиш модули (В) га тескари катталик; бу катталиклар D=G/3+B/9 нисбат орқали боғ-ланган.

compliance

1 В газе и низкотемпературной плазме – отношение средней скорости u направленного (в результате действия электрического поля) движения электронов или ионов к напряжённости электрического поля Е: m = u/E.
2 Подвижность ионов в растворах U = Fu, где F – Фарадея число, u – скорость иона в сm/s при напряжённости электрического поля в 1 V/сm. Величина U зависит от природы иона, а также от температуры, диэлектрической проницаемости, вязкости и концентрации раствора.

electron mobility

1 В газе и низкотемпературной плазме – отношение средней скорости u направленного (в результате действия электрического поля) движения электронов или ионов к напряжённости электрического поля Е: m = u/E.
2 Подвижность ионов в растворах U = Fu, где F – Фарадея число, u – скорость иона в сm/s при напряжённости электрического поля в 1 V/сm. Величина U зависит от природы иона, а также от температуры, диэлектрической проницаемости, вязкости и концентрации раствора.

1 Gazda va past temperaturali plazmada – (elektr maydon ta’siri natijasida) elektronlar va ionlar yo‘naltirilagan harakati U o‘rtacha tezligining, Е elektr maydon kuchlanganligiga bo‘lgan nisbati: m = u/E. 2 Eritmalarda ionlar harakatchanligi U = Fu formula bilan belgilanadi, bu yerda F – Faradey doimiysi, u – elektr maydon kuchlan-ganligi 1 V/сm bo‘lganda ionning harakatlanish сm/s dagi tezligi U kattalik ion tabiatiga, shuningdek, eritmaning konsentratsiyasiga, qovushqoqligiga, dielektrik singdiruvchanlikka, temperaturaga bog‘liq.

1 Газда ва паст температурали плазмада – (электр майдон таъсири натижасида) электронлар ва ионлар йўналтирилаган ҳаракати U ўртача тезлигининг, Е электр майдон кучланганлигига бўлган нисбати: m = u/E.
2 Эритмаларда ионлар ҳаракатчанлиги U = Fu формула билан белгиланади, бу ерда F – Фарадей доимийси, u – электр майдон куч-ланганлиги 1 V/сm бўлганда ионнинг ҳаракатланиш сm/s даги тезлиги U катталик ион табиатига, шунингдек, эритманинг концентрациясига, қовушқоқлигига, диэлектрик сингдирувчанликка, температурага боғлиқ.

electron mobility