1) Единая графическая платформа для программирования таких устройств, как настольные компьютеры, системы реального времени, встроенные микропроцессоры и сигнальные процессоры; 2) инструмент для обзора системы и обеспечения доступа ко всем ее узлам; позволяет из одного окна проекта просматривать, редактировать, запускать и отлаживать код, работающий на любом целевом блоке; 3) упрощенный программный интерфейс для совместного использования. С помощью общей переменной можно передавать данные между системами, в том числе и системами реального времени, без потери скорости. Для осуществления передачи необходимо лишь сконфигурировать общую переменную с помощью несложных диалоговых окон;

1) Stol kompyuterlari, real vaqt tizimlari, o‘rnatiladigan mikroprotsessorlar va signal protsessorlar kabi qurilmalarni dasturlash uchun yagona grafik platforma; 2) tizimni ko‘rib chiqish va uning barcha uzellaridan foydalanishni ta’minlash vositasi; loyihaning bir oynasidan istalgan maqsadli blokda ishlaydigan kodni ko‘rib chiqish, tahrir qilish, ishga tushirish va sozlash imkonini beradi; 3) birgalikda ishlash uchun soddalashtirilgan dasturiy interfeys. Umumiy o‘zgaruvchi yordamida tizimlar o‘rtasida, shu jumladan, real vaqt tizimlari o‘rtasida, tezlikni yo‘qotmasdan ma’lumotlar uzatish mumkin. Uzatishni amalga oshirish uchun, murakkab bo‘lmagan dialog oynalari yordamida umumiy o‘zgaruvchini joylashtirish zarur.

1) Стол компьютерлари, реал вақт тизимлари, ўрнатиладиган микропроцессорлар ва сигнал процессорлар каби қурилмаларни дастурлаш учун ягона график платформа; 2) тизимни кўриб чиқиш ва унинг барча узелларидан фойдаланишни таъминлаш воситаси; лойиҳанинг бир ойнасидан исталган мақсадли блокда ишлайдиган кодни кўриб чиқиш, таҳрир қилиш, ишга тушириш ва созлаш имконини беради; 3) биргаликда ишлаш учун соддалаштирилган дастурий интерфейс. Умумий ўзгарувчи ёрдамида тизимлар ўртасида, шу жумладан, реал вақт тизимлари ўртасида, тезликни йўқотмасдан маълумотлар узатиш мумкин. Узатишни амалга ошириш учун, мураккаб бўлмаган диалог ойналари ёрдамида умумий ўзгарувчини жойлаштириш зарур.

distributed intelligence

Явление несобственного свечения среды, об-условленное рассеянием на пространственных неоднородностях среды. В случае дисперсных систем − это превращение части падающего на коллоидную систему света во вторичное излучение, распространяющееся в направлениях, отличных от направления распространения первичной световой волны. Рассеяние света частицами размером, значительно меньшим длины волны света, называется релеевским рассеянием. Рассеяние света в растворах и коллоидных системах является основой методов дисперсионного анализа и изучения характера взаимодействия молекул в растворах.

light scattering

Явление несобственного свечения среды, об-условленное рассеянием на пространственных неоднородностях среды. В случае дисперсных систем − это превращение части падающего на коллоидную систему света во вторичное излучение, распространяющееся в направлениях, отличных от направления распространения первичной световой волны. Рассеяние света частицами размером, значительно меньшим длины волны света, называется релеевским рассеянием. Рассеяние света в растворах и коллоидных системах является основой методов дисперсионного анализа и изучения характера взаимодействия молекул в растворах.

Muhitning fazoviy nobirjinsliklaridagi sochilishi bilan bog‘liq bo‘lgan noxususiy yorug‘lanish hodisasi. Dispers tizimlar holatida − bu, kolloid tizimga tushadigan yorug‘lik qismining, birlamchi yorug‘lik to‘lqinining tarqalish yo‘nalishidan farq qiladigan yo‘nalishlarda tarqaladigan ikki-lamchi nurlanishga aylanishidir. Yorug‘lik to‘l-qin uzunligidan ancha kichik bo‘lgan o‘lcham-dagi zarralarning yorug‘lik sochishi Reley sochilishi deb ataladi. Yorug‘likning eritmalarda va kolloid tizimlarda sochilishi, dispersion analiz va eritmalarda molekulalarning o‘zaro ta’siri xarakterini o‘rganish metodlarining asosidir.

Муҳитнинг фазовий нобиржинсликларидаги сочилиши билан боғлиқ бўлган нохусусий ёруғланиш ҳодисаси. Дисперс тизимлар ҳола-тида − бу, коллоид тизимга тушадиган ёруғлик қисмининг, бирламчи ёруғлик тўлқини-нинг тарқалиш йўналишидан фарқ қиладиган йўналишларда тарқаладиган иккиламчи нурланишга айланишидир. Ёруғлик тўлқин узу-лигидан анча кичик бўлган ўлчамдаги зарраларнинг ёруғлик сочиши Рэлей сочилиши деб аталади. Ёруғликнинг эритмаларда ва коллоид тизимларда сочилиши, дисперсион анализ ва эритмаларда молекулаларнинг ўзаро таъсири характерини ўрганиш методларининг асосидир.

light scattering

Явление несобственного свечения среды, об-условленное рассеянием на пространственных неоднородностях среды. В случае дисперсных систем − это превращение части падающего на коллоидную систему света во вторичное излучение, распространяющееся в направлениях, отличных от направления распространения первичной световой волны. Рассеяние света частицами размером, значительно меньшим длины волны света, называется релеевским рассеянием. Рассеяние света в растворах и коллоидных системах является основой методов дисперсионного анализа и изучения характера взаимодействия молекул в растворах.

Muhitning fazoviy nobirjinsliklaridagi sochilishi bilan bog‘liq bo‘lgan noxususiy yorug‘lanish hodisasi. Dispers tizimlar holatida − bu, kolloid tizimga tushadigan yorug‘lik qismining, birlamchi yorug‘lik to‘lqinining tarqalish yo‘nalishidan farq qiladigan yo‘nalishlarda tarqaladigan ikki-lamchi nurlanishga aylanishidir. Yorug‘lik to‘l-qin uzunligidan ancha kichik bo‘lgan o‘lcham-dagi zarralarning yorug‘lik sochishi Reley sochilishi deb ataladi. Yorug‘likning eritmalarda va kolloid tizimlarda sochilishi, dispersion analiz va eritmalarda molekulalarning o‘zaro ta’siri xarakterini o‘rganish metodlarining asosidir.

Муҳитнинг фазовий нобиржинсликларидаги сочилиши билан боғлиқ бўлган нохусусий ёруғланиш ҳодисаси. Дисперс тизимлар ҳола-тида − бу, коллоид тизимга тушадиган ёруғлик қисмининг, бирламчи ёруғлик тўлқини-нинг тарқалиш йўналишидан фарқ қиладиган йўналишларда тарқаладиган иккиламчи нурланишга айланишидир. Ёруғлик тўлқин узу-лигидан анча кичик бўлган ўлчамдаги зарраларнинг ёруғлик сочиши Рэлей сочилиши деб аталади. Ёруғликнинг эритмаларда ва коллоид тизимларда сочилиши, дисперсион анализ ва эритмаларда молекулаларнинг ўзаро таъсири характерини ўрганиш методларининг асосидир.

light scattering

Процесс перехода стекла (некристаллическое или стекловидное твердое вещество) в кристаллическое твердое вещество. Для полимеров − переход из стеклообразного состояния в высокоэластическое.

devitrification

Процесс перехода стекла (некристаллическое или стекловидное твердое вещество) в кристаллическое твердое вещество. Для полимеров − переход из стеклообразного состояния в высокоэластическое.

Shisha (nokristall yoki shishasimon qattiq modda)ning kristall qattiq moddaga o‘tish jarayoni. Polimerlar uchun − shishasimon holatdan yuqori elastik holatga o‘tish.

Шиша (нокристалл ёки шишасимон қаттиқ модда)нинг кристалл қаттиқ моддага ўтиш жараёни. Полимерлар учун − шишасимон ҳолатдан юқори эластик ҳолатга ўтиш.

devitrification

Процесс перехода стекла (некристаллическое или стекловидное твердое вещество) в кристаллическое твердое вещество. Для полимеров − переход из стеклообразного состояния в высокоэластическое.

Shisha (nokristall yoki shishasimon qattiq modda)ning kristall qattiq moddaga o‘tish jarayoni. Polimerlar uchun − shishasimon holatdan yuqori elastik holatga o‘tish.

Шиша (нокристалл ёки шишасимон қаттиқ модда)нинг кристалл қаттиқ моддага ўтиш жараёни. Полимерлар учун − шишасимон ҳолатдан юқори эластик ҳолатга ўтиш.

devitrification

Принцип, в соответствии с которым сенсор воспринимает необходимую информацию от материала. В целом, определяет способность сигнала сенсора обеспечить информацию о свойствах материала или его состоянии.

transduction mode (direct or indirect)

Принцип, в соответствии с которым сенсор воспринимает необходимую информацию от материала. В целом, определяет способность сигнала сенсора обеспечить информацию о свойствах материала или его состоянии.

Sensor materialdan zarur axborotni qabul qilishi ta’kidlanadigan prinsip. Umuman, sensor signali materialning xossalari yoki uning holati to‘g‘ri-sidagi axborotni ta’minlay olish qobiliyatini bel-gilaydi.

Сенсор материалдан зарур ахборотни қабул қилиши таъкидланадиган принцип. Умуман, сенсор сигнали материалнинг хоссалари ёки унинг ҳолати тўғрисидаги ахборотни таъмин-лай олиш қобилиятини белгилайди.

transduction mode (direct or indirect)

Принцип, в соответствии с которым сенсор воспринимает необходимую информацию от материала. В целом, определяет способность сигнала сенсора обеспечить информацию о свойствах материала или его состоянии.

Sensor materialdan zarur axborotni qabul qilishi ta’kidlanadigan prinsip. Umuman, sensor signali materialning xossalari yoki uning holati to‘g‘ri-sidagi axborotni ta’minlay olish qobiliyatini bel-gilaydi.

Сенсор материалдан зарур ахборотни қабул қилиши таъкидланадиган принцип. Умуман, сенсор сигнали материалнинг хоссалари ёки унинг ҳолати тўғрисидаги ахборотни таъмин-лай олиш қобилиятини белгилайди.

transduction mode (direct or indirect)

Вспомогательный слой из чувствительного к облучению материала.

Примечание – Различают следующие виды резистов: фоторезист (для оптического излучения), электронный резист (для электронного облучения), ионный резист (для ионного облучения) и рентгеновский резист (для рентгеновского облучения).

resistive layer (resist)

Вспомогательный слой из чувствительного к облучению материала.

Примечание – Различают следующие виды резистов: фоторезист (для оптического излучения), электронный резист (для электронного облучения), ионный резист (для ионного облучения) и рентгеновский резист (для рентгеновского облучения).

Nurlanishga sezgir bo‘lgan materialdan qilingan yordamchi qatlam.

Izoh − Rezistlarning quyidagi turlari ajratiladi: fotorezist (optik nurlanish uchun), elektron rezist (elektron nurlanish uchun), ion rezist (ion nurlanish uchun) va rentgen rezist (rentgen nurlanish uchun).

Нурланишга сезгир бўлган материалдан қилинган ёрдамчи қатлам.

Изоҳ − Резистларнинг қуйидаги турлари ажратилади: фоторезист (оптик нурланиш учун), электрон резист (электрон нурланиш учун), ион резист (ион нурланиш учун) ва рентген резист (рентген нурланиш учун).

resistive layer (resist)

Вспомогательный слой из чувствительного к облучению материала.

Примечание – Различают следующие виды резистов: фоторезист (для оптического излучения), электронный резист (для электронного облучения), ионный резист (для ионного облучения) и рентгеновский резист (для рентгеновского облучения).

Nurlanishga sezgir bo‘lgan materialdan qilingan yordamchi qatlam.

Izoh − Rezistlarning quyidagi turlari ajratiladi: fotorezist (optik nurlanish uchun), elektron rezist (elektron nurlanish uchun), ion rezist (ion nurlanish uchun) va rentgen rezist (rentgen nurlanish uchun).

Нурланишга сезгир бўлган материалдан қилинган ёрдамчи қатлам.

Изоҳ − Резистларнинг қуйидаги турлари ажратилади: фоторезист (оптик нурланиш учун), электрон резист (электрон нурланиш учун), ион резист (ион нурланиш учун) ва рентген резист (рентген нурланиш учун).

resistive layer (resist)

Порошковая или ионная микро- или нанодобавка на основе пластичных металлов к топливносмазочным материалам, технологическим и другим средам, реализующая эффект избирательного переноса при трении (эффект безызносности).

emetallizant

Порошковая или ионная микро- или нанодобавка на основе пластичных металлов к топливносмазочным материалам, технологическим и другим средам, реализующая эффект избирательного переноса при трении (эффект безызносности).

Plastik metallar asosidagi yoqilg‘i-moylash materiallariga, texnologik va boshqa muhitlarga qo‘shiladigan, ishqalanishda tanlangan ko‘chirish effektini (yeyilmaslik effekti) ko‘rsatadigan, kukun yoki ion mikro yoki nanoqo‘shimcha.

Пластик металлар асосидаги ёқилғи-мойлаш материалларига, технологик ва бошқа муҳитларга қўшиладиган, ишқаланишда танланган кўчириш эффектини (ейилмаслик эффекти) кўрсатадиган, кукун ёки ион микро ёки наноқўшимча.

emetallizant

Порошковая или ионная микро- или нанодобавка на основе пластичных металлов к топливносмазочным материалам, технологическим и другим средам, реализующая эффект избирательного переноса при трении (эффект безызносности).

Plastik metallar asosidagi yoqilg‘i-moylash materiallariga, texnologik va boshqa muhitlarga qo‘shiladigan, ishqalanishda tanlangan ko‘chirish effektini (yeyilmaslik effekti) ko‘rsatadigan, kukun yoki ion mikro yoki nanoqo‘shimcha.

Пластик металлар асосидаги ёқилғи-мойлаш материалларига, технологик ва бошқа муҳитларга қўшиладиган, ишқаланишда танланган кўчириш эффектини (ейилмаслик эффекти) кўрсатадиган, кукун ёки ион микро ёки наноқўшимча.

emetallizant

Разновидность оптической бесконтактной печати, в которой длина волны экспонирующего облучения лежит в диапазоне от 0,4 до 5 nm. Несмотря на то, что при рентгеновской литографии используется бесконтактная экспонирующая система, проявление дифракционных эффектов уменьшено за счет малой длины волны рентгеновского излучения. Основная причина разработки метода рентгеновской литографии заключалась в возможности получения высокого разрешения и, в то же время, высокой производительности оборудования. Кроме того, за счет малой вели-чины энергии мягкого рентгеновского излучения уменьшается проявление эффектов рассеяния в резистах и подложке.

X-ray lithography

Разновидность оптической бесконтактной печати, в которой длина волны экспонирующего облучения лежит в диапазоне от 0,4 до 5 nm. Несмотря на то, что при рентгеновской литографии используется бесконтактная экспонирующая система, проявление дифракционных эффектов уменьшено за счет малой длины волны рентгеновского излучения. Основная причина разработки метода рентгеновской литографии заключалась в возможности получения высокого разрешения и, в то же время, высокой производительности оборудования. Кроме того, за счет малой вели-чины энергии мягкого рентгеновского излучения уменьшается проявление эффектов рассеяния в резистах и подложке.

Ekspozitsiyalaydigan nurlanish to‘lqin uzunligi 0,4 nm dan 5 nm gacha diapazonda yotadigan optik kontaktsiz bosmaning bir turi. Rentgen litografiyasida kontaktsiz ekspozitsiyalaydigan tizimdan foydalanilishiga qaramay, difraksion effektlarning namoyon bo‘lishi rentgen nurlanish to‘lqin uzunligi kichikligi hisobiga kamaytirilgan. Rentgen litografiyasi metodini ishlab chiqishning asosiy sababi, yuqori ajrata olishga, shu vaqtning o‘zida uskunaning yuqori unumdorligiga erishishdan iborat edi. Bundan tashqari, yumshoq rentgen nurlanish energiyasi kattaligi kichik bo‘lishi hisobiga, rezistlarda va to‘shamalarda sochilish effektlarining namoyon bo‘lishi kamayadi.

Экспозициялайдиган нурланиш тўлқин узун-лиги 0,4 nm дан 5 nm гача диапазонда ётадиган оптик контактсиз босманинг бир тури. Рентген литографиясида контактсиз экспози-циялайдиган тизимдан фойдаланилишига қа-рамай, дифракцион эффектларнинг намоён бўлиши рентген нурланиш тўлқин узунлиги кичиклиги ҳисобига камайтирилган. Рентген литографияси методини ишлаб чиқишнинг асосий сабаби, юқори ажрата олишга, шу вақтнинг ўзида ускунанинг юқори унумдорлигига эришишдан иборат эди. Бундан таш-қари, юмшоқ рентген нурланиш энергияси катталиги кичик бўлиши ҳисобига, резистларда ва тўшамаларда сочилиш эффектларининг намоён бўлиши камаяди.

X-ray lithography

Разновидность оптической бесконтактной печати, в которой длина волны экспонирующего облучения лежит в диапазоне от 0,4 до 5 nm. Несмотря на то, что при рентгеновской литографии используется бесконтактная экспонирующая система, проявление дифракционных эффектов уменьшено за счет малой длины волны рентгеновского излучения. Основная причина разработки метода рентгеновской литографии заключалась в возможности получения высокого разрешения и, в то же время, высокой производительности оборудования. Кроме того, за счет малой вели-чины энергии мягкого рентгеновского излучения уменьшается проявление эффектов рассеяния в резистах и подложке.

Ekspozitsiyalaydigan nurlanish to‘lqin uzunligi 0,4 nm dan 5 nm gacha diapazonda yotadigan optik kontaktsiz bosmaning bir turi. Rentgen litografiyasida kontaktsiz ekspozitsiyalaydigan tizimdan foydalanilishiga qaramay, difraksion effektlarning namoyon bo‘lishi rentgen nurlanish to‘lqin uzunligi kichikligi hisobiga kamaytirilgan. Rentgen litografiyasi metodini ishlab chiqishning asosiy sababi, yuqori ajrata olishga, shu vaqtning o‘zida uskunaning yuqori unumdorligiga erishishdan iborat edi. Bundan tashqari, yumshoq rentgen nurlanish energiyasi kattaligi kichik bo‘lishi hisobiga, rezistlarda va to‘shamalarda sochilish effektlarining namoyon bo‘lishi kamayadi.

Экспозициялайдиган нурланиш тўлқин узун-лиги 0,4 nm дан 5 nm гача диапазонда ётадиган оптик контактсиз босманинг бир тури. Рентген литографиясида контактсиз экспози-циялайдиган тизимдан фойдаланилишига қа-рамай, дифракцион эффектларнинг намоён бўлиши рентген нурланиш тўлқин узунлиги кичиклиги ҳисобига камайтирилган. Рентген литографияси методини ишлаб чиқишнинг асосий сабаби, юқори ажрата олишга, шу вақтнинг ўзида ускунанинг юқори унумдорлигига эришишдан иборат эди. Бундан таш-қари, юмшоқ рентген нурланиш энергияси катталиги кичик бўлиши ҳисобига, резистларда ва тўшамаларда сочилиш эффектларининг намоён бўлиши камаяди.

X-ray lithography

Метод анализа поверхности, основанный на регистрации энергетических спектров электронов, возникающих вследствие внешнего фотоэффекта при облучении исследуемого объекта электромагнитным излучением рентгеновского диапазона спектра.

x-ray photoelectronic spectroscopy