Системы, состоящие из наноразмерных интегрированных электромеханических устройств, т.е. машин, датчиков, компьютеров и электроники наномасштаба. Можно выделить две основных тенденции в создании наноэлектромеханических систем: уменьшение размера существующих микроэлектромеха-нических систем и разработка принципиально новых молекулярных двигателей и молекулярных электромеханических устройств. Примерами наноэлектромеханических систем являются миниатюрные двигатели, сенсоры, генераторы, автомобили и др.

Nanoo‘lchamli integratsiyalangan elektromexanik qurilmalardan, ya’ni nanoko‘lamdagi mashinalar, datchiklar, kompyuterlar, elektronikadan tarkib topgan tizimlar. Nanoelektromexanik tizimlarni yaratishda ikkita asosiy tendensiyani ajratib ko‘rsatish mumkin: mavjud mikroelek-tromexanik tizimlar o‘lchamini kichraytirish va tubdan yangi molekulyar dvigatellar, molekulyar elektromexanik qurilmalar ishlab chiqish. Ixcham dvigatellar, sensorlar, generatorlar avtomobillar va boshqalar nanoelektromexanik tizimlarga misol bo‘ladi.

Наноўлчамли интеграцияланган электромеханик қурилмалардан, яъни нанокўламдаги машиналар, датчиклар, компьютерлар, электроникадан таркиб топган тизимлар. Нано-электромеханик тизимларни яратишда иккита асосий тенденцияни ажратиб кўрсатиш мумкин: мавжуд микроэлектромеханик ти-зимлар ўлчамини кичрайтириш ва тубдан янги молекуляр двигателлар, молекуляр электромеханик қурилмалар ишлаб чиқиш. Ихчам двигателлар, сенсорлар, генераторлар, автомобиллар ва бошқалар наноэлектроме-ханик тизимларга мисол бўлади.

nanoelectromechanical systems

Системы, состоящие из наноразмерных интегрированных электромеханических устройств, т.е. машин, датчиков, компьютеров и электроники наномасштаба. Можно выделить две основных тенденции в создании наноэлектромеханических систем: уменьшение размера существующих микроэлектромеха-нических систем и разработка принципиально новых молекулярных двигателей и молекулярных электромеханических устройств. Примерами наноэлектромеханических систем являются миниатюрные двигатели, сенсоры, генераторы, автомобили и др.

Nanoo‘lchamli integratsiyalangan elektromexanik qurilmalardan, ya’ni nanoko‘lamdagi mashinalar, datchiklar, kompyuterlar, elektronikadan tarkib topgan tizimlar. Nanoelektromexanik tizimlarni yaratishda ikkita asosiy tendensiyani ajratib ko‘rsatish mumkin: mavjud mikroelek-tromexanik tizimlar o‘lchamini kichraytirish va tubdan yangi molekulyar dvigatellar, molekulyar elektromexanik qurilmalar ishlab chiqish. Ixcham dvigatellar, sensorlar, generatorlar avtomobillar va boshqalar nanoelektromexanik tizimlarga misol bo‘ladi.

Наноўлчамли интеграцияланган электромеханик қурилмалардан, яъни нанокўламдаги машиналар, датчиклар, компьютерлар, электроникадан таркиб топган тизимлар. Нано-электромеханик тизимларни яратишда иккита асосий тенденцияни ажратиб кўрсатиш мумкин: мавжуд микроэлектромеханик ти-зимлар ўлчамини кичрайтириш ва тубдан янги молекуляр двигателлар, молекуляр электромеханик қурилмалар ишлаб чиқиш. Ихчам двигателлар, сенсорлар, генераторлар, автомобиллар ва бошқалар наноэлектроме-ханик тизимларга мисол бўлади.

nanoelectromechanical systems

Область электроники, занимающаяся разра-боткой физических и технологических основ создания интегральных электронных схем с характерными топологическими размерами элементов менее 100 nm. Основные задачи наноэлектроники: разработка физических основ работы активных приборов с наномет-ровыми размерами, в первую очередь кван-товых; разработка физических основ техно-логических процессов; разработка самих при-боров и технологий их изготовления; разра-ботка интегральных схем с нанометровыми технологическими размерами и изделий элек-троники на основе наноэлектронной элемент-ной базы.

nanoelectronics

Область электроники, занимающаяся разра-боткой физических и технологических основ создания интегральных электронных схем с характерными топологическими размерами элементов менее 100 nm. Основные задачи наноэлектроники: разработка физических основ работы активных приборов с наномет-ровыми размерами, в первую очередь кван-товых; разработка физических основ техно-логических процессов; разработка самих при-боров и технологий их изготовления; разра-ботка интегральных схем с нанометровыми технологическими размерами и изделий элек-троники на основе наноэлектронной элемент-ной базы.

Elektronikaning, elementlarining topologik o‘lchamlari 100 nm dan kichik bo‘lgan integral elektron sxemalar yaratishning fizik va texno-logik asoslarini ishlab chiqish bilan shug‘ulla-nadigan sohasi. Nanoelektronikaning asosiy vazifalari: nanometr o‘lchamlardagi aktiv asboblar-ning, birinchi navbatda kvant asboblar ishlashi-ning fizik asoslarini ishlab chiqish; texnologik jarayonlarning fizik asoslarini ishlab chiqish; asboblarning o‘zini va ularni tayyorlash texnolo-giyalarini ishlab chiqish; nanometr texnologik o‘lchamlarga ega integral sxemalar va nanoelek-tron element baza asosida elektronika buyumlari ishlab chiqish.

Электрониканинг, элементларининг топологик ўлчамлари 100 nm дан кичик бўлган интеграл электрон схемалар яратишнинг физик ва технологик асосларини ишлаб чиқиш билан шуғулланадиган соҳаси. Наноэлектро-никанинг асосий вазифалари: нанометр ўлчамлардаги актив асбобларнинг, биринчи навбатда квант асбоблар ишлашининг физик асосларини ишлаб чиқиш; технологик жара-ёнларнинг физик асосларини ишлаб чиқиш; асбобларининг ўзини ва уларни тайёрлаш технологияларини ишлаб чиқиш; нанометр технологик ўлчамларга эга интеграл схемалар ва наноэлектрон элемент база асосида электроника буюмлари ишлаб чиқиш.

nanoelectronics

Область электроники, занимающаяся разра-боткой физических и технологических основ создания интегральных электронных схем с характерными топологическими размерами элементов менее 100 nm. Основные задачи наноэлектроники: разработка физических основ работы активных приборов с наномет-ровыми размерами, в первую очередь кван-товых; разработка физических основ техно-логических процессов; разработка самих при-боров и технологий их изготовления; разра-ботка интегральных схем с нанометровыми технологическими размерами и изделий элек-троники на основе наноэлектронной элемент-ной базы.

Elektronikaning, elementlarining topologik o‘lchamlari 100 nm dan kichik bo‘lgan integral elektron sxemalar yaratishning fizik va texno-logik asoslarini ishlab chiqish bilan shug‘ulla-nadigan sohasi. Nanoelektronikaning asosiy vazifalari: nanometr o‘lchamlardagi aktiv asboblar-ning, birinchi navbatda kvant asboblar ishlashi-ning fizik asoslarini ishlab chiqish; texnologik jarayonlarning fizik asoslarini ishlab chiqish; asboblarning o‘zini va ularni tayyorlash texnolo-giyalarini ishlab chiqish; nanometr texnologik o‘lchamlarga ega integral sxemalar va nanoelek-tron element baza asosida elektronika buyumlari ishlab chiqish.

Электрониканинг, элементларининг топологик ўлчамлари 100 nm дан кичик бўлган интеграл электрон схемалар яратишнинг физик ва технологик асосларини ишлаб чиқиш билан шуғулланадиган соҳаси. Наноэлектро-никанинг асосий вазифалари: нанометр ўлчамлардаги актив асбобларнинг, биринчи навбатда квант асбоблар ишлашининг физик асосларини ишлаб чиқиш; технологик жара-ёнларнинг физик асосларини ишлаб чиқиш; асбобларининг ўзини ва уларни тайёрлаш технологияларини ишлаб чиқиш; нанометр технологик ўлчамларга эга интеграл схемалар ва наноэлектрон элемент база асосида электроника буюмлари ишлаб чиқиш.

nanoelectronics

Количество энергии (теплоты), необходимое для нагрева одного грамм-атома наноструктуры от температуры абсолютного нуля (273 ^°С) до полного испарения (возгонки) при температуре кипения.

nanoenergy

Количество энергии (теплоты), необходимое для нагрева одного грамм-атома наноструктуры от температуры абсолютного нуля (273 ^°С) до полного испарения (возгонки) при температуре кипения.

Qaynash temperaturasida bir gramm-atom nano-strukturani absolyut nol (273 ^°С) temperaturadan to‘la bug‘lanib ketgungacha qizdirish uchun zarur bo‘lgan energiya (issiqlik) miqdori.

Қайнаш температурасида бир грамм-атом наноструктурани абсолют ноль (273 ^°С) температурадан тўла буғланиб кетгунгача қиздириш учун зарур бўлган энергия (иссиқлик) миқдори.

nanoenergy

Количество энергии (теплоты), необходимое для нагрева одного грамм-атома наноструктуры от температуры абсолютного нуля (273 ^°С) до полного испарения (возгонки) при температуре кипения.

Qaynash temperaturasida bir gramm-atom nano-strukturani absolyut nol (273 ^°С) temperaturadan to‘la bug‘lanib ketgungacha qizdirish uchun zarur bo‘lgan energiya (issiqlik) miqdori.

Қайнаш температурасида бир грамм-атом наноструктурани абсолют ноль (273 ^°С) температурадан тўла буғланиб кетгунгача қиздириш учун зарур бўлган энергия (иссиқлик) миқдори.

nanoenergy

Система знаний о свойствах материи в нанодиапазоне, в которой проявляются размерные и структурные зависимости свойств и явлений, отличные от тех, которые наблюдаются у отдельных атомов, молекул или объемных материалов.

scientific bases of nanotechnology

Система знаний о свойствах материи в нанодиапазоне, в которой проявляются размерные и структурные зависимости свойств и явлений, отличные от тех, которые наблюдаются у отдельных атомов, молекул или объемных материалов.

Materiyaning nanodiapazondagi xossalari to‘g‘risidagi bilimlar tizimi, unda hodisalar va xossalarning, alohida atomlarda, molekulalarda yoki hajmli materiallarda kuzatiladiganidan farq qila-digan, o‘lchamga oid va strukturaviy bog‘liqlik-lari namoyon bo‘ladi.

Материянинг нанодиапазондаги хоссалари тўғрисидаги билимлар тизими, унда ҳодисалар ва хоссаларнинг, алоҳида атомларда, молекулаларда ёки ҳажмли материалларда кузатиладиганидан фарқ қиладиган, ўлчамга оид ва структуравий боғлиқликлари намоён бўлади.

scientific bases of nanotechnology

Система знаний о свойствах материи в нанодиапазоне, в которой проявляются размерные и структурные зависимости свойств и явлений, отличные от тех, которые наблюдаются у отдельных атомов, молекул или объемных материалов.

Materiyaning nanodiapazondagi xossalari to‘g‘risidagi bilimlar tizimi, unda hodisalar va xossalarning, alohida atomlarda, molekulalarda yoki hajmli materiallarda kuzatiladiganidan farq qila-digan, o‘lchamga oid va strukturaviy bog‘liqlik-lari namoyon bo‘ladi.

Материянинг нанодиапазондаги хоссалари тўғрисидаги билимлар тизими, унда ҳодисалар ва хоссаларнинг, алоҳида атомларда, молекулаларда ёки ҳажмли материалларда кузатиладиганидан фарқ қиладиган, ўлчамга оид ва структуравий боғлиқликлари намоён бўлади.

scientific bases of nanotechnology

Адсорбция, не требующая преодоления активационного барьера как в случае хемосорбции. Физическая адсорбция не сопровождается химическими изменениями молекул. При такой адсорбции молекулы могут образовывать не только мономолекулярный слой на поверхности адсорбента, но и адсорби-роваться многослойно, а также мигрировать по поверхности.

unactivated adsorption

Адсорбция, не требующая преодоления активационного барьера как в случае хемосорбции. Физическая адсорбция не сопровождается химическими изменениями молекул. При такой адсорбции молекулы могут образовывать не только мономолекулярный слой на поверхности адсорбента, но и адсорби-роваться многослойно, а также мигрировать по поверхности.

Xemosorbsiya bilan bo‘lgani kabi, aktivatsion to‘siqdan oshib o‘tilishi talab qilinmaydigan ad-sorbsiya. Fizik adsorbsiyada molekulalarning kimyoviy o‘zgarishlari kuzatilmaydi. Bunday adsorbsiyada molekulalar adsorbent sirtida nafa-qat molekulyar qatlam hosil qiladi, balki ko‘p qatlamli adsorblanishi, shuningdek, sirt bo‘ylab ko‘chishi mumkin.

Хемосорбция билан бўлгани каби, активацион тўсиқдан ошиб ўтилиши талаб қилинмайдиган адсорбция. Физик адсорбцияда молекулаларнинг кимёвий ўзгаришлари кузатилмайди. Бундай адсорбцияда молекулалар адсорбент сиртида нафақат молекуляр қатлам ҳосил қилади, балки кўп қатламли адсорбланиши, шунингдек, сирт бўйлаб кўчиши мумкин.

unactivated adsorption

Адсорбция, не требующая преодоления активационного барьера как в случае хемосорбции. Физическая адсорбция не сопровождается химическими изменениями молекул. При такой адсорбции молекулы могут образовывать не только мономолекулярный слой на поверхности адсорбента, но и адсорби-роваться многослойно, а также мигрировать по поверхности.

Xemosorbsiya bilan bo‘lgani kabi, aktivatsion to‘siqdan oshib o‘tilishi talab qilinmaydigan ad-sorbsiya. Fizik adsorbsiyada molekulalarning kimyoviy o‘zgarishlari kuzatilmaydi. Bunday adsorbsiyada molekulalar adsorbent sirtida nafa-qat molekulyar qatlam hosil qiladi, balki ko‘p qatlamli adsorblanishi, shuningdek, sirt bo‘ylab ko‘chishi mumkin.

Хемосорбция билан бўлгани каби, активацион тўсиқдан ошиб ўтилиши талаб қилинмайдиган адсорбция. Физик адсорбцияда молекулаларнинг кимёвий ўзгаришлари кузатилмайди. Бундай адсорбцияда молекулалар адсорбент сиртида нафақат молекуляр қатлам ҳосил қилади, балки кўп қатламли адсорбланиши, шунингдек, сирт бўйлаб кўчиши мумкин.

unactivated adsorption