1 В газе и низкотемпературной плазме – отношение средней скорости u направленного (в результате действия электрического поля) движения электронов или ионов к напряжённости электрического поля Е: m = u/E.
2 Подвижность ионов в растворах U = Fu, где F – Фарадея число, u – скорость иона в сm/s при напряжённости электрического поля в 1 V/сm. Величина U зависит от природы иона, а также от температуры, диэлектрической проницаемости, вязкости и концентрации раствора.

electron mobility

1 В газе и низкотемпературной плазме – отношение средней скорости u направленного (в результате действия электрического поля) движения электронов или ионов к напряжённости электрического поля Е: m = u/E.
2 Подвижность ионов в растворах U = Fu, где F – Фарадея число, u – скорость иона в сm/s при напряжённости электрического поля в 1 V/сm. Величина U зависит от природы иона, а также от температуры, диэлектрической проницаемости, вязкости и концентрации раствора.

1 Gazda va past temperaturali plazmada – (elektr maydon ta’siri natijasida) elektronlar va ionlar yo‘naltirilagan harakati U o‘rtacha tezligining, Е elektr maydon kuchlanganligiga bo‘lgan nisbati: m = u/E. 2 Eritmalarda ionlar harakatchanligi U = Fu formula bilan belgilanadi, bu yerda F – Faradey doimiysi, u – elektr maydon kuchlan-ganligi 1 V/сm bo‘lganda ionning harakatlanish сm/s dagi tezligi U kattalik ion tabiatiga, shuningdek, eritmaning konsentratsiyasiga, qovushqoqligiga, dielektrik singdiruvchanlikka, temperaturaga bog‘liq.

1 Газда ва паст температурали плазмада – (электр майдон таъсири натижасида) электронлар ва ионлар йўналтирилаган ҳаракати U ўртача тезлигининг, Е электр майдон кучланганлигига бўлган нисбати: m = u/E.
2 Эритмаларда ионлар ҳаракатчанлиги U = Fu формула билан белгиланади, бу ерда F – Фарадей доимийси, u – электр майдон куч-ланганлиги 1 V/сm бўлганда ионнинг ҳаракатланиш сm/s даги тезлиги U катталик ион табиатига, шунингдек, эритманинг концентрациясига, қовушқоқлигига, диэлектрик сингдирувчанликка, температурага боғлиқ.

electron mobility

1 В газе и низкотемпературной плазме – отношение средней скорости u направленного (в результате действия электрического поля) движения электронов или ионов к напряжённости электрического поля Е: m = u/E.
2 Подвижность ионов в растворах U = Fu, где F – Фарадея число, u – скорость иона в сm/s при напряжённости электрического поля в 1 V/сm. Величина U зависит от природы иона, а также от температуры, диэлектрической проницаемости, вязкости и концентрации раствора.

1 Gazda va past temperaturali plazmada – (elektr maydon ta’siri natijasida) elektronlar va ionlar yo‘naltirilagan harakati U o‘rtacha tezligining, Е elektr maydon kuchlanganligiga bo‘lgan nisbati: m = u/E. 2 Eritmalarda ionlar harakatchanligi U = Fu formula bilan belgilanadi, bu yerda F – Faradey doimiysi, u – elektr maydon kuchlan-ganligi 1 V/сm bo‘lganda ionning harakatlanish сm/s dagi tezligi U kattalik ion tabiatiga, shuningdek, eritmaning konsentratsiyasiga, qovushqoqligiga, dielektrik singdiruvchanlikka, temperaturaga bog‘liq.

1 Газда ва паст температурали плазмада – (электр майдон таъсири натижасида) электронлар ва ионлар йўналтирилаган ҳаракати U ўртача тезлигининг, Е электр майдон кучланганлигига бўлган нисбати: m = u/E.
2 Эритмаларда ионлар ҳаракатчанлиги U = Fu формула билан белгиланади, бу ерда F – Фарадей доимийси, u – электр майдон куч-ланганлиги 1 V/сm бўлганда ионнинг ҳаракатланиш сm/s даги тезлиги U катталик ион табиатига, шунингдек, эритманинг концентрациясига, қовушқоқлигига, диэлектрик сингдирувчанликка, температурага боғлиқ.

electron mobility

Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора − созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами канал с электропроводностью n- или р- типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод − затвор, соединённый с его средней частью р-n переходом.

 field effect transistor

Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора − созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами канал с электропроводностью n- или р- типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод − затвор, соединённый с его средней частью р-n переходом.

Kanal orqali oqib o‘tadigan asosiy eltuvchilar toki elektr maydoni orqali boshqariladigan yarimo‘tkazgichli asbob. Bunday tranzistorning asosini yarimo‘tkazgichda hosil qilingan va
n-yoki р-turidagi elektr o‘tkazuvchanlikka ega ikkita chiqish uchlari bilan ta’minlangan kanal tashkil qiladi. Kanalning qarshiligini uchinchi elektrod − uning o‘rta qismi bilan p-n o‘tish orqali birlashtirilgan zatvor boshqaradi.

Канал орқали оқиб ўтадиган асосий элтувчилар токи электр майдони орқали бошқариладиган яримўтказгичли асбоб. Бундай транзисторнинг асосини яримўтказгичда ҳосил қилинган ва n-ёки p-туридаги электр ўтказувчанликка эга иккита чиқиш учлари билан таъминланган канал ташкил қилади. Каналнинг қаршилигини учинчи электрод − унинг ўрта қисми билан р-n ўтиш орқали билан бирлаштирилган затвор бошқаради.

 field effect transistor

Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора − созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами канал с электропроводностью n- или р- типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод − затвор, соединённый с его средней частью р-n переходом.

Kanal orqali oqib o‘tadigan asosiy eltuvchilar toki elektr maydoni orqali boshqariladigan yarimo‘tkazgichli asbob. Bunday tranzistorning asosini yarimo‘tkazgichda hosil qilingan va
n-yoki р-turidagi elektr o‘tkazuvchanlikka ega ikkita chiqish uchlari bilan ta’minlangan kanal tashkil qiladi. Kanalning qarshiligini uchinchi elektrod − uning o‘rta qismi bilan p-n o‘tish orqali birlashtirilgan zatvor boshqaradi.

Канал орқали оқиб ўтадиган асосий элтувчилар токи электр майдони орқали бошқариладиган яримўтказгичли асбоб. Бундай транзисторнинг асосини яримўтказгичда ҳосил қилинган ва n-ёки p-туридаги электр ўтказувчанликка эга иккита чиқиш учлари билан таъминланган канал ташкил қилади. Каналнинг қаршилигини учинчи электрод − унинг ўрта қисми билан р-n ўтиш орқали билан бирлаштирилган затвор бошқаради.

 field effect transistor

Коллоидная дисперсия, в которой дисперсная фаза (частицы, капли) имеет широкое распределение по размерам.

polydisperse system

Коллоидная дисперсия, в которой дисперсная фаза (частицы, капли) имеет широкое распределение по размерам.

Dispers faza (zarralar, tomchilar) o‘lchamlari bo‘yicha keng taqsimlangan kolloid dispersiya.

Дисперс фаза (зарралар, томчилар) ўлчам-лари бўйича кенг тақсимланган коллоид дисперсия.

polydisperse system

Коллоидная дисперсия, в которой дисперсная фаза (частицы, капли) имеет широкое распределение по размерам.

Dispers faza (zarralar, tomchilar) o‘lchamlari bo‘yicha keng taqsimlangan kolloid dispersiya.

Дисперс фаза (зарралар, томчилар) ўлчам-лари бўйича кенг тақсимланган коллоид дисперсия.

polydisperse system

Коллоидная дисперсия, в которой дисперсная фаза (частицы, капли) имеет широкое распределение по размерам.

polydisperse system

Коллоидная дисперсия, в которой дисперсная фаза (частицы, капли) имеет широкое распределение по размерам.

Dispers faza (zarralar, tomchilar) o‘lchamlari bo‘yicha keng taqsimlangan kolloid dispersiya.

Дисперс фаза (зарралар, томчилар) ўлчамлари бўйича кенг тақсимланган коллоид дисперсия.

polydisperse system

Коллоидная дисперсия, в которой дисперсная фаза (частицы, капли) имеет широкое распределение по размерам.

Dispers faza (zarralar, tomchilar) o‘lchamlari bo‘yicha keng taqsimlangan kolloid dispersiya.

Дисперс фаза (зарралар, томчилар) ўлчамлари бўйича кенг тақсимланган коллоид дисперсия.

polydisperse system

Монослой полимерных цепей, связанных с некоторой непроницаемой поверхностью концевыми группами. Щетки могут быть образованы как «химическим» путем (регулярно разветвленные полимеры), так и путем самоорганизации, например, диблоксополи-меров (полимерные мицеллы, монослои, суперкристаллические структуры).

polymer brushes

Монослой полимерных цепей, связанных с некоторой непроницаемой поверхностью концевыми группами. Щетки могут быть образованы как «химическим» путем (регулярно разветвленные полимеры), так и путем самоорганизации, например, диблоксополи-меров (полимерные мицеллы, монослои, суперкристаллические структуры).

Chekka guruhlar orqali qandaydir o‘tkazmaydi-gan sirt bilan bog‘langan polimer zanjirlar monoqatlami. Cho‘tkalar ham «kimyoviy» yo‘l bilan (muntazam tarmoqlanadigan polimerlar), ham o‘zini o‘zi, masalan, dibloksopolimerlarni, tashkil qilish yo‘li bilan (polimer mitsellalar, monoqatlamlar, superkristall strukturalar) hosil qilinishi mumkin.

Чекка гуруҳлар орқали қандайдир ўтказмайдиган сирт билан боғланган полимер занжирлар моноқатлами. Чўткалар ҳам «кимёвий» йўл билан (мунтазам тармоқланадиган поли-мерлар), ҳам ўзини ўзи, масалан, диблоксополи-мерларни ташкил қилиш йўли билан (полимер мицеллалар, моноқатламлар, суперкристалл структуралар), ҳосил қилиниши мумкин.

polymer brushes

Монослой полимерных цепей, связанных с некоторой непроницаемой поверхностью концевыми группами. Щетки могут быть образованы как «химическим» путем (регулярно разветвленные полимеры), так и путем самоорганизации, например, диблоксополи-меров (полимерные мицеллы, монослои, суперкристаллические структуры).

Chekka guruhlar orqali qandaydir o‘tkazmaydi-gan sirt bilan bog‘langan polimer zanjirlar monoqatlami. Cho‘tkalar ham «kimyoviy» yo‘l bilan (muntazam tarmoqlanadigan polimerlar), ham o‘zini o‘zi, masalan, dibloksopolimerlarni, tashkil qilish yo‘li bilan (polimer mitsellalar, monoqatlamlar, superkristall strukturalar) hosil qilinishi mumkin.

Чекка гуруҳлар орқали қандайдир ўтказмайдиган сирт билан боғланган полимер занжирлар моноқатлами. Чўткалар ҳам «кимёвий» йўл билан (мунтазам тармоқланадиган поли-мерлар), ҳам ўзини ўзи, масалан, диблоксополи-мерларни ташкил қилиш йўли билан (полимер мицеллалар, моноқатламлар, суперкристалл структуралар), ҳосил қилиниши мумкин.

polymer brushes

Новый класс материалов, получаемых методом молекулярного импринтинга. Сущность метода получения полимеров с молекулярными отпечатками заключается в образовании межмолекулярного комплекса между функциональными группами мономеров (олигомеров, полимеров) и шаблонным соединением, закреплен полученной структуры путем образования трехмерной структуры полимера за счет межмолекулярных сшивок и удалении шаблонного соединения. Образованные молекулярные отпечатки по форме, размеру, расстоянию между зарядами идентичны (комплементарны) молекуле шаблонного соединения и способны повторно связывать (узнавать) эту молекулу среди множества других.

molecularly imprinted polymers

Новый класс материалов, получаемых методом молекулярного импринтинга. Сущность метода получения полимеров с молекулярными отпечатками заключается в образовании межмолекулярного комплекса между функциональными группами мономеров (олигомеров, полимеров) и шаблонным соединением, закреплен полученной структуры путем образования трехмерной структуры полимера за счет межмолекулярных сшивок и удалении шаблонного соединения. Образованные молекулярные отпечатки по форме, размеру, расстоянию между зарядами идентичны (комплементарны) молекуле шаблонного соединения и способны повторно связывать (узнавать) эту молекулу среди множества других.

Molekulyar imprinting usuli bilan olinadigan materiallarning yangi turkumi. Molekulyar izlar bo‘lgan polimerlarni olish usulining mohiyati, shablon birikma va monomerlar (oligomerlar, polimerlar) ning funksional guruhlari o‘rtasida molekulalararo kompleksni hosil qilishda, shablon birikmani chiqarib tashlash va molekulyar choklar hisobiga polimerning uch o‘lchamli strukturasini hosil qilish yo‘li bilan olingan strukturani mustahkamlashdan iborat. Hosil bo‘lgan molekulyar izlar shakli, o‘lchami, zaryadlar o‘rtasidagi masofa bo‘yicha shablon birikma molekulasiga o‘xshash (komplementar) va molekulani ko‘plab boshqa molekulalar ichida takroran bog‘lash (tanish)ga qodir.

Молекуляр импpинтинг усули билан олинадиган материалларнинг янги туркуми. Молекуляр излар бўлган полимерларни олиш усулининг моҳияти, шаблон бирикма ва моно-мерлар (олигомерлар, полимерлар) нинг функционал гуруҳлари ўртасида молекула-лараро комплексни ҳосил қилишда, шаблон бирикмани чиқариб ташлаш ва молекуляр чоклар ҳисобига полимернинг уч ўлчамли структурасини ҳосил қилиш йўли билан олинган структурани мустаҳкамлашдан иборат. Ҳосил бўлган молекуляр излар шакли, ўлчами, зарядлар ўртасидаги масофа бўйича шаблон бирикма молекуласига ўхшаш (комплементар) ва молекулани кўплаб бошқа молекулалар ичида такроран боғлаш (таниш)га қодир.

molecularly imprinted polymers

Новый класс материалов, получаемых методом молекулярного импринтинга. Сущность метода получения полимеров с молекулярными отпечатками заключается в образовании межмолекулярного комплекса между функциональными группами мономеров (олигомеров, полимеров) и шаблонным соединением, закреплен полученной структуры путем образования трехмерной структуры полимера за счет межмолекулярных сшивок и удалении шаблонного соединения. Образованные молекулярные отпечатки по форме, размеру, расстоянию между зарядами идентичны (комплементарны) молекуле шаблонного соединения и способны повторно связывать (узнавать) эту молекулу среди множества других.

Molekulyar imprinting usuli bilan olinadigan materiallarning yangi turkumi. Molekulyar izlar bo‘lgan polimerlarni olish usulining mohiyati, shablon birikma va monomerlar (oligomerlar, polimerlar) ning funksional guruhlari o‘rtasida molekulalararo kompleksni hosil qilishda, shablon birikmani chiqarib tashlash va molekulyar choklar hisobiga polimerning uch o‘lchamli strukturasini hosil qilish yo‘li bilan olingan strukturani mustahkamlashdan iborat. Hosil bo‘lgan molekulyar izlar shakli, o‘lchami, zaryadlar o‘rtasidagi masofa bo‘yicha shablon birikma molekulasiga o‘xshash (komplementar) va molekulani ko‘plab boshqa molekulalar ichida takroran bog‘lash (tanish)ga qodir.

Молекуляр импpинтинг усули билан олинадиган материалларнинг янги туркуми. Молекуляр излар бўлган полимерларни олиш усулининг моҳияти, шаблон бирикма ва моно-мерлар (олигомерлар, полимерлар) нинг функционал гуруҳлари ўртасида молекула-лараро комплексни ҳосил қилишда, шаблон бирикмани чиқариб ташлаш ва молекуляр чоклар ҳисобига полимернинг уч ўлчамли структурасини ҳосил қилиш йўли билан олинган структурани мустаҳкамлашдан иборат. Ҳосил бўлган молекуляр излар шакли, ўлчами, зарядлар ўртасидаги масофа бўйича шаблон бирикма молекуласига ўхшаш (комплементар) ва молекулани кўплаб бошқа молекулалар ичида такроран боғлаш (таниш)га қодир.

molecularly imprinted polymers

Способность некоторых минералов и иных кристаллических веществ существовать при одном и том же химическом составе в состояниях с различной атомной кристаллической структурой. Каждое из таких состояний (термодинамических фаз), называется полиморфной модификацией, устойчивой при определённых внешних условиях (температуре и давлении). Полиморфизм характерен для различных классов веществ.

 polymorphism

Способность некоторых минералов и иных кристаллических веществ существовать при одном и том же химическом составе в состояниях с различной атомной кристаллической структурой. Каждое из таких состояний (термодинамических фаз), называется полиморфной модификацией, устойчивой при определённых внешних условиях (температуре и давлении). Полиморфизм характерен для различных классов веществ.

Ba’zi minerallar va boshqa kristall moddalarning ayni bir kimyoviy tarkibda turli atom kristall strukturali holatlarda bo‘la olish qobiliyati. Bunday holatlardan (termodinamik fazalardan) har biri muayyan tashqi sharoitlarda (tempera-turada, bosimda) barqaror polimorf modifikasiya deyiladi. Polimorfizm moddalarning turli sinfi uchun xos bo‘ladi.

Баъзи минераллар ва бошқа кристалл моддаларнинг айни бир кимёвий таркибда турли атом кристалл структурали ҳолатларда бўла олиш қобилияти. Бундай ҳолатлардан (термо-динамик фазалардан) ҳар бири муайян ташқи шароитларда (температурада, босимда) барқарор полиморф модификация дейилади. Полиморфизм моддаларнинг турли синфи учун хос бўлади.

 polymorphism