Термин относится к стереохимической кон-фигурации молекул и характеризует относи-тельное пространственное расположение атомов или групп атомов в молекуле химического соединения. Термин многозначен и смысл его зависит от конкретного понимания или определения пространственного порядка атомов.

Atama molekulalarning stereokimyoviy konfiguratsiyasiga taalluqli bo‘lib, kimyoviy birikma molekulasida atomlar yoki atomlar guruhlarining nisbiy fazoviy joylashishini tavsiflaydi. Termin ko‘p ma’noli, uning mazmuni atomlar fazoviy tartibini aniq tushunish va belgilashga bog‘liq.

Атама молекулаларнинг стереокимёвий конфигурациясига тааллуқли бўлиб, кимёвий бирикма молекуласида атомлар ёки атомлар гуруҳларининг нисбий фазовий жойлашишини тавсифлайди. Термин кўп маъноли, унинг мазмуни атомлар фазовий тартибини аниқ тушуниш ва белгилашга боғлиқ.

steric

Наука, основным предметом изучения которой являются белки и их взаимодействия в живых организмах, в том числе, в человеческом. Учёные, работающие в области протеомики, исследуют «производство» белков, их модификацию, денатурацию и замену белков внутри тела. В настоящее время имеются полные базы данных о структуре всех белков человека, а также их протеолитических фрагментов, полученных в стандартных условиях.

proteomics

Наука, основным предметом изучения которой являются белки и их взаимодействия в живых организмах, в том числе, в человеческом. Учёные, работающие в области протеомики, исследуют «производство» белков, их модификацию, денатурацию и замену белков внутри тела. В настоящее время имеются полные базы данных о структуре всех белков человека, а также их протеолитических фрагментов, полученных в стандартных условиях.

Asosiy o‘rganish predmeti oqsillar va ularning tirik organizmlardagi, shu jumladan, odam organizmidagi o‘zaro ta’siri hisoblanadigan fan. Pro-teomika sohasida ishlaydigan olimlar oqsillarning «ishlab chiqarilishini», turlanishini, denaturatlanishini va tana ichida almashinishini o‘rganadilar. Hozirgi vaqtda odam barcha oqsillarining, shuningdek, ularning standart sharoitlarda olingan proteolitik fragmentlari strukturasi to‘g‘risida to‘liq ma’lumotlar bazalari bor.

Асосий ўрганиш предмети оқсиллар ва уларнинг тирик организмлардаги, шу жумладан, одам организмидаги ўзаро таъсири ҳисобланадиган фан. Протеомика соҳасида ишлайдиган олимлар оқсилларнинг «ишлаб чиқарили-шини», турланишини, денатуратланишини ва тана ичида алмашинишини ўрганадилар. Ҳозирги вақтда одам барча оқсилларининг, шунингдек, уларнинг стандарт шароитларда олинган протеолитик фрагментлари структураси тўғрисида тўлиқ маълумотлар базалари бор.

proteomics

Наука, основным предметом изучения которой являются белки и их взаимодействия в живых организмах, в том числе, в человеческом. Учёные, работающие в области протеомики, исследуют «производство» белков, их модификацию, денатурацию и замену белков внутри тела. В настоящее время имеются полные базы данных о структуре всех белков человека, а также их протеолитических фрагментов, полученных в стандартных условиях.

Asosiy o‘rganish predmeti oqsillar va ularning tirik organizmlardagi, shu jumladan, odam organizmidagi o‘zaro ta’siri hisoblanadigan fan. Pro-teomika sohasida ishlaydigan olimlar oqsillarning «ishlab chiqarilishini», turlanishini, denaturatlanishini va tana ichida almashinishini o‘rganadilar. Hozirgi vaqtda odam barcha oqsillarining, shuningdek, ularning standart sharoitlarda olingan proteolitik fragmentlari strukturasi to‘g‘risida to‘liq ma’lumotlar bazalari bor.

Асосий ўрганиш предмети оқсиллар ва уларнинг тирик организмлардаги, шу жумладан, одам организмидаги ўзаро таъсири ҳисобланадиган фан. Протеомика соҳасида ишлайдиган олимлар оқсилларнинг «ишлаб чиқарили-шини», турланишини, денатуратланишини ва тана ичида алмашинишини ўрганадилар. Ҳозирги вақтда одам барча оқсилларининг, шунингдек, уларнинг стандарт шароитларда олинган протеолитик фрагментлари структураси тўғрисида тўлиқ маълумотлар базалари бор.

proteomics

Ионы противоположного (потенциалопреде-ляющим ионам) знака, которые непосредст-венно не адсорбируются, но под действием сил электростатического притяжения остают-ся вблизи адсорбированных ионов. Распределение противоионов определяется двумя про-тивоположными факторами: электростатическим и адсорбционным притяжениями, удерживающими противоионы у поверхности, и тепловым движением этих ионов, выравнивающим их концентрации в поверхностном слое и объеме. Устанавливается равновесное распределение зарядов с убывающей плот-ностью по направлению от поверхности.

counterions

Ионы противоположного (потенциалопреде-ляющим ионам) знака, которые непосредст-венно не адсорбируются, но под действием сил электростатического притяжения остают-ся вблизи адсорбированных ионов. Распределение противоионов определяется двумя про-тивоположными факторами: электростатическим и адсорбционным притяжениями, удерживающими противоионы у поверхности, и тепловым движением этих ионов, выравнивающим их концентрации в поверхностном слое и объеме. Устанавливается равновесное распределение зарядов с убывающей плот-ностью по направлению от поверхности.

Qarama-qarshi (potensial belgilovchi ionlarga) belgili, bevosita аdsorblanmaydigan, lekin elektrostatik tortish kuchlari ta’sirida adsorblangan ionlar yaqinida qoladigan ionlar. Teskari ionlar-ning taqsimlanishi ikki qarama-qarshi omil: teskari ionlarni sirtda tutib turadigan elektrostatik va adsorbsion tortishlar hamda ionlarning konsentratsiyasini sirtiy qatlamda va hajmda teng-lashtiradigan ionlar issiqlik harakati bilan belgilanadi. Sirtdan chiquvchi yo‘nalishda kamayib boradigan zichlik bilan zaryadlarning muvozanatli taqsimlanishi o‘rnatiladi.

Қарама-қарши (потенциал белгиловчи ион-ларга) белгили, бевосита адсорбланмайдиган, лекин электростатик тортиш кучлари таъси-рида адсорбланган ионлар яқинида қоладиган ионлар. Тескари ионларнинг тақсимланиши икки қарама-қарши омил: тескари ионларни сиртда тутиб турадиган электростатик ва адсорбцион тортишлар ҳамда ионларнинг концентрациясини сиртий қатламда ва ҳажмда тенглаштирадиган ионлар иссиқлик ҳаракати билан белгиланади. Сиртдан чиқувчи йўналишда камайиб борадиган зичлик билан зарядларнинг мувозанатли тақсимланиши ўрнатилади.

counterions

Ионы противоположного (потенциалопреде-ляющим ионам) знака, которые непосредст-венно не адсорбируются, но под действием сил электростатического притяжения остают-ся вблизи адсорбированных ионов. Распределение противоионов определяется двумя про-тивоположными факторами: электростатическим и адсорбционным притяжениями, удерживающими противоионы у поверхности, и тепловым движением этих ионов, выравнивающим их концентрации в поверхностном слое и объеме. Устанавливается равновесное распределение зарядов с убывающей плот-ностью по направлению от поверхности.

Qarama-qarshi (potensial belgilovchi ionlarga) belgili, bevosita аdsorblanmaydigan, lekin elektrostatik tortish kuchlari ta’sirida adsorblangan ionlar yaqinida qoladigan ionlar. Teskari ionlar-ning taqsimlanishi ikki qarama-qarshi omil: teskari ionlarni sirtda tutib turadigan elektrostatik va adsorbsion tortishlar hamda ionlarning konsentratsiyasini sirtiy qatlamda va hajmda teng-lashtiradigan ionlar issiqlik harakati bilan belgilanadi. Sirtdan chiquvchi yo‘nalishda kamayib boradigan zichlik bilan zaryadlarning muvozanatli taqsimlanishi o‘rnatiladi.

Қарама-қарши (потенциал белгиловчи ион-ларга) белгили, бевосита адсорбланмайдиган, лекин электростатик тортиш кучлари таъси-рида адсорбланган ионлар яқинида қоладиган ионлар. Тескари ионларнинг тақсимланиши икки қарама-қарши омил: тескари ионларни сиртда тутиб турадиган электростатик ва адсорбцион тортишлар ҳамда ионларнинг концентрациясини сиртий қатламда ва ҳажмда тенглаштирадиган ионлар иссиқлик ҳаракати билан белгиланади. Сиртдан чиқувчи йўналишда камайиб борадиган зичлик билан зарядларнинг мувозанатли тақсимланиши ўрнатилади.

counterions

Процесс перехода от беспорядочного движения, хаотического состояния через нарастание флуктуаций к новому порядку.

self-organization process

Процесс перехода от беспорядочного движения, хаотического состояния через нарастание флуктуаций к новому порядку.

Fluktuatsiyalarning oshib borishi orqali tartibsiz harakatdan, xaotik holatdan yangi tartibga o‘tish jarayoni.

Флуктуацияларнинг ошиб бориши орқали тартибсиз ҳаракатдан, хаотик ҳолатдан янги тартибга ўтиш жараёни.

self-organization process

Процесс перехода от беспорядочного движения, хаотического состояния через нарастание флуктуаций к новому порядку.

Fluktuatsiyalarning oshib borishi orqali tartibsiz harakatdan, xaotik holatdan yangi tartibga o‘tish jarayoni.

Флуктуацияларнинг ошиб бориши орқали тартибсиз ҳаракатдан, хаотик ҳолатдан янги тартибга ўтиш жараёни.

self-organization process

Технология селективного травления кремниевой подложки, в результате которого удаляется её большая часть, а также некоторая часть диффузионного слоя.

lost wafer process

Технология селективного травления кремниевой подложки, в результате которого удаляется её большая часть, а также некоторая часть диффузионного слоя.

Kremniy to‘shamani selektiv tozalash (kimyoviy usulda ishlov berish) texnologiyasi, uning natijasida to‘shamaning katta qismi, shuningdek, diffuzion qatlamning ba’zi qismi olib tashlanadi.

Кремний тўшамани селектив тозалаш (кимё-вий усулда ишлов бериш) технологияси, унинг натижасида тўшаманинг катта қисми, шунингдек, диффузион қатламнинг баъзи қисми олиб ташланади.

lost wafer process

Технология селективного травления кремниевой подложки, в результате которого удаляется её большая часть, а также некоторая часть диффузионного слоя.

Kremniy to‘shamani selektiv tozalash (kimyoviy usulda ishlov berish) texnologiyasi, uning natijasida to‘shamaning katta qismi, shuningdek, diffuzion qatlamning ba’zi qismi olib tashlanadi.

Кремний тўшамани селектив тозалаш (кимё-вий усулда ишлов бериш) технологияси, унинг натижасида тўшаманинг катта қисми, шунингдек, диффузион қатламнинг баъзи қисми олиб ташланади.

lost wafer process

Минимальная энергия (обычно измеряемая в электрон-вольтах), которую необходимо затратить для удаления электрона из объема твёрдого тела. Электрон удаляется из твердого тела через данную поверхность и перемещается в точку, которая расположена достаточно далеко от поверхности по атомным масштабам (чтобы электрон прошел весь двойной слой), но достаточно близко по сравнению с размерами макроскопических граней кристалла. При этом пренебрегают дополни-тельной работой, которую необходимо затратить на преодоление внешних полей, возникающих из-за перераспределения поверхностных зарядов. Таким образом, работа вы-хода для одного и того же вещества для различных кристаллографических ориентаций поверхности оказывается различной.

work function

Минимальная энергия (обычно измеряемая в электрон-вольтах), которую необходимо затратить для удаления электрона из объема твёрдого тела. Электрон удаляется из твердого тела через данную поверхность и перемещается в точку, которая расположена достаточно далеко от поверхности по атомным масштабам (чтобы электрон прошел весь двойной слой), но достаточно близко по сравнению с размерами макроскопических граней кристалла. При этом пренебрегают дополни-тельной работой, которую необходимо затратить на преодоление внешних полей, возникающих из-за перераспределения поверхностных зарядов. Таким образом, работа вы-хода для одного и того же вещества для различных кристаллографических ориентаций поверхности оказывается различной.

Qattiq jism hajmidan elektronni chiqarib tash-lash uchun sarflanishi zarur bo‘lgan eng kam energiya (odatda, elektron-voltlarda o‘lchanadigan). Elektron qattiq jismdan berilgan sirt orqali chiqarib tashlanadi va atom ko‘lamlar bo‘yicha sirtdan ancha uzoqda (elektron butun qo‘sh qatlamdan o‘tishi uchun), lekin kristall makroskopik qirralarining o‘lchamlariga nisbatan ancha yaqin joylashgan nuqtaga ko‘chiriladi. Bunda sirt zaryadlar qayta taqsimlаnishi tufayli yuzaga keladigan tashqi maydonlarni yengib o‘tishga sarflanishi zarur bo‘lgan qo‘shimcha ish e’tiborga olinmaydi. Shunday qilib, aynan bir modda uchun sirtning turli kristallografik oriуentatsiyalari uchun chiqish ishi turlicha bo‘ladi.

Қаттиқ жисм ҳажмидан электронни чиқариб ташлаш учун сарфланиши зарур бўлган энг кам энергия (одатда, электрон-вольтларда ўлчанадиган). Электрон қаттиқ жисмдан берилган сирт орқали чиқариб ташланади ва атом кўламлар бўйича сиртдан анча узоқда (электрон бутун қўш қатламдан ўтиши учун), лекин кристалл макроскопик қирраларининг ўлчамларига нисбатан анча яқин жойлашган нуқтага кўчирилади. Бунда сирт зарядлар қайта тақсимланиши туфайли юзага келадиган ташқи майдонларни енгиб ўтишга сарфланиши зарур бўлган қўшимча иш эътиборга олинмайди. Шундай қилиб, айнан бир модда учун сиртнинг турли кристаллографик ориентациялари учун чиқиш иши турлича бўлади.

work function

Минимальная энергия (обычно измеряемая в электрон-вольтах), которую необходимо затратить для удаления электрона из объема твёрдого тела. Электрон удаляется из твердого тела через данную поверхность и перемещается в точку, которая расположена достаточно далеко от поверхности по атомным масштабам (чтобы электрон прошел весь двойной слой), но достаточно близко по сравнению с размерами макроскопических граней кристалла. При этом пренебрегают дополни-тельной работой, которую необходимо затратить на преодоление внешних полей, возникающих из-за перераспределения поверхностных зарядов. Таким образом, работа вы-хода для одного и того же вещества для различных кристаллографических ориентаций поверхности оказывается различной.

Qattiq jism hajmidan elektronni chiqarib tash-lash uchun sarflanishi zarur bo‘lgan eng kam energiya (odatda, elektron-voltlarda o‘lchanadigan). Elektron qattiq jismdan berilgan sirt orqali chiqarib tashlanadi va atom ko‘lamlar bo‘yicha sirtdan ancha uzoqda (elektron butun qo‘sh qatlamdan o‘tishi uchun), lekin kristall makroskopik qirralarining o‘lchamlariga nisbatan ancha yaqin joylashgan nuqtaga ko‘chiriladi. Bunda sirt zaryadlar qayta taqsimlаnishi tufayli yuzaga keladigan tashqi maydonlarni yengib o‘tishga sarflanishi zarur bo‘lgan qo‘shimcha ish e’tiborga olinmaydi. Shunday qilib, aynan bir modda uchun sirtning turli kristallografik oriуentatsiyalari uchun chiqish ishi turlicha bo‘ladi.

Қаттиқ жисм ҳажмидан электронни чиқариб ташлаш учун сарфланиши зарур бўлган энг кам энергия (одатда, электрон-вольтларда ўлчанадиган). Электрон қаттиқ жисмдан берилган сирт орқали чиқариб ташланади ва атом кўламлар бўйича сиртдан анча узоқда (электрон бутун қўш қатламдан ўтиши учун), лекин кристалл макроскопик қирраларининг ўлчамларига нисбатан анча яқин жойлашган нуқтага кўчирилади. Бунда сирт зарядлар қайта тақсимланиши туфайли юзага келадиган ташқи майдонларни енгиб ўтишга сарфланиши зарур бўлган қўшимча иш эътиборга олинмайди. Шундай қилиб, айнан бир модда учун сиртнинг турли кристаллографик ориентациялари учун чиқиш иши турлича бўлади.

work function

В биологии − мембранное равновесие, связанное с различием концентрации солей внутри и вне клеток. Если мембрана с тон-кими порами, проницаемыми только для ионов, но не коллоидных частиц или полимеров, разделяет коллоидную систему или раствор полиэлектролита и чистую дисперсионную среду, то часть ионов переходит через такую мембрану в дисперсионную среду и устанавливается так называемое доннановское равновесие. Названо по имени Ф. Доннана, объяснившего в 1911 г. это явление.

Donnan equilibrium