Полевой транзистор с изолированным затво-ром, в котором канал создан нанесением пленки полупроводника толщиной 0,1 до 1 µm на изолирующую подложку.

thin film transistor

Полевой транзистор с изолированным затво-ром, в котором канал создан нанесением пленки полупроводника толщиной 0,1 до 1 µm на изолирующую подложку.

Kanal, qalinligi 0,1 µm dan 1 µm gacha bo‘lgan yarimo‘tkazgich qatlamini izolyatsiyalovchi to‘shama tushirish orqali hosil qilingan, izolyatsiyalangan zatvorli maydon tranzistori.

Канал, қалинлиги 0,1 µm дан 1 µm гача бўлган яримўтказгич қатламини изоляцияловчи тўшама тушириш орқали ҳосил қилинган, изоляцияланган затворли майдон транзистори.

thin film transistor

Полевой транзистор с изолированным затво-ром, в котором канал создан нанесением пленки полупроводника толщиной 0,1 до 1 µm на изолирующую подложку.

Kanal, qalinligi 0,1 µm dan 1 µm gacha bo‘lgan yarimo‘tkazgich qatlamini izolyatsiyalovchi to‘shama tushirish orqali hosil qilingan, izolyatsiyalangan zatvorli maydon tranzistori.

Канал, қалинлиги 0,1 µm дан 1 µm гача бўлган яримўтказгич қатламини изоляцияловчи тўшама тушириш орқали ҳосил қилинган, изоляцияланган затворли майдон транзистори.

thin film transistor

Зафиксированное на материальном носителе пространственно-геометрическое расположение совокупности элементов интегральной микросхемы и связей между ними.

integrated circuit layout

Зафиксированное на материальном носителе пространственно-геометрическое расположение совокупности элементов интегральной микросхемы и связей между ними.

Moddiy tashuvchida qayd etilgan, integral mikrosxema elementlari va ular o‘rtasidagi bog‘lanishlar jamining fazoviy-geometrik joylashishi.

Моддий ташувчида қайд этилган, интеграл микросхема элементлари ва улар ўртасидаги боғланишлар жамининг фазовий-геометрик жойлашиши.

integrated circuit layout

Зафиксированное на материальном носителе пространственно-геометрическое расположение совокупности элементов интегральной микросхемы и связей между ними.

Moddiy tashuvchida qayd etilgan, integral mikrosxema elementlari va ular o‘rtasidagi bog‘lanishlar jamining fazoviy-geometrik joylashishi.

Моддий ташувчида қайд этилган, интеграл микросхема элементлари ва улар ўртасидаги боғланишлар жамининг фазовий-геометрик жойлашиши.

integrated circuit layout

Твердофазные реакции, протекающие локально, в определенных участках твердого тела. Типичные топохимические реакции: выщелачивание горных пород, восстановление металлов из руд, обжиг, некоторые стадии фотографического процесса, химическое травление.

topochemical reactions

Твердофазные реакции, протекающие локально, в определенных участках твердого тела. Типичные топохимические реакции: выщелачивание горных пород, восстановление металлов из руд, обжиг, некоторые стадии фотографического процесса, химическое травление.

Qattiq jismning muayyan qismlarida lokal kechadigan qattiq fazali reaksiyalar. Tipik topokimyoviy reaksiyalar: tog‘ jinslarining ishqorlanishi, rudalardan metallarning tiklanishi, o‘tga toblab qizdirish, fotografik jarayonning ba’zi bosqichlari, kimyoviy yedirish (tozalash).

Қаттиқ жисмнинг муайян қисмларида локал кечадиган қаттиқ фазали реакциялар. Типик топокимёвий реакциялар: тоғ жинсларининг ишқорланиши, рудалардан металларнинг тикланиши, ўтга тоблаб қиздириш, фотографик жараённинг баъзи босқичлари, кимёвий едириш (тозалаш).

topochemical reactions

Твердофазные реакции, протекающие локально, в определенных участках твердого тела. Типичные топохимические реакции: выщелачивание горных пород, восстановление металлов из руд, обжиг, некоторые стадии фотографического процесса, химическое травление.

Qattiq jismning muayyan qismlarida lokal kechadigan qattiq fazali reaksiyalar. Tipik topokimyoviy reaksiyalar: tog‘ jinslarining ishqorlanishi, rudalardan metallarning tiklanishi, o‘tga toblab qizdirish, fotografik jarayonning ba’zi bosqichlari, kimyoviy yedirish (tozalash).

Қаттиқ жисмнинг муайян қисмларида локал кечадиган қаттиқ фазали реакциялар. Типик топокимёвий реакциялар: тоғ жинсларининг ишқорланиши, рудалардан металларнинг тикланиши, ўтга тоблаб қиздириш, фотографик жараённинг баъзи босқичлари, кимёвий едириш (тозалаш).

topochemical reactions

Условия, при которых частица или поверхность являются электронейтральными

point of zero charge

Условия, при которых частица или поверхность являются электронейтральными

Zarra yoki sirt elektr jihatdan neytral bo‘ladigan sharoiti.

Зарра ёки сирт электр жиҳатдан нейтрал бўладиган шароити.

point of zero charge

Условия, при которых частица или поверхность являются электронейтральными

Zarra yoki sirt elektr jihatdan neytral bo‘ladigan sharoiti.

Зарра ёки сирт электр жиҳатдан нейтрал бўладиган шароити.

point of zero charge

Процесс травления, в котором используется маскирующий слой для формирования изображения на поверхности пластины; при этом с пластины удаляются только определенные участки.

patterned etching

Процесс травления, в котором используется маскирующий слой для формирования изображения на поверхности пластины; при этом с пластины удаляются только определенные участки.

Plastina sirtida tasvir hosil qilish uchun niqoblovchi qatlamidan foydalaniladigan tozalash jarayoni; bunda plastinadan faqat ma’lum qismlar olib tashlanadi.

Пластина сиртида тасвир ҳосил қилиш учун ниқобловчи қатламдан фойдаланиладиган тозалаш жараёни; бунда пластинадан фақат маълум бир қисмлар олиб ташланади.

patterned etching

Процесс травления, в котором используется маскирующий слой для формирования изображения на поверхности пластины; при этом с пластины удаляются только определенные участки.

Plastina sirtida tasvir hosil qilish uchun niqoblovchi qatlamidan foydalaniladigan tozalash jarayoni; bunda plastinadan faqat ma’lum qismlar olib tashlanadi.

Пластина сиртида тасвир ҳосил қилиш учун ниқобловчи қатламдан фойдаланиладиган тозалаш жараёни; бунда пластинадан фақат маълум бир қисмлар олиб ташланади.

patterned etching

Полупроводниковый прибор, имеющий три (или более) электрода, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний.

transistor

Полупроводниковый прибор, имеющий три (или более) электрода, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний.

Uchta (yoki undan ko‘p) elektrodi bo‘lgan, elektr tebranishlarni ko‘paytirish, generatsiya-lash va o‘zgartirish uchun mo‘ljallangan yarimo‘tkazgichli asbob.

Учта (ёки ундан кўп) электроди бўлган, электр тебранишларни кўпайтириш, генера-циялаш ва ўзгартириш учун мўлжалланган яримўтказгичли асбоб.

transistor

Полупроводниковый прибор, имеющий три (или более) электрода, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний.

Uchta (yoki undan ko‘p) elektrodi bo‘lgan, elektr tebranishlarni ko‘paytirish, generatsiya-lash va o‘zgartirish uchun mo‘ljallangan yarimo‘tkazgichli asbob.

Учта (ёки ундан кўп) электроди бўлган, электр тебранишларни кўпайтириш, генера-циялаш ва ўзгартириш учун мўлжалланган яримўтказгичли асбоб.

transistor

Процесс переноса генетического материала (бактериальной ДНК) из одной клетки в другую с помощью вируса, что приводит к изменению наследственных свойств клеток- реципиентов.

transduction

Процесс переноса генетического материала (бактериальной ДНК) из одной клетки в другую с помощью вируса, что приводит к изменению наследственных свойств клеток- реципиентов.

Genetik materialni (bakterial DNKni) virus yordamida bir hujayradan boshqasiga ko‘chirish jarayoni. Retsipiyent hujayralarning irsiy xossalari o‘zgarishiga olib keladi.

Генетик материални (бактериал ДНК ни) вирус ёрдамида бир ҳужайрадан бошқасига кўчириш жараёни. Реципиент ҳужайраларнинг ирсий хоссалари ўзгаришига олиб келади

transduction