Сканирующий зондовый микроскоп, в котором в качестве измерительного зонда используют оптический световод уменьшающегося диаметра.

Примечание – Диаметр оптического световода может быть существенно меньше длины волны света, при этом на расстояниях, порядка длины волны света вблизи конца световода возникает стационарное световое поле, которое может модулироваться поверхностными свойствами объекта.

near-field scanning optical microscope

Сканирующий зондовый микроскоп, в котором в качестве измерительного зонда используют оптический световод уменьшающегося диаметра.

Примечание – Диаметр оптического световода может быть существенно меньше длины волны света, при этом на расстояниях, порядка длины волны света вблизи конца световода возникает стационарное световое поле, которое может модулироваться поверхностными свойствами объекта.

O‘lchaydigan zond sifatida diametri kichrayib boradigan optik yorug‘lik o‘tkazgichdan foyda-laniladigan, skanerlaydigan zondli mikroskop.

Izoh − Optik yorug‘lik o‘tkazgichning diametri yorug‘lik to‘lqin uzunligidan ancha kichik bo‘lishi mumkin, bunda yorug‘lik o‘tkazgichning uchi yaqinida yorug‘lik to‘lqin uzunligi chamasidagi masofalarda, obyektning sirt xossalari bilan modulyatsiyalanishi mumkin bo‘lgan statsionar yorug‘lik maydoni yuzaga keladi.

Ўлчайдиган зонд сифатида диаметри кичрайиб борадиган оптик ёруғлик ўтказгичдан фойдаланиладиган, сканерлайдиган зондли микроскоп.

Изоҳ − Оптик ёруғлик ўтказгичнинг диаметри ёруғлик тўлқин узунлигидан анча кичик бўлиши мумкин, бунда ёруғлик ўтказгичнинг учи яқинида ёруғлик тўлқин узунлиги чамасидаги масофаларда, объектнинг сирт хоссалари билан модуляцияланиши мумкин бўлган стационар ёруғлик майдони юзага келади.

near-field scanning optical microscope

Сканирующий зондовый микроскоп, в котором в качестве измерительного зонда используют оптический световод уменьшающегося диаметра.

Примечание – Диаметр оптического световода может быть существенно меньше длины волны света, при этом на расстояниях, порядка длины волны света вблизи конца световода возникает стационарное световое поле, которое может модулироваться поверхностными свойствами объекта.

O‘lchaydigan zond sifatida diametri kichrayib boradigan optik yorug‘lik o‘tkazgichdan foyda-laniladigan, skanerlaydigan zondli mikroskop.

Izoh − Optik yorug‘lik o‘tkazgichning diametri yorug‘lik to‘lqin uzunligidan ancha kichik bo‘lishi mumkin, bunda yorug‘lik o‘tkazgichning uchi yaqinida yorug‘lik to‘lqin uzunligi chamasidagi masofalarda, obyektning sirt xossalari bilan modulyatsiyalanishi mumkin bo‘lgan statsionar yorug‘lik maydoni yuzaga keladi.

Ўлчайдиган зонд сифатида диаметри кичрайиб борадиган оптик ёруғлик ўтказгичдан фойдаланиладиган, сканерлайдиган зондли микроскоп.

Изоҳ − Оптик ёруғлик ўтказгичнинг диаметри ёруғлик тўлқин узунлигидан анча кичик бўлиши мумкин, бунда ёруғлик ўтказгичнинг учи яқинида ёруғлик тўлқин узунлиги чамасидаги масофаларда, объектнинг сирт хоссалари билан модуляцияланиши мумкин бўлган стационар ёруғлик майдони юзага келади.

near-field scanning optical microscope

Прибор для изучения поверхности твердых тел, основанный на сканировании острием (иглой), находящимся под потенциалом поверхности образца, и одновременном измерении туннельного тока между острием и образцом. В процессе сканирования игла движется вдоль образца, туннельный ток поддерживается стабильным за счёт действия обратной связи и удаление следящей системы меняется в зависимости от топографии поверхности. Такие изменения фиксируются и на их основе строится карта высот. Ограничения на использование метода накладываются, во-первых, условием проводимости образца (поверхностное сопротивление должно быть не больше 20 МΩ/cm²). Во-вторых, глубина канавки должна быть меньше её ширины, потому что в противном случае, может наблюдаться туннелирование с боковых поверхностей.

scanning tunneling microscope

Прибор для изучения поверхности твердых тел, основанный на сканировании острием (иглой), находящимся под потенциалом поверхности образца, и одновременном измерении туннельного тока между острием и образцом. В процессе сканирования игла движется вдоль образца, туннельный ток поддерживается стабильным за счёт действия обратной связи и удаление следящей системы меняется в зависимости от топографии поверхности. Такие изменения фиксируются и на их основе строится карта высот. Ограничения на использование метода накладываются, во-первых, условием проводимости образца (поверхностное сопротивление должно быть не больше 20 МΩ/cm²). Во-вторых, глубина канавки должна быть меньше её ширины, потому что в противном случае, может наблюдаться туннелирование с боковых поверхностей.

Qattiq jismlar sirtini o‘rganish uchun mo‘lljal-langan asbob, potensial ostida turgan uch (igna) bilan namuna sirtini skanerlashga hamda bir vaqtda igna va namuna orasidagi tunnel tokni o‘lchashga asoslangan. Skanerlash jarayonida igna namuna bo‘ylab harakatlanadi, tunnel tok teskari bog‘lanish hisobiga barqaror ushlab turi-ladi, kuzatuvchi tizimning uzoqlashishi sirt topografiyasiga bog‘liq holda o‘zgaradi. Bunday o‘zgarishlar qayd etiladi va ular asosida balandliklar kartasi tuziladi. Metoddan foydalanishga chek-lash birinchidan, namuna o‘tkazuvchanlik sharoiti bilan (sirt qarshilik 20 МΩ/cm² dan ko‘p bo‘lmasligi kerak) qo‘yiladi. Ikkinchidan, ariq-cha chuqurligi uning kengligidan kichik bo‘lishi kerak, chunki aks holda, yon sirtlardan tunnellash kuzatilishi mumkin.

Қаттиқ жисмлар сиртини ўрганиш учун мўлжалланган асбоб, потенциал остида турган уч (игна) билан намуна сиртини сканерлашга ҳамда бир вақтда игна ва намуна орасидаги туннель токни ўлчашга асосланган. Сканерлаш жараёнида игна намуна бўйлаб ҳаракатланади, туннель ток тескари боғланиш ҳисобига барқарор ушлаб турилади, кузатувчи тизимнинг узоқлашиши сирт топографиясига боғлиқ ҳолда ўзгаради. Бундай ўзгаришлар қайд этилади ва улар асосида баландликлар картаси тузилади. Методдан фойдаланишга чеклаш биринчидан, намуна ўтказувчанлик шароити билан (сирт қаршилик 20 МΩ/cm² дан кўп бўлмаслиги керак) қўйилади. Иккин-чидан, ариқча чуқурлиги унинг кенглигидан кичик бўлиши керак, чунки акс ҳолда ён сиртлардан туннеллаш кузатилиши мумкин.

scanning tunneling microscope

Прибор для изучения поверхности твердых тел, основанный на сканировании острием (иглой), находящимся под потенциалом поверхности образца, и одновременном измерении туннельного тока между острием и образцом. В процессе сканирования игла движется вдоль образца, туннельный ток поддерживается стабильным за счёт действия обратной связи и удаление следящей системы меняется в зависимости от топографии поверхности. Такие изменения фиксируются и на их основе строится карта высот. Ограничения на использование метода накладываются, во-первых, условием проводимости образца (поверхностное сопротивление должно быть не больше 20 МΩ/cm²). Во-вторых, глубина канавки должна быть меньше её ширины, потому что в противном случае, может наблюдаться туннелирование с боковых поверхностей.

Qattiq jismlar sirtini o‘rganish uchun mo‘lljal-langan asbob, potensial ostida turgan uch (igna) bilan namuna sirtini skanerlashga hamda bir vaqtda igna va namuna orasidagi tunnel tokni o‘lchashga asoslangan. Skanerlash jarayonida igna namuna bo‘ylab harakatlanadi, tunnel tok teskari bog‘lanish hisobiga barqaror ushlab turi-ladi, kuzatuvchi tizimning uzoqlashishi sirt topografiyasiga bog‘liq holda o‘zgaradi. Bunday o‘zgarishlar qayd etiladi va ular asosida balandliklar kartasi tuziladi. Metoddan foydalanishga chek-lash birinchidan, namuna o‘tkazuvchanlik sharoiti bilan (sirt qarshilik 20 МΩ/cm² dan ko‘p bo‘lmasligi kerak) qo‘yiladi. Ikkinchidan, ariq-cha chuqurligi uning kengligidan kichik bo‘lishi kerak, chunki aks holda, yon sirtlardan tunnellash kuzatilishi mumkin.

Қаттиқ жисмлар сиртини ўрганиш учун мўлжалланган асбоб, потенциал остида турган уч (игна) билан намуна сиртини сканерлашга ҳамда бир вақтда игна ва намуна орасидаги туннель токни ўлчашга асосланган. Сканерлаш жараёнида игна намуна бўйлаб ҳаракатланади, туннель ток тескари боғланиш ҳисобига барқарор ушлаб турилади, кузатувчи тизимнинг узоқлашиши сирт топографиясига боғлиқ ҳолда ўзгаради. Бундай ўзгаришлар қайд этилади ва улар асосида баландликлар картаси тузилади. Методдан фойдаланишга чеклаш биринчидан, намуна ўтказувчанлик шароити билан (сирт қаршилик 20 МΩ/cm² дан кўп бўлмаслиги керак) қўйилади. Иккин-чидан, ариқча чуқурлиги унинг кенглигидан кичик бўлиши керак, чунки акс ҳолда ён сиртлардан туннеллаш кузатилиши мумкин.

scanning tunneling microscope

Прибор, позволяющий получать изображения поверхности образца с большим разрешением (менее микрометра). Исследуемый образец в условиях вакуума сканируется сфокусированным электронным пучком средних энергий. В зависимости от механизма регистрации сигнала различают несколько режимов работы сканирующего электронного микроскопа: режим отражённых электронов, режим вторичных электронов, режим катодолюминесценции. Разработанные методики позволяют исследовать не только свойства поверхности образца, но и визуализировать и получать информацию о свойствах подповерхностных структур.

scanning electron microscope

Прибор, позволяющий получать изображения поверхности образца с большим разрешением (менее микрометра). Исследуемый образец в условиях вакуума сканируется сфокусированным электронным пучком средних энергий. В зависимости от механизма регистрации сигнала различают несколько режимов работы сканирующего электронного микроскопа: режим отражённых электронов, режим вторичных электронов, режим катодолюминесценции. Разработанные методики позволяют исследовать не только свойства поверхности образца, но и визуализировать и получать информацию о свойствах подповерхностных структур.

Yuqori darajada (mikrometrdan kam)ajrata olish  bilan namuna sirtining tasvirini olish imkonini beradigan asbob. O‘rganiladigan namuna vakuum sharoitida o‘rtacha energiyali fokuslangan elektron dasta bilan skanerlanadi. Signalni qayd qilish mexanizmiga bog‘liq ravishda, skanerlaydigan elektron mikroskopning bir nechta ish rejimi ajratiladi: qaytgan elektronlar rejimi, ikkilamchi elektronlar rejimi, katodolyuminessensiya rejimi. Ishlab chiqilgan  metodikalar nafaqat namuna sirti xossalarini o‘rganish, balki sirt osti strukturalarning xossalari to‘g‘risida ma’lumot olish, vizuallashtirish imkonini beradi.

Юқори даражада (микрометрдан кам) ажрата олиш билан намуна сиртининг тасвирини олиш имконини берадиган асбоб. Ўрганиладиган намуна вакуум шароитида ўртача энергияли фокусланган электрон даста билан ска-нерланади. Сигнални қайд қилиш механизмига боғлиқ равишда, сканерлайдиган электрон микроскопнинг бир нечта иш режими ажратилади: қайтган электронлар режими, иккиламчи электронлар режими, катодолю-минесценция режими. Ишлаб чиқилган методикалар нафақат намуна сирти хоссаларини ўрганиш, балки сирт ости структураларнинг хоссалари тўғрисида маълумот олиш, визуаллаштириш имконини беради.

scanning electron microscope

Прибор, позволяющий получать изображения поверхности образца с большим разрешением (менее микрометра). Исследуемый образец в условиях вакуума сканируется сфокусированным электронным пучком средних энергий. В зависимости от механизма регистрации сигнала различают несколько режимов работы сканирующего электронного микроскопа: режим отражённых электронов, режим вторичных электронов, режим катодолюминесценции. Разработанные методики позволяют исследовать не только свойства поверхности образца, но и визуализировать и получать информацию о свойствах подповерхностных структур.

Yuqori darajada (mikrometrdan kam)ajrata olish  bilan namuna sirtining tasvirini olish imkonini beradigan asbob. O‘rganiladigan namuna vakuum sharoitida o‘rtacha energiyali fokuslangan elektron dasta bilan skanerlanadi. Signalni qayd qilish mexanizmiga bog‘liq ravishda, skanerlaydigan elektron mikroskopning bir nechta ish rejimi ajratiladi: qaytgan elektronlar rejimi, ikkilamchi elektronlar rejimi, katodolyuminessensiya rejimi. Ishlab chiqilgan  metodikalar nafaqat namuna sirti xossalarini o‘rganish, balki sirt osti strukturalarning xossalari to‘g‘risida ma’lumot olish, vizuallashtirish imkonini beradi.

Юқори даражада (микрометрдан кам) ажрата олиш билан намуна сиртининг тасвирини олиш имконини берадиган асбоб. Ўрганиладиган намуна вакуум шароитида ўртача энергияли фокусланган электрон даста билан ска-нерланади. Сигнални қайд қилиш механизмига боғлиқ равишда, сканерлайдиган электрон микроскопнинг бир нечта иш режими ажратилади: қайтган электронлар режими, иккиламчи электронлар режими, катодолю-минесценция режими. Ишлаб чиқилган методикалар нафақат намуна сирти хоссаларини ўрганиш, балки сирт ости структураларнинг хоссалари тўғрисида маълумот олиш, визуаллаштириш имконини беради.

scanning electron microscope

Разность между внутренним (Гальвани) по-тенциалом и внешним (Вольта) потенциалом.

jump potential

Разность между внутренним (Гальвани) по-тенциалом и внешним (Вольта) потенциалом.

Ichki (Galvani) potensiali va tashqi (Volta) potensiali o‘rtasidagi farq.

Ички (Гальвани) потенциали ва ташқи (Вольта) потенциали ўртасидаги фарқ.

jump potential

Разность между внутренним (Гальвани) по-тенциалом и внешним (Вольта) потенциалом.

Ichki (Galvani) potensiali va tashqi (Volta) potensiali o‘rtasidagi farq.

Ички (Гальвани) потенциали ва ташқи (Вольта) потенциали ўртасидаги фарқ.

jump potential

Процесс измерения твердости методами царапания различных материалов и покрытий при внедрении индентора на глубину несколько микро- или нанометров. Склерометрия позволяет быстро и наглядно характеризовать  микро- или  нанотвердость различных структурных составляющих, выявлять упрочнение у границ кристаллов, изучать анизотропию кристаллов, характеризовать износостойкость точнее, чем методом индентирования. Наиболее распространенным индентором, применяемым для склерометрии, является алмазная трехгранная пирамида Берковича.

scratching

Процесс измерения твердости методами царапания различных материалов и покрытий при внедрении индентора на глубину несколько микро- или нанометров. Склерометрия позволяет быстро и наглядно характеризовать  микро- или  нанотвердость различных структурных составляющих, выявлять упрочнение у границ кристаллов, изучать анизотропию кристаллов, характеризовать износостойкость точнее, чем методом индентирования. Наиболее распространенным индентором, применяемым для склерометрии, является алмазная трехгранная пирамида Берковича.

Indentor bir necha mikro- yoki nanometrga kiritilganda turli materiallar va qoplamalarni tirnash usullari bilan qattiqlikni o‘lchash jarayoni. Sklerometriya turli strukturaviy tarkibiy qismlarning mikro- yoki nanoqattiqligini tezda va ko‘rgazmali tavsiflash, kristallar chegarasida mustahkamlikni aniqlash, kristallar anizotropiyasini o‘rganish, yeyilishga chidamlilikni indentir-lash usuliga qaraganda aniqroq tavsiflash imkonini beradi. Berkovichning uch qirrali olmos piramidasi sklerometriya uchun qo‘llaniladigan keng tarqalgan indentor hisoblanadi.

Индентор бир неча микро- ёки нанометрга киритилганда турли материаллар ва қопламаларни тирнаш усуллари билан қаттиқликни ўлчаш жараёни. Склерометрия турли структуравий таркибий қисмларнинг микро- ёки наноқат-тиқлигини тезда ва кўргазмали тавсифлаш, кристаллар чегарасида мустаҳкамликни аниқлаш, кристаллар анизотропиясини ўрганиш, ейилишга чидамлиликни индентирлаш усулига қараганда аниқроқ тавсифлаш имконини беради. Берковичнинг уч қиррали олмос пирамидаси склерометрия учун қўлланиладиган кенг тарқалган индентор ҳисобланади.

scratching

Процесс измерения твердости методами царапания различных материалов и покрытий при внедрении индентора на глубину несколько микро- или нанометров. Склерометрия позволяет быстро и наглядно характеризовать  микро- или  нанотвердость различных структурных составляющих, выявлять упрочнение у границ кристаллов, изучать анизотропию кристаллов, характеризовать износостойкость точнее, чем методом индентирования. Наиболее распространенным индентором, применяемым для склерометрии, является алмазная трехгранная пирамида Берковича.

Indentor bir necha mikro- yoki nanometrga kiritilganda turli materiallar va qoplamalarni tirnash usullari bilan qattiqlikni o‘lchash jarayoni. Sklerometriya turli strukturaviy tarkibiy qismlarning mikro- yoki nanoqattiqligini tezda va ko‘rgazmali tavsiflash, kristallar chegarasida mustahkamlikni aniqlash, kristallar anizotropiyasini o‘rganish, yeyilishga chidamlilikni indentir-lash usuliga qaraganda aniqroq tavsiflash imkonini beradi. Berkovichning uch qirrali olmos piramidasi sklerometriya uchun qo‘llaniladigan keng tarqalgan indentor hisoblanadi.

Индентор бир неча микро- ёки нанометрга киритилганда турли материаллар ва қопламаларни тирнаш усуллари билан қаттиқликни ўлчаш жараёни. Склерометрия турли структуравий таркибий қисмларнинг микро- ёки наноқат-тиқлигини тезда ва кўргазмали тавсифлаш, кристаллар чегарасида мустаҳкамликни аниқлаш, кристаллар анизотропиясини ўрганиш, ейилишга чидамлиликни индентирлаш усулига қараганда аниқроқ тавсифлаш имконини беради. Берковичнинг уч қиррали олмос пирамидаси склерометрия учун қўлланиладиган кенг тарқалган индентор ҳисобланади.

scratching

Коллоидные осадки, состоящие из пластинчатых частиц, которые расположены в горизонтальных плоскостях, обычно отделенных друг от друга расстояниями в несколько тысяч ангстрем. Характерное строение слоев Шиллера определяется соотношением силы электростатического отталкивания заряженных частиц и силы тяжести. Структуры, близкие к слоям Шиллера, могут возникать под действием и других внешних полей − центробежных, электрических и магнитных.

Schiller layers

Коллоидные осадки, состоящие из пластинчатых частиц, которые расположены в горизонтальных плоскостях, обычно отделенных друг от друга расстояниями в несколько тысяч ангстрем. Характерное строение слоев Шиллера определяется соотношением силы электростатического отталкивания заряженных частиц и силы тяжести. Структуры, близкие к слоям Шиллера, могут возникать под действием и других внешних полей − центробежных, электрических и магнитных.

Bir-biridan bir necha ming angstrem masofa bilan ajratilgan gorizontal tekisliklarda joylash-gan plastinkasimon zarralardan iborat kolloid cho‘kmalar. Shiller qatlamlarining o‘ziga xos tuzilishi og‘irlik kuchi va zaryadlangan zarralarning elektrostatik itarilish kuchi nisbati bilan belgilanadi. Shiller qatlamlariga yaqin strukturalar markazdan qochadigan, elektr, magnit maydonlar kabi boshqa tashqi maydonlar ta’sirida ham yuzaga kelishi mumkin.

Бир-биридан бир неча минг ангстрем масофа билан ажратилган горизонтал текисликларда жойлашган пластинкасимон зарралардан иборат коллоид чўкмалар. Шиллер қатламлари-нинг ўзига хос тузилиши оғирлик кучи ва зарядланган зарраларнинг электростатик итарилиш кучи нисбати билан белгиланади. Шиллер қатламларига яқин бўлган структу-ралар марказдан қочадиган, электр, магнит майдонлар каби бошқа ташқи майдонлар таъсирида ҳам юзага келиши мумкин.

Schiller layers

Коллоидные осадки, состоящие из пластинчатых частиц, которые расположены в горизонтальных плоскостях, обычно отделенных друг от друга расстояниями в несколько тысяч ангстрем. Характерное строение слоев Шиллера определяется соотношением силы электростатического отталкивания заряженных частиц и силы тяжести. Структуры, близкие к слоям Шиллера, могут возникать под действием и других внешних полей − центробежных, электрических и магнитных.

Bir-biridan bir necha ming angstrem masofa bilan ajratilgan gorizontal tekisliklarda joylash-gan plastinkasimon zarralardan iborat kolloid cho‘kmalar. Shiller qatlamlarining o‘ziga xos tuzilishi og‘irlik kuchi va zaryadlangan zarralarning elektrostatik itarilish kuchi nisbati bilan belgilanadi. Shiller qatlamlariga yaqin strukturalar markazdan qochadigan, elektr, magnit maydonlar kabi boshqa tashqi maydonlar ta’sirida ham yuzaga kelishi mumkin.

Бир-биридан бир неча минг ангстрем масофа билан ажратилган горизонтал текисликларда жойлашган пластинкасимон зарралардан иборат коллоид чўкмалар. Шиллер қатламлари-нинг ўзига хос тузилиши оғирлик кучи ва зарядланган зарраларнинг электростатик итарилиш кучи нисбати билан белгиланади. Шиллер қатламларига яқин бўлган структу-ралар марказдан қочадиган, электр, магнит майдонлар каби бошқа ташқи майдонлар таъсирида ҳам юзага келиши мумкин.

Schiller layers

Свойство твердого материала допускать свое смачивание. Процесс, при котором граничащая вначале с газовой фазой поверхность твердого материала приходит в контакт с жидкостью. Характер смачиваемости можно определять по краевому углу, с помощью которого можно также определять поверхностное натяжение. 

wettability

Свойство твердого материала допускать свое смачивание. Процесс, при котором граничащая вначале с газовой фазой поверхность твердого материала приходит в контакт с жидкостью. Характер смачиваемости можно определять по краевому углу, с помощью которого можно также определять поверхностное натяжение. 

Qattiq materialning o‘zini ho‘llanishga yo‘l qo‘yish xоssasi. Dastlab gazli faza bilan tutashadigan qattiq material sirti suyuqlik bilan tutashadigan jarayon. Ho‘llanuvchanlik xarakteri sirt taranglikni ham aniqlash mumkin bo‘lgan chegaraviy burchakka qarab aniqlanadi.

Қаттиқ материалнинг ўзини ҳўлланишга йўл қўйиш хoссаси. Дастлаб газли фаза билан туташадиган қаттиқ материал сирти суюқлик билан туташадиган жараён. Ҳўлланувчанлик характери сирт тарангликни ҳам аниқлаш мумкин бўлган чегаравий бурчакка қараб аниқланади.

wettability