Полупроводниковый диод с р-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглащение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект.

photodiode

Полупроводниковый диод с р-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглащение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект.

Yarimo‘tkazgichning ikki turi o‘rtasidagi yoki yarimo‘tkazgich va metall o‘rtasidagi р-n o‘tishga ega bo‘lgan yarimo‘tkazgichli diod, unda bevosita o‘tish yaqinida yuz beradigan nurlanishning yutilishi fotogalvanik effektni keltirib chiqaradi.

Яримўтказгичнинг икки тури ўртасидаги ёки яримўтказгич ва металл ўртасидаги р-n ўтишга эга бўлган яримўтказгичли диод, унда бевосита ўтиш яқинида юз берадиган нурланишнинг ютилиши фотогальваник эффектни келтириб чиқаради.

photodiode

Полупроводниковый диод с р-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглащение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект.

Yarimo‘tkazgichning ikki turi o‘rtasidagi yoki yarimo‘tkazgich va metall o‘rtasidagi р-n o‘tishga ega bo‘lgan yarimo‘tkazgichli diod, unda bevosita o‘tish yaqinida yuz beradigan nurlanishning yutilishi fotogalvanik effektni keltirib chiqaradi.

Яримўтказгичнинг икки тури ўртасидаги ёки яримўтказгич ва металл ўртасидаги р-n ўтишга эга бўлган яримўтказгичли диод, унда бевосита ўтиш яқинида юз берадиган нурланишнинг ютилиши фотогальваник эффектни келтириб чиқаради.

photodiode

Превращение молекул вещества под действием поглощенного света (например, диссоциация, ионизация, окисление).

photolysis

Превращение молекул вещества под действием поглощенного света (например, диссоциация, ионизация, окисление).

Yutilgan yorug‘lik ta’sirida modda molekulalarining o‘zgarishi (masalan, dissotsiatsiya, ion-lanish, oksidlanish).

Ютилган ёруғлик таъсирида модда молекулаларининг ўзгариши (масалан, диссоциация, ионланиш, оксидланиш).

photolysis

Превращение молекул вещества под действием поглощенного света (например, диссоциация, ионизация, окисление).

Yutilgan yorug‘lik ta’sirida modda molekulalarining o‘zgarishi (masalan, dissotsiatsiya, ion-lanish, oksidlanish).

Ютилган ёруғлик таъсирида модда молекулаларининг ўзгариши (масалан, диссоциация, ионланиш, оксидланиш).

photolysis

Способ формирования рельефного покрытия заданной конфигурации с помощью фоторезистов. Является одним из методов планарной технологии и применяется для изготовления интегральных микросхем, печатных плат, запоминающих устройств, высокочастотных приборов и др. Обычно включает стадии: нанесения фоторезиста на металл, ди-электрик или полупроводник; его сушку для улучшения адгезии к подложке; экспонирование видимым или УФ излучением через фотошаблон (стекло, кварц и др.) с заданным рисунком для формирования скрытого изображения; проявление (визуализацию) скрытого изображения путем удаления фоторезиста с облученного (позитивное изображение) или необлученного (негативное) участка слоя вымыванием водно-щелочными и органическими растворителями, либо возгонкой в плазме высокочастотного разряда; термическую обработку (дубление) полученного рельефного покрытия (маски) для увеличения его стойкости при травлении; травление участков свободной поверхности травителями кислотного типа или сухими методами; удаление маски растворителями или выжиганием кислородной плазмой. При изготовлении интегральных схем процесс повторяют многократно на различных технологических слоях материала и при этом каждый последующий рисунок должен быть совмещен с предыдущим.

photolithography

Способ формирования рельефного покрытия заданной конфигурации с помощью фоторезистов. Является одним из методов планарной технологии и применяется для изготовления интегральных микросхем, печатных плат, запоминающих устройств, высокочастотных приборов и др. Обычно включает стадии: нанесения фоторезиста на металл, ди-электрик или полупроводник; его сушку для улучшения адгезии к подложке; экспонирование видимым или УФ излучением через фотошаблон (стекло, кварц и др.) с заданным рисунком для формирования скрытого изображения; проявление (визуализацию) скрытого изображения путем удаления фоторезиста с облученного (позитивное изображение) или необлученного (негативное) участка слоя вымыванием водно-щелочными и органическими растворителями, либо возгонкой в плазме высокочастотного разряда; термическую обработку (дубление) полученного рельефного покрытия (маски) для увеличения его стойкости при травлении; травление участков свободной поверхности травителями кислотного типа или сухими методами; удаление маски растворителями или выжиганием кислородной плазмой. При изготовлении интегральных схем процесс повторяют многократно на различных технологических слоях материала и при этом каждый последующий рисунок должен быть совмещен с предыдущим.

Fotorezistlar yordamida berilgan konfiguratsiyadagi relyefli qoplamani shakllantirish usuli. Planar texnologiya metodlaridan biri hisoblanadi, integral mikrosxemalar, bosma platalar, xotirlovchi qurilmalar, yuqori chastotali asboblar tayyorlash uchun qo‘llaniladi. Quyidagi bosqich-larni ichiga oladi: fotorezistni metallga, dielektrik yoki yarimo‘tkazgichga tushirish; to‘shamaga adgeziyani yaxshilash uchun uni quritish; yashirin tasvirni shakllantirish uchun, berilgan rasmli fotoshablon (shisha, kvars) orqali ko‘rinadigan yoki ultrabinafsha nurlanish bilan ekspo-zitsiyalash; yuqori chastotali razryad plazmasida quruq haydash yoki suv – ishqoriy va organik erituvchilar bilan yuvish orqali, qatlamning nurlangan (pozitiv tasvir) yoki nurlanmagan (negativ tasvir) qismidan rezistni chiqarib tashlash yo‘li bilan yashirin tasvirni chiqarish (vizu-allash); tozalash (yedirish) da chidamliligini oshirish uchun, olingan relyef qoplamga (maskaga) termik ishlov berish (oshlash); quruq usullar bilan yoki kislota turidagi tozalovchilar bilan erkin sirt qismlarini tozalash; erituvchilar yoki kislorod plazma bilan kuydirib maskani chiqarib tashlash. Integral sxemalarni tayyorlashda jarayon materialning turli texnologik qatlamlarida ko‘p marta takrorlanadi, bunda har bir keyingi rasm oldingisi bilan to‘g‘ri kelishi kerak.

Фоторезистлар ёрдамида берилган конфигурациядаги рельефли қопламани шакллантириш усули. Планар технология методларидан бири ҳисобланади, интеграл микросхемалар, босма платалар, хотирловчи қурилмалар, юқори частотали асбоблар тайёрлаш учун қўлланилади. Қуйидаги босқичларни ичига олади: фоторезистни металлга, диэлектрик ёки яримўтказгичга тушириш; тўшамага адгезияни яхшилаш учун уни қуритиш; яширин тасвирни шакллантириш учун, берилган расмли фотошаблон (шиша, кварц) орқали кўринадиган ёки ультрабинафша нурланиш билан экспозициялаш; юқори частотали разряд плазмасида қуруқ ҳайдаш ёки сув – ишқорий ва органик эритувчилар билан ювиш орқали, қатламнинг нурланган (позитив тасвир) ёки нурланмаган (негатив тасвир) қис-мидан резистни чиқариб ташлаш йўли билан яширин тасвирни чиқариш (визуаллаш); тозалаш (едириш) да чидамлилигини ошириш учун, олинган рельеф қопламга (маскага) термик ишлов бериш (ошлаш); қуруқ усуллар билан ёки кислота туридаги тозаловчилар билан эркин сирт қисмларини тозалаш; эри-тувчилар ёки кислород плазма билан куйди-риб маскани чиқариб ташлаш. Интеграл схемаларни тайёрлашда жараён материалнинг турли технологик қатламларида кўп марта такрорланади, бунда ҳар бир кейинги расм олдингиси билан тўғри келиши керак.

photolithography

Способ формирования рельефного покрытия заданной конфигурации с помощью фоторезистов. Является одним из методов планарной технологии и применяется для изготовления интегральных микросхем, печатных плат, запоминающих устройств, высокочастотных приборов и др. Обычно включает стадии: нанесения фоторезиста на металл, ди-электрик или полупроводник; его сушку для улучшения адгезии к подложке; экспонирование видимым или УФ излучением через фотошаблон (стекло, кварц и др.) с заданным рисунком для формирования скрытого изображения; проявление (визуализацию) скрытого изображения путем удаления фоторезиста с облученного (позитивное изображение) или необлученного (негативное) участка слоя вымыванием водно-щелочными и органическими растворителями, либо возгонкой в плазме высокочастотного разряда; термическую обработку (дубление) полученного рельефного покрытия (маски) для увеличения его стойкости при травлении; травление участков свободной поверхности травителями кислотного типа или сухими методами; удаление маски растворителями или выжиганием кислородной плазмой. При изготовлении интегральных схем процесс повторяют многократно на различных технологических слоях материала и при этом каждый последующий рисунок должен быть совмещен с предыдущим.

Fotorezistlar yordamida berilgan konfiguratsiyadagi relyefli qoplamani shakllantirish usuli. Planar texnologiya metodlaridan biri hisoblanadi, integral mikrosxemalar, bosma platalar, xotirlovchi qurilmalar, yuqori chastotali asboblar tayyorlash uchun qo‘llaniladi. Quyidagi bosqich-larni ichiga oladi: fotorezistni metallga, dielektrik yoki yarimo‘tkazgichga tushirish; to‘shamaga adgeziyani yaxshilash uchun uni quritish; yashirin tasvirni shakllantirish uchun, berilgan rasmli fotoshablon (shisha, kvars) orqali ko‘rinadigan yoki ultrabinafsha nurlanish bilan ekspo-zitsiyalash; yuqori chastotali razryad plazmasida quruq haydash yoki suv – ishqoriy va organik erituvchilar bilan yuvish orqali, qatlamning nurlangan (pozitiv tasvir) yoki nurlanmagan (negativ tasvir) qismidan rezistni chiqarib tashlash yo‘li bilan yashirin tasvirni chiqarish (vizu-allash); tozalash (yedirish) da chidamliligini oshirish uchun, olingan relyef qoplamga (maskaga) termik ishlov berish (oshlash); quruq usullar bilan yoki kislota turidagi tozalovchilar bilan erkin sirt qismlarini tozalash; erituvchilar yoki kislorod plazma bilan kuydirib maskani chiqarib tashlash. Integral sxemalarni tayyorlashda jarayon materialning turli texnologik qatlamlarida ko‘p marta takrorlanadi, bunda har bir keyingi rasm oldingisi bilan to‘g‘ri kelishi kerak.

Фоторезистлар ёрдамида берилган конфигурациядаги рельефли қопламани шакллантириш усули. Планар технология методларидан бири ҳисобланади, интеграл микросхемалар, босма платалар, хотирловчи қурилмалар, юқори частотали асбоблар тайёрлаш учун қўлланилади. Қуйидаги босқичларни ичига олади: фоторезистни металлга, диэлектрик ёки яримўтказгичга тушириш; тўшамага адгезияни яхшилаш учун уни қуритиш; яширин тасвирни шакллантириш учун, берилган расмли фотошаблон (шиша, кварц) орқали кўринадиган ёки ультрабинафша нурланиш билан экспозициялаш; юқори частотали разряд плазмасида қуруқ ҳайдаш ёки сув – ишқорий ва органик эритувчилар билан ювиш орқали, қатламнинг нурланган (позитив тасвир) ёки нурланмаган (негатив тасвир) қис-мидан резистни чиқариб ташлаш йўли билан яширин тасвирни чиқариш (визуаллаш); тозалаш (едириш) да чидамлилигини ошириш учун, олинган рельеф қопламга (маскага) термик ишлов бериш (ошлаш); қуруқ усуллар билан ёки кислота туридаги тозаловчилар билан эркин сирт қисмларини тозалаш; эри-тувчилар ёки кислород плазма билан куйди-риб маскани чиқариб ташлаш. Интеграл схемаларни тайёрлашда жараён материалнинг турли технологик қатламларида кўп марта такрорланади, бунда ҳар бир кейинги расм олдингиси билан тўғри келиши керак.

photolithography

Метод качественного и количественного анализа, основанный на избирательном поглощении инфракрасного, видимого или ультрафиолетового излучения молекулами определяемого компонента или его соединения с соответствующим реагентом. Метод фотометрического анализа, в котором используется видимый свет, называется колориметрией

photometric analysis

Метод качественного и количественного анализа, основанный на избирательном поглощении инфракрасного, видимого или ультрафиолетового излучения молекулами определяемого компонента или его соединения с соответствующим реагентом. Метод фотометрического анализа, в котором используется видимый свет, называется колориметрией

Aniqlanadigan component yoki uning tegishli reagentli birikmasi molekulalarining infraqizil, ko‘rinadigan yoki ultrabinafsha nurlanishni tanlab yutishiga asoslangan, sifat va miqdor jihatdan analiz qilish metodi. Ko‘rinadigan yorug‘likdan foydalaniladigan fotometrik analiz metodi kalorimetriya deyiladi.

Аниқланадиган компонент ёки унинг тегишли реагентли бирикмаси молекулаларининг инфрақизил, кўринадиган ёки ультрабинаф-ша нурланишни танлаб ютишига асосланган, сифат ва миқдор жиҳатдан анализ қилиш методи. Кўринадиган ёруғликдан фойдалани-ладиган фотометрик анализ методи калориметрия дейилади.

photometric analysis

Метод качественного и количественного анализа, основанный на избирательном поглощении инфракрасного, видимого или ультрафиолетового излучения молекулами определяемого компонента или его соединения с соответствующим реагентом. Метод фотометрического анализа, в котором используется видимый свет, называется колориметрией

Aniqlanadigan component yoki uning tegishli reagentli birikmasi molekulalarining infraqizil, ko‘rinadigan yoki ultrabinafsha nurlanishni tanlab yutishiga asoslangan, sifat va miqdor jihatdan analiz qilish metodi. Ko‘rinadigan yorug‘likdan foydalaniladigan fotometrik analiz metodi kalorimetriya deyiladi.

Аниқланадиган компонент ёки унинг тегишли реагентли бирикмаси молекулаларининг инфрақизил, кўринадиган ёки ультрабинаф-ша нурланишни танлаб ютишига асосланган, сифат ва миқдор жиҳатдан анализ қилиш методи. Кўринадиган ёруғликдан фойдалани-ладиган фотометрик анализ методи калориметрия дейилади.

photometric analysis