Инженерное сооружение, внутри которого контролируется счетная концентрация аэрозольных частиц и которое построено и используется так, чтобы свести к минимуму поступление, генерацию и накопление частиц внутри помещения, и в котором, при необходимости, контролируются другие параметры, например, температура, влажность и давление. Класс чистого помещения характеризуется классификационным числом, определяющим максимально допустимую счётную концентрацию аэрозольных частиц определённых размеров в 1 m³ воздуха.

Ichida aerozol zarralarning hisoblanadigan kon-sentratsiyasi nazorat qilinadigan, zarralarning xona ichiga kirishi, generatsiyasi va to‘planishi kam darajaga keltiriladigan qilib qurilgan va foydalaniladigan, zarur bo‘lganda boshqa para-metrlar, masalan, temperatura, namlik va bosim nazorat qilib boriladigan injenerlik inshooti. Toza xona klassi 1 m³ havoda muayyan o‘lcham-lardagi aerozol zarralarning maksimal yo‘l qo‘-yiladigan hisoblanadigan konsentratsiyasini bel-gilaydigan klassifikatsion son bilan tavsiflanadi.

Ичида аэрозол зарраларнинг ҳисобланадиган концентрацияси назорат қилинадиган, зарраларнинг хона ичига кириши, генерацияси ва тўпланиши кам даражага келтириладиган
қилиб қурилган ва фойдаланиладиган, зарур бўлганда бошқа параметрлар, масалан, температура, намлик ва босим назорат қилиб бо-риладиган инженерлик иншооти. Тоза хона класси 1 m³ ҳавода муайян ўлчамлардаги аэрозол зарраларнинг максимал йўл қўйиладиган ҳисобланадиган концентрациясини белгилайдиган классификацион сон билан тавсифланади.

clean room

В полупроводниках и изоляторах − область энергий, лежащая между потолком валентной зоны и дном зоны проводимости; в материалах с собственной проводимостью данный диапазон энергий является запрещенным для электронов. Характерные значения ширины запрещённой зоны в полупроводниках составляют 0,1-4 eV.

band gap energy (E_g)

В полупроводниках и изоляторах − область энергий, лежащая между потолком валентной зоны и дном зоны проводимости; в материалах с собственной проводимостью данный диапазон энергий является запрещенным для электронов. Характерные значения ширины запрещённой зоны в полупроводниках составляют 0,1-4 eV.

Yarimo‘tkazgichlarda va izolyatorlarda – valent zona cho‘qqisi va o‘tkazuvchanlik zonasining tubi o‘rtasida yotadigan energiyalar sohasi; xususiy o‘tkazuvchanlikka ega materiallarda energiyalarning ushbu diapazoni elektronlar uchun taqiqlangan hisoblanadi. Yarimo‘tkazgichlarda taqiqlangan zona kengligining o‘ziga xos qiymatlari 0,1-4 eV ni tashkil qiladi.

Яримўтказгичларда ва изоляторларда – валент зона чўққиси ва ўтказувчанлик зонасининг туби ўртасида ётадиган энергиялар соҳаси; хусусий ўтказувчанликка эга материалларда энергияларнинг ушбу диапазони элек-тронлар учун тақиқланган ҳисобланади. Яримўтказгичларда тақиқланган зона кенг-лигининг ўзига хос қийматлари 0,1-4 eV ни ташкил қилади.

band gap energy (E_g)

В полупроводниках и изоляторах − область энергий, лежащая между потолком валентной зоны и дном зоны проводимости; в материалах с собственной проводимостью данный диапазон энергий является запрещенным для электронов. Характерные значения ширины запрещённой зоны в полупроводниках составляют 0,1-4 eV.

Yarimo‘tkazgichlarda va izolyatorlarda – valent zona cho‘qqisi va o‘tkazuvchanlik zonasining tubi o‘rtasida yotadigan energiyalar sohasi; xususiy o‘tkazuvchanlikka ega materiallarda energiyalarning ushbu diapazoni elektronlar uchun taqiqlangan hisoblanadi. Yarimo‘tkazgichlarda taqiqlangan zona kengligining o‘ziga xos qiymatlari 0,1-4 eV ni tashkil qiladi.

Яримўтказгичларда ва изоляторларда – валент зона чўққиси ва ўтказувчанлик зонасининг туби ўртасида ётадиган энергиялар соҳаси; хусусий ўтказувчанликка эга материалларда энергияларнинг ушбу диапазони элек-тронлар учун тақиқланган ҳисобланади. Яримўтказгичларда тақиқланган зона кенг-лигининг ўзига хос қийматлари 0,1-4 eV ни ташкил қилади.

band gap energy (E_g)

Кластеры мембранных каналов, которые соединяют содержимое соседних клеток в тканях. Через такие каналы проходят небольшие молекулы − метаболиты и неорганические ионы. Диаметр каналов в клетках млекопитающих составляет от 1,2 до 2 nm.

gap junctions

Кластеры мембранных каналов, которые соединяют содержимое соседних клеток в тканях. Через такие каналы проходят небольшие молекулы − метаболиты и неорганические ионы. Диаметр каналов в клетках млекопитающих составляет от 1,2 до 2 nm.

To‘qimalardagi yonma-yon hujayralar ichidagini birlashtiradigan, membranali kanallar klasterlari. Bunday kanallar orqali uncha katta bo‘lmagan molekulalar − metabolitlar va noorganik ionlar o‘tadi. Sutemizuvchilar hujayralarida kanallar diametri 1,2 dan 2 nm gachani tashkil etadi.

Тўқималардаги ёнма-ён ҳужайралар ичида-гини бирлаштирадиган, мембранали каналлар кластерлари. Бундай каналлар орқали унча катта бўлмаган молекулалар − метаболитлар ва ноорганик ионлар ўтади. Сутэмизувчилар ҳужайраларида каналлар диаметри 1,2 дан 2 nm гачани ташкил этади.

gap junctions

Кластеры мембранных каналов, которые соединяют содержимое соседних клеток в тканях. Через такие каналы проходят небольшие молекулы − метаболиты и неорганические ионы. Диаметр каналов в клетках млекопитающих составляет от 1,2 до 2 nm.

To‘qimalardagi yonma-yon hujayralar ichidagini birlashtiradigan, membranali kanallar klasterlari. Bunday kanallar orqali uncha katta bo‘lmagan molekulalar − metabolitlar va noorganik ionlar o‘tadi. Sutemizuvchilar hujayralarida kanallar diametri 1,2 dan 2 nm gachani tashkil etadi.

Тўқималардаги ёнма-ён ҳужайралар ичида-гини бирлаштирадиган, мембранали каналлар кластерлари. Бундай каналлар орқали унча катта бўлмаган молекулалар − метаболитлар ва ноорганик ионлар ўтади. Сутэмизувчилар ҳужайраларида каналлар диаметри 1,2 дан 2 nm гачани ташкил этади.

gap junctions

Процесс, при котором популяция самовоспроизводящихся существ претерпевает изменения, в результате которых наиболее успешные варианты распространяются и служат основой для дальнейших изменений.

evolution

Процесс, при котором популяция самовоспроизводящихся существ претерпевает изменения, в результате которых наиболее успешные варианты распространяются и служат основой для дальнейших изменений.

O‘zidan-o‘zi qayta tiklanadigan mavjudotlar populyatsiyasi o‘zgarishga uchraydigan, natijada eng muvaffaqiyatli variantlar tarqaladigan va keyingi o‘zgarishlar uchun asos bo‘ladigan jarayon.

Ўзидан-ўзи қайта тикланадиган мавжудотлар популяцияси ўзгаришга учрайдиган, натижада энг муваффақиятли вариантлар тарқаладиган ва кейинги ўзгаришлар учун асос бўладиган жараён.

evolution

Процесс, при котором популяция самовоспроизводящихся существ претерпевает изменения, в результате которых наиболее успешные варианты распространяются и служат основой для дальнейших изменений.

O‘zidan-o‘zi qayta tiklanadigan mavjudotlar populyatsiyasi o‘zgarishga uchraydigan, natijada eng muvaffaqiyatli variantlar tarqaladigan va keyingi o‘zgarishlar uchun asos bo‘ladigan jarayon.

Ўзидан-ўзи қайта тикланадиган мавжудотлар популяцияси ўзгаришга учрайдиган, натижада энг муваффақиятли вариантлар тарқаладиган ва кейинги ўзгаришлар учун асос бўладиган жараён.

evolution

У эукариот участок гена, в котором закодирована информация для синтеза соответствующего продукта гена (белка). Экзоны чередуются с некодирующими фрагментами гена − нитронами. Экзоны, в отличие от нитронов, полностью представлены в молекуле зрелой мРНК. В гене человека может быть от 2 до 50 нитронов, длина которых варьируется от 50 до 20000 пар оснований. Длина экзонов обычно не превышает 1000 пар оснований.

 exon

У эукариот участок гена, в котором закодирована информация для синтеза соответствующего продукта гена (белка). Экзоны чередуются с некодирующими фрагментами гена − нитронами. Экзоны, в отличие от нитронов, полностью представлены в молекуле зрелой мРНК. В гене человека может быть от 2 до 50 нитронов, длина которых варьируется от 50 до 20000 пар оснований. Длина экзонов обычно не превышает 1000 пар оснований.

Eukariotlarda genning, gen (oqsil) ning tegishli mahsulotlarni sintez qilish uchun axborot kodlangan qismi. Ekzonlar genning kodlanmaydigan fragmentlari − nitronlar bilan almashinib keladi. Ekzonlar nitronlardan favqli ravishda, molekulada yetuk mRNK bilan ifodalangan. Odam genida 2 tadan 500 tagacha nitron bo‘lishi mumkin, ularning uzunligi 50 dan 20000 gacha juft asoslar orasida. Ekzonlarning uzunligi odatda, 1000 juft asosdan oshmaydi.

Эукариотларда геннинг, ген (оқсил)нинг тегишли маҳсулотларни синтез қилиш учун ахборот кодланган қисми. Экзонлар геннинг кодланмайдиган фрагментлари − нитронлар билан алмашиниб келади. Экзонлар нитронлардан фарқли равишда, молекулада етук мРНК билан ифодаланган. Одам генида 2 та-дан 500 тагача нитрон бўлиши мумкин, уларнинг узунлиги 50 дан 20000 гача жуфт асослар орасида. Экзонларнинг узунлиги одатда, 1000 жуфт асосдан ошмайди.

 exon

У эукариот участок гена, в котором закодирована информация для синтеза соответствующего продукта гена (белка). Экзоны чередуются с некодирующими фрагментами гена − нитронами. Экзоны, в отличие от нитронов, полностью представлены в молекуле зрелой мРНК. В гене человека может быть от 2 до 50 нитронов, длина которых варьируется от 50 до 20000 пар оснований. Длина экзонов обычно не превышает 1000 пар оснований.

Eukariotlarda genning, gen (oqsil) ning tegishli mahsulotlarni sintez qilish uchun axborot kodlangan qismi. Ekzonlar genning kodlanmaydigan fragmentlari − nitronlar bilan almashinib keladi. Ekzonlar nitronlardan favqli ravishda, molekulada yetuk mRNK bilan ifodalangan. Odam genida 2 tadan 500 tagacha nitron bo‘lishi mumkin, ularning uzunligi 50 dan 20000 gacha juft asoslar orasida. Ekzonlarning uzunligi odatda, 1000 juft asosdan oshmaydi.

Эукариотларда геннинг, ген (оқсил)нинг тегишли маҳсулотларни синтез қилиш учун ахборот кодланган қисми. Экзонлар геннинг кодланмайдиган фрагментлари − нитронлар билан алмашиниб келади. Экзонлар нитронлардан фарқли равишда, молекулада етук мРНК билан ифодаланган. Одам генида 2 та-дан 500 тагача нитрон бўлиши мумкин, уларнинг узунлиги 50 дан 20000 гача жуфт асослар орасида. Экзонларнинг узунлиги одатда, 1000 жуфт асосдан ошмайди.

 exon

Водородоподобная квазичастица, представляющая собой электронное возбуждение в диэлектрике или полупроводнике, мигрирующее по кристаллу и не связанное с переносом электрического заряда и массы. Хотя экситон состоит из электрона и дырки, его следует считать самостоятельной элементарной частицей в случаях, когда энергия взаимодействия электрона и дырки того же порядка, что и энергия их движения, а энергия взаимодействия между двумя экситонами мала по сравнению с энергией каждого из них.

exiton

Водородоподобная квазичастица, представляющая собой электронное возбуждение в диэлектрике или полупроводнике, мигрирующее по кристаллу и не связанное с переносом электрического заряда и массы. Хотя экситон состоит из электрона и дырки, его следует считать самостоятельной элементарной частицей в случаях, когда энергия взаимодействия электрона и дырки того же порядка, что и энергия их движения, а энергия взаимодействия между двумя экситонами мала по сравнению с энергией каждого из них.

Vodorodga o‘xshash kvazizarra. Dielektrik yoki yarimo‘tkazgichdagi, kristall bo‘ylab ko‘chadi-gan, elektr zaryad va massani ko‘chirish bilan bog‘liq bo‘lmagan elektron qo‘zg‘alishni o‘zida ifodalaydi. Garchi, eksiton elektron va teshikdan iborat bo‘lsa-da, elektron va teshikning o‘zaro ta’sir energiyasi, ularning harakatlanish ener-giyasi bilan bir xil, ikki eksiton o‘rtasidagi o‘zaro ta’sir energiyasi ulardan har birining energiyasiga nisbatan kichik (kam) bo‘lgan hol-larda, eksitonni mustaqil elementar zarra deb hisoblash zarur.

Водородга ўхшаш квазизарра. Диэлектрик ёки яримўтказгичдаги, кристалл бўйлаб кўча-диган, электр заряд ва массани кўчириш би-лан боғлиқ бўлмаган электрон қўзғалишни ўзида ифодалайди. Гарчи, экситон электрон ва тешикдан иборат бўлса-да, электрон ва те-шикнинг ўзаро таъсир энергияси уларнинг ҳаракатланиш энергияси билан бир хил, икки экситон ўртасидаги ўзаро таъсир энергияси, улардан ҳар бирининг энергиясига нисбатан кичик (кам) бўлган ҳолларда, экситонни мус-тақил элементар зарра деб ҳисоблаш зарур.

exiton

Водородоподобная квазичастица, представляющая собой электронное возбуждение в диэлектрике или полупроводнике, мигрирующее по кристаллу и не связанное с переносом электрического заряда и массы. Хотя экситон состоит из электрона и дырки, его следует считать самостоятельной элементарной частицей в случаях, когда энергия взаимодействия электрона и дырки того же порядка, что и энергия их движения, а энергия взаимодействия между двумя экситонами мала по сравнению с энергией каждого из них.

Vodorodga o‘xshash kvazizarra. Dielektrik yoki yarimo‘tkazgichdagi, kristall bo‘ylab ko‘chadi-gan, elektr zaryad va massani ko‘chirish bilan bog‘liq bo‘lmagan elektron qo‘zg‘alishni o‘zida ifodalaydi. Garchi, eksiton elektron va teshikdan iborat bo‘lsa-da, elektron va teshikning o‘zaro ta’sir energiyasi, ularning harakatlanish ener-giyasi bilan bir xil, ikki eksiton o‘rtasidagi o‘zaro ta’sir energiyasi ulardan har birining energiyasiga nisbatan kichik (kam) bo‘lgan hol-larda, eksitonni mustaqil elementar zarra deb hisoblash zarur.

Водородга ўхшаш квазизарра. Диэлектрик ёки яримўтказгичдаги, кристалл бўйлаб кўча-диган, электр заряд ва массани кўчириш би-лан боғлиқ бўлмаган электрон қўзғалишни ўзида ифодалайди. Гарчи, экситон электрон ва тешикдан иборат бўлса-да, электрон ва те-шикнинг ўзаро таъсир энергияси уларнинг ҳаракатланиш энергияси билан бир хил, икки экситон ўртасидаги ўзаро таъсир энергияси, улардан ҳар бирининг энергиясига нисбатан кичик (кам) бўлган ҳолларда, экситонни мус-тақил элементар зарра деб ҳисоблаш зарур.

exiton

Свет (электромагнитное излучение) с длиной волны от 10 до 100 nm. Использование экстремального ультрафиолета в фотолитографии позволяет получать структуры на поверхности пластины с нанометровыми размерами.

extreme ultraviolet

Свет (электромагнитное излучение) с длиной волны от 10 до 100 nm. Использование экстремального ультрафиолета в фотолитографии позволяет получать структуры на поверхности пластины с нанометровыми размерами.

To‘lqin uzunligi 10 nmdan 100 nmgacha bo‘lgan yorug‘lik (elektromagnit nurlanish). Ekstremal ultrafioletdan fotolitografiyada foydalanish nanometr o‘lchamli plastina sirtida strukturalar olish imkonini beradi.

Тўлқин узунлиги 10 nm дан 100 nm гача бўлган ёруғлик (электромагнит нурланиш). Экстремал ультрафиолетдан фотолитографияда фойдаланиш нанометр ўлчамли пластина сиртида структуралар олиш имконини беради.

extreme ultraviolet

Свет (электромагнитное излучение) с длиной волны от 10 до 100 nm. Использование экстремального ультрафиолета в фотолитографии позволяет получать структуры на поверхности пластины с нанометровыми размерами.

To‘lqin uzunligi 10 nmdan 100 nmgacha bo‘lgan yorug‘lik (elektromagnit nurlanish). Ekstremal ultrafioletdan fotolitografiyada foydalanish nanometr o‘lchamli plastina sirtida strukturalar olish imkonini beradi.

Тўлқин узунлиги 10 nm дан 100 nm гача бўлган ёруғлик (электромагнит нурланиш). Экстремал ультрафиолетдан фотолитографияда фойдаланиш нанометр ўлчамли пластина сиртида структуралар олиш имконини беради.

extreme ultraviolet

Явление, при котором объект обнаруживает два состояния различной проводимости при одном и том же подаваемом напряжении.

electrical bistability