Физические методы исследования и локального анализа поверхности твердых тел с помощью пучка сфокусированных электронов (зонда). Пучки электронов получают с помощью электронной пушки вакуумного устройства, обычно диода, в котором электроны вы-летают из катода благодаря термоэлектронной эмиссии и ускоряются электрическим полем. Фокусировку пучков осуществляют электронными линзами, создающими необходимые электрические и магнитные поля. В методе используют первичные медленные и быстрые электроны. После взаимодействия пучка первичных электронов с поверхностью исследуемого образца можно регистрировать упруго или неупруго рассеянные электроны, вторичную электронную эмиссию, эмиссию десорбированных атомов или ионов, электро-магнитное излучение в рентгеновской или оптической области, наведенный в образце электрический ток или ЭДС (электродвижущая сила).

electron probe microanalysis

Физические методы исследования и локального анализа поверхности твердых тел с помощью пучка сфокусированных электронов (зонда). Пучки электронов получают с помощью электронной пушки вакуумного устройства, обычно диода, в котором электроны вы-летают из катода благодаря термоэлектронной эмиссии и ускоряются электрическим полем. Фокусировку пучков осуществляют электронными линзами, создающими необходимые электрические и магнитные поля. В методе используют первичные медленные и быстрые электроны. После взаимодействия пучка первичных электронов с поверхностью исследуемого образца можно регистрировать упруго или неупруго рассеянные электроны, вторичную электронную эмиссию, эмиссию десорбированных атомов или ионов, электро-магнитное излучение в рентгеновской или оптической области, наведенный в образце электрический ток или ЭДС (электродвижущая сила).

Fokuslangan elektronlar dastasi (zond) yordamida qattiq jismlar sirtini o‘rganish va lokal analiz qilishning fizik metodlari. Elektronlar dastalari vakuum qurilmaning elektron to‘pi, odatda diod yordamida olinadi. Diodda elektronlar termo-elektron emissiya tufayli katoddan uchib chiqadi, elektr maydon uni tezlashtiradi. Dastalar zarur
elektr va magnit maydonlar yuzaga keltiradigan elektron linzalar bilan fokuslanadi. Metodda bir-lamchi sekin elektronlardan va tez elektronlardan foydalaniladi. Birlamchi elektronlar dastasi o‘rga-niladigan namunaning sirti bilan o‘zaro ta’sirlash-gandan so‘ng, elastik yoki noelastik sochilgan
elektronlarni, ikkilamchi elektron emissiyani, desorblangan atomlar yoki ionlar emissiyasini, rent-gen yoki optik sohalarda elektromagnit nurlanishni, namuna to‘g‘rilangan elektr toki yoki elektr yurituvchi kuchni qayd qilish mumkin.

Фокусланган электронлар дастаси (зонд) ёр-дамида қаттиқ жисмлар сиртини ўрганиш ва локал анализ қилишнинг физик методлари. Электронлар дасталари вакуум қурилманинг электрон тўпи, одатда диод ёрдамида олинади. Диодда электронлар термоэлектрон эмиссия туфайли катоддан учиб чиқади, электр майдон уни тезлаштиради. Дасталар зарур электр ва магнит майдонлар юзага келтирадиган элек-трон линзалар билан фокусланади. Методда бирламчи секин электронлардан ва тез элек-тронлардан фойдаланилади. Бирламчи элек-тронлар дастаси ўрганиладиган намунанинг сирти билан ўзаро таъсирлашгандан сўнг, элас-тик ёки ноэластик сочилган электронларни, иккиламчи электрон эмиссияни, десорбланган атомлар ёки ионлар эмиссиясини, рентген ёки оптик соҳаларда электромагнит нурланишни, намуна тўғриланган электр токи ёки электр юритувчи кучни қайд қилиш мумкин.

electron probe microanalysis

Физические методы исследования и локального анализа поверхности твердых тел с помощью пучка сфокусированных электронов (зонда). Пучки электронов получают с помощью электронной пушки вакуумного устройства, обычно диода, в котором электроны вы-летают из катода благодаря термоэлектронной эмиссии и ускоряются электрическим полем. Фокусировку пучков осуществляют электронными линзами, создающими необходимые электрические и магнитные поля. В методе используют первичные медленные и быстрые электроны. После взаимодействия пучка первичных электронов с поверхностью исследуемого образца можно регистрировать упруго или неупруго рассеянные электроны, вторичную электронную эмиссию, эмиссию десорбированных атомов или ионов, электро-магнитное излучение в рентгеновской или оптической области, наведенный в образце электрический ток или ЭДС (электродвижущая сила).

Fokuslangan elektronlar dastasi (zond) yordamida qattiq jismlar sirtini o‘rganish va lokal analiz qilishning fizik metodlari. Elektronlar dastalari vakuum qurilmaning elektron to‘pi, odatda diod yordamida olinadi. Diodda elektronlar termo-elektron emissiya tufayli katoddan uchib chiqadi, elektr maydon uni tezlashtiradi. Dastalar zarur
elektr va magnit maydonlar yuzaga keltiradigan elektron linzalar bilan fokuslanadi. Metodda bir-lamchi sekin elektronlardan va tez elektronlardan foydalaniladi. Birlamchi elektronlar dastasi o‘rga-niladigan namunaning sirti bilan o‘zaro ta’sirlash-gandan so‘ng, elastik yoki noelastik sochilgan
elektronlarni, ikkilamchi elektron emissiyani, desorblangan atomlar yoki ionlar emissiyasini, rent-gen yoki optik sohalarda elektromagnit nurlanishni, namuna to‘g‘rilangan elektr toki yoki elektr yurituvchi kuchni qayd qilish mumkin.

Фокусланган электронлар дастаси (зонд) ёр-дамида қаттиқ жисмлар сиртини ўрганиш ва локал анализ қилишнинг физик методлари. Электронлар дасталари вакуум қурилманинг электрон тўпи, одатда диод ёрдамида олинади. Диодда электронлар термоэлектрон эмиссия туфайли катоддан учиб чиқади, электр майдон уни тезлаштиради. Дасталар зарур электр ва магнит майдонлар юзага келтирадиган элек-трон линзалар билан фокусланади. Методда бирламчи секин электронлардан ва тез элек-тронлардан фойдаланилади. Бирламчи элек-тронлар дастаси ўрганиладиган намунанинг сирти билан ўзаро таъсирлашгандан сўнг, элас-тик ёки ноэластик сочилган электронларни, иккиламчи электрон эмиссияни, десорбланган атомлар ёки ионлар эмиссиясини, рентген ёки оптик соҳаларда электромагнит нурланишни, намуна тўғриланган электр токи ёки электр юритувчи кучни қайд қилиш мумкин.

electron probe microanalysis

Метод изготовления субмикронных и нано-размерных деталей путем облучения электро-чувствительных поверхностей электронным лучом. Существуют две основные возможности использования электронных пучков для об-лучения поверхности пластины с целью нанесения рисунка. Это одновременное экспонирование (проекционный способ) всего изображения целиком и последовательное экспонирование (сканирование) отдельных участков рисунка. Проекционные системы, как правило, имеют высокую производительность и более просты, чем сканирующие системы. Носителем ин-формации об изображении является маска (шаблон). Изображение с шаблона передается на пластину лучом электронов. Сканирующие системы управляются вычислительной машиной, которая задает программу перемещения сфокусированного пучка электронов для нанесения рисунка, исправляет эффекты искривления и расширения пучка и определяет положение пластины. Информация об изображении хранится в памяти ЭВМ.

electron beam lithography

Метод изготовления субмикронных и нано-размерных деталей путем облучения электро-чувствительных поверхностей электронным лучом. Существуют две основные возможности использования электронных пучков для об-лучения поверхности пластины с целью нанесения рисунка. Это одновременное экспонирование (проекционный способ) всего изображения целиком и последовательное экспонирование (сканирование) отдельных участков рисунка. Проекционные системы, как правило, имеют высокую производительность и более просты, чем сканирующие системы. Носителем ин-формации об изображении является маска (шаблон). Изображение с шаблона передается на пластину лучом электронов. Сканирующие системы управляются вычислительной машиной, которая задает программу перемещения сфокусированного пучка электронов для нанесения рисунка, исправляет эффекты искривления и расширения пучка и определяет положение пластины. Информация об изображении хранится в памяти ЭВМ.

Elektrosezgir sirtlarni elektron nur bilan nurlatish orqali, submikron va nanoo‘lchamli detallarni tay-yorlash metodi. Rasm tushirish maqsadida plastina sirtini nurlatish uchun elektron dastalardan foyda-lanishning ikkita asosiy imkoniyati mavjud. Bu yaxlit butun tasvirni bir vaqtda eksponirlash (pro-yeksion usul) va rasmning alohida qismlarini
ketma-ket eksponirlash (skanerlash). Proyeksion tizimlar, odatda, yuqori unumdorlikka ega bo‘lib, skanerlaydigan tizimlarga qaraganda birmuncha sodda. Tasvir to‘g‘risida axborot tashuvchi maska (shablon) hisoblanadi. Shablondan olingan tasvir elektronlar nuri bilan plastinaga uzatiladi. Skanerlaydigan tizimlar hisoblash mashinasi bilan bosh-qariladi. Hisoblash mashinasi rasmni tushirish uchun fokuslangan elektronlar dastasini siljitish dasturini beradi, dastaning kengayish va chetga chiqish (qiyshayish) effektlarini to‘g‘rilaydi, plastina holatini belgilaydi. Tasvir to‘g‘risidagi axborot elektron hisoblash mashinasining xotirasida saqlanadi.

Электросезгир сиртларни электрон нур билан нурлатиш орқали, субмикрон ва наноўлчамли деталларни тайёрлаш методи. Расм тушириш мақсадида пластина сиртини нурлатиш учун электрон дасталардан фойдаланишнинг иккита асосий имконияти мавжуд. Бу яхлит бутун тасвирни бир вақтда экспонирлаш (проекци-он усул) ва расмнинг алоҳида қисмларини кетма-кет экспонирлаш (сканерлаш). Проекцион тизимлар, одатда, юқори унумдорликка эга бўлиб, сканерлайдиган тизимларга қараганда бирмунча содда. Тасвир тўғрисида ахборот ташувчи маска (шаблон) ҳисобланади. Шаблондан олинган тасвир электронлар нури билан пластинага узатилади. Сканерлайдиган тизимлар ҳисоблаш машинаси билан бошқа-рилади. Ҳисоблаш машинаси расмни тушириш учун фокусланган электронлар дастасини силжитиш дастурини беради, дастанинг кенгайиш ва четга чиқиш (қийшайиш) эффектларини тўғрилайди, пластина ҳолатини белгилайди. Тасвир тўғрисидаги ахборот электрон ҳисоблаш машинасининг хотирасида сақланади.

electron beam lithography

Метод изготовления субмикронных и нано-размерных деталей путем облучения электро-чувствительных поверхностей электронным лучом. Существуют две основные возможности использования электронных пучков для об-лучения поверхности пластины с целью нанесения рисунка. Это одновременное экспонирование (проекционный способ) всего изображения целиком и последовательное экспонирование (сканирование) отдельных участков рисунка. Проекционные системы, как правило, имеют высокую производительность и более просты, чем сканирующие системы. Носителем ин-формации об изображении является маска (шаблон). Изображение с шаблона передается на пластину лучом электронов. Сканирующие системы управляются вычислительной машиной, которая задает программу перемещения сфокусированного пучка электронов для нанесения рисунка, исправляет эффекты искривления и расширения пучка и определяет положение пластины. Информация об изображении хранится в памяти ЭВМ.

Elektrosezgir sirtlarni elektron nur bilan nurlatish orqali, submikron va nanoo‘lchamli detallarni tay-yorlash metodi. Rasm tushirish maqsadida plastina sirtini nurlatish uchun elektron dastalardan foyda-lanishning ikkita asosiy imkoniyati mavjud. Bu yaxlit butun tasvirni bir vaqtda eksponirlash (pro-yeksion usul) va rasmning alohida qismlarini
ketma-ket eksponirlash (skanerlash). Proyeksion tizimlar, odatda, yuqori unumdorlikka ega bo‘lib, skanerlaydigan tizimlarga qaraganda birmuncha sodda. Tasvir to‘g‘risida axborot tashuvchi maska (shablon) hisoblanadi. Shablondan olingan tasvir elektronlar nuri bilan plastinaga uzatiladi. Skanerlaydigan tizimlar hisoblash mashinasi bilan bosh-qariladi. Hisoblash mashinasi rasmni tushirish uchun fokuslangan elektronlar dastasini siljitish dasturini beradi, dastaning kengayish va chetga chiqish (qiyshayish) effektlarini to‘g‘rilaydi, plastina holatini belgilaydi. Tasvir to‘g‘risidagi axborot elektron hisoblash mashinasining xotirasida saqlanadi.

Электросезгир сиртларни электрон нур билан нурлатиш орқали, субмикрон ва наноўлчамли деталларни тайёрлаш методи. Расм тушириш мақсадида пластина сиртини нурлатиш учун электрон дасталардан фойдаланишнинг иккита асосий имконияти мавжуд. Бу яхлит бутун тасвирни бир вақтда экспонирлаш (проекци-он усул) ва расмнинг алоҳида қисмларини кетма-кет экспонирлаш (сканерлаш). Проекцион тизимлар, одатда, юқори унумдорликка эга бўлиб, сканерлайдиган тизимларга қараганда бирмунча содда. Тасвир тўғрисида ахборот ташувчи маска (шаблон) ҳисобланади. Шаблондан олинган тасвир электронлар нури билан пластинага узатилади. Сканерлайдиган тизимлар ҳисоблаш машинаси билан бошқа-рилади. Ҳисоблаш машинаси расмни тушириш учун фокусланган электронлар дастасини силжитиш дастурини беради, дастанинг кенгайиш ва четга чиқиш (қийшайиш) эффектларини тўғрилайди, пластина ҳолатини белгилайди. Тасвир тўғрисидаги ахборот электрон ҳисоблаш машинасининг хотирасида сақланади.

electron beam lithography

Пучок электронов, движущийся в одном направлении с одинаковой скоростью.

electron beam

Пучок электронов, движущийся в одном направлении с одинаковой скоростью.

Bir xil tezlik bilan bir yo‘nalishda harakat-lanadigan elektronlar dastasi.

Бир хил тезлик билан бир йўналишда ҳаракатланадиган электронлар дастаси.

electron beam

Пучок электронов, движущийся в одном направлении с одинаковой скоростью.

Bir xil tezlik bilan bir yo‘nalishda harakat-lanadigan elektronlar dastasi.

Бир хил тезлик билан бир йўналишда ҳаракатланадиган электронлар дастаси.

electron beam

Микроскоп, позволяющий получать сильно увеличенное изображение объектов, используя рассеяние электронов. Как электронные, так и оптические микроскопы имеют ограничения в разрешающей способности в зависимости от длины волн. В электронных микроскопах используются электростатические или электромагнитные линзы для формирования изображения путем управления пучком электронов и концентрации его на отдельных участках объекта.

 electron microscope

Микроскоп, позволяющий получать сильно увеличенное изображение объектов, используя рассеяние электронов. Как электронные, так и оптические микроскопы имеют ограничения в разрешающей способности в зависимости от длины волн. В электронных микроскопах используются электростатические или электромагнитные линзы для формирования изображения путем управления пучком электронов и концентрации его на отдельных участках объекта.

Elektronlarning sochilishidan foydalanib obyektlarning juda ham kattalashtirilgan tasvirini olish imkonini beradigan mikroskop. Elektron mikroskoplarning ham, optik mikroskoplarning ham ajrata olish qobiliyati to‘lqin uzunligiga bog‘liq holda cheklangan. Elektron mikroskoplarda elektronlar dastasini boshqarish va uni obyektning ayrim qismlarida to‘plash yo‘li bilan tasvirni shakllantirish uchun, elektrostatik yoki elektromagnit linzalardan foydalaniladi.

Электронларнинг сочилишидан фойдаланиб объектларнинг жуда ҳам катталаштирилган тасвирини олиш имконини берадиган микроскоп. Электрон микроскопларнинг ҳам, оптик микроскопларнинг ҳам ажрата олиш қо-билияти тўлқин узунлигига боғлиқ ҳолда чекланган. Электрон микроскопларда электронлар дастасини бошқариш ва уни объектнинг айрим қисмларида тўплаш йўли билан тасвирни шакллантириш учун, электростатик ёки электромагнит линзалардан фойдалани-лади.

 electron microscope

Микроскоп, позволяющий получать сильно увеличенное изображение объектов, используя рассеяние электронов. Как электронные, так и оптические микроскопы имеют ограничения в разрешающей способности в зависимости от длины волн. В электронных микроскопах используются электростатические или электромагнитные линзы для формирования изображения путем управления пучком электронов и концентрации его на отдельных участках объекта.

Elektronlarning sochilishidan foydalanib obyektlarning juda ham kattalashtirilgan tasvirini olish imkonini beradigan mikroskop. Elektron mikroskoplarning ham, optik mikroskoplarning ham ajrata olish qobiliyati to‘lqin uzunligiga bog‘liq holda cheklangan. Elektron mikroskoplarda elektronlar dastasini boshqarish va uni obyektning ayrim qismlarida to‘plash yo‘li bilan tasvirni shakllantirish uchun, elektrostatik yoki elektromagnit linzalardan foydalaniladi.

Электронларнинг сочилишидан фойдаланиб объектларнинг жуда ҳам катталаштирилган тасвирини олиш имконини берадиган микроскоп. Электрон микроскопларнинг ҳам, оптик микроскопларнинг ҳам ажрата олиш қо-билияти тўлқин узунлигига боғлиқ ҳолда чекланган. Электрон микроскопларда электронлар дастасини бошқариш ва уни объектнинг айрим қисмларида тўплаш йўли билан тасвирни шакллантириш учун, электростатик ёки электромагнит линзалардан фойдалани-лади.

 electron microscope