Контакт двух различных по химическому составу полупроводников, при котором кристаллическая решетка одного материала без нарушения периодически переходит в решетку другого материала. Гетеропереходы обычно используются для создания потенциальных ям для электронов и дырок в многослойных полупроводниковых структурах (гетероструктурах).

Kimyoviy tarkibiga ko‘ra turlicha bo‘lgan ikkita yarimo‘tkazgichning bog‘lanishi, bunda bir materialning kristall panjarasi buzilmasdan dav-riy ravishda boshqa materialning panjarasiga o‘tadi. Geteroo‘tishlardan ko‘p qatlamli yarim-o‘tkazgich strukturalarda elektronlar va teshiklar uchun potensial o‘ra vujudga keltirishda foyda-laniladi.

Кимёвий таркибига кўра турлича бўлган иккита яримўтказгичнинг боғланиши, бунда бир материалнинг кристалл панжараси бузил-масдан даврий равишда бошқа материалнинг панжарасига ўтади. Гетеро-ўтишлардан кўп қатламли яримўтказгич структураларда элек-тронлар ва тешиклар учун потенциал ўра вужудга келтиришда фойдаланилади

heterojunction

Контакт двух различных по химическому составу полупроводников, при котором кристаллическая решетка одного материала без нарушения периодически переходит в решетку другого материала. Гетеропереходы обычно используются для создания потенциальных ям для электронов и дырок в многослойных полупроводниковых структурах (гетероструктурах).

Kimyoviy tarkibiga ko‘ra turlicha bo‘lgan ikkita yarimo‘tkazgichning bog‘lanishi, bunda bir materialning kristall panjarasi buzilmasdan dav-riy ravishda boshqa materialning panjarasiga o‘tadi. Geteroo‘tishlardan ko‘p qatlamli yarim-o‘tkazgich strukturalarda elektronlar va teshiklar uchun potensial o‘ra vujudga keltirishda foyda-laniladi.

Кимёвий таркибига кўра турлича бўлган иккита яримўтказгичнинг боғланиши, бунда бир материалнинг кристалл панжараси бузил-масдан даврий равишда бошқа материалнинг панжарасига ўтади. Гетеро-ўтишлардан кўп қатламли яримўтказгич структураларда элек-тронлар ва тешиклар учун потенциал ўра вужудга келтиришда фойдаланилади

heterojunction

Структура, состоящая из двух и более слоев полупроводника с различными параметрами кристаллической решетки и разной зонной структурой.

heterostructure

Структура, состоящая из двух и более слоев полупроводника с различными параметрами кристаллической решетки и разной зонной структурой.

Turli zonaviy strukturaga va kristall panjaraning turli parametrlariga ega bo‘lgan, ikki va undan ko‘p yarimo‘tkazgich qatlamidan iborat struktura.

Турли зонавий структурага ва кристалл панжаранинг турли параметрларига эга бўлган, икки ва ундан кўп яримўтказгич қатламидан иборат структура.

heterostructure

Структура, состоящая из двух и более слоев полупроводника с различными параметрами кристаллической решетки и разной зонной структурой.

Turli zonaviy strukturaga va kristall panjaraning turli parametrlariga ega bo‘lgan, ikki va undan ko‘p yarimo‘tkazgich qatlamidan iborat struktura.

Турли зонавий структурага ва кристалл панжаранинг турли параметрларига эга бўлган, икки ва ундан кўп яримўтказгич қатламидан иборат структура.

heterostructure

Транзистор, содержащий один или несколько гетеропереходов.

heterotransistor

Транзистор, содержащий один или несколько гетеропереходов.

Bitta yoki bir nechta geteroo‘tish bo‘lgan tranzistor.

Битта ёки бир нечта гетероўтиш бўлган транзистор.

heterotransistor

Транзистор, содержащий один или несколько гетеропереходов.

Bitta yoki bir nechta geteroo‘tish bo‘lgan tranzistor.

Битта ёки бир нечта гетероўтиш бўлган транзистор.

heterotransistor

Процесс выращивания монокристаллического слоя вещества, отличающегося по химическому составу от вещества подложки, но близкого ему по кристаллографической структуре. Методом гетероэпитаксии создаются гетеропереходы, на границе которых происходит изменение свойств материала, структуры энергетических зон, ширины запрещенной зоны и т.д.

heteroepitaxy

Процесс выращивания монокристаллического слоя вещества, отличающегося по химическому составу от вещества подложки, но близкого ему по кристаллографической структуре. Методом гетероэпитаксии создаются гетеропереходы, на границе которых происходит изменение свойств материала, структуры энергетических зон, ширины запрещенной зоны и т.д.

Kimyoviy tarkibiga ko‘ra to‘shamadan farq qiladigan, lekin kristallografik strukturasi bo‘yicha yaqin bo‘lgan modda monokristall qatlamini o‘stirish jarayoni. Geteroepitaksiya metodi bilan, chegarasida material xossalarining, energetik zonalar strukturasining, taqiqlangan zona kengli-gining o‘zgarishi yuz beradigan geteroo‘tishlar vujudga keltiriladi.

Кимёвий таркибига кўра тўшамадан фарқ қиладиган, лекин кристаллографик структураси бўйича яқин бўлган модда монокристалл қатламини ўстириш жараёни. Гетероэпитак-сия методи билан, чегарасида материал хос-саларининг, энергетик зоналар структурасининг, тақиқланган зона кенглигининг ўзгариши юз берадиган гетероўтишлар вужудга келтирилади.

heteroepitaxy

Процесс выращивания монокристаллического слоя вещества, отличающегося по химическому составу от вещества подложки, но близкого ему по кристаллографической структуре. Методом гетероэпитаксии создаются гетеропереходы, на границе которых происходит изменение свойств материала, структуры энергетических зон, ширины запрещенной зоны и т.д.

Kimyoviy tarkibiga ko‘ra to‘shamadan farq qiladigan, lekin kristallografik strukturasi bo‘yicha yaqin bo‘lgan modda monokristall qatlamini o‘stirish jarayoni. Geteroepitaksiya metodi bilan, chegarasida material xossalarining, energetik zonalar strukturasining, taqiqlangan zona kengli-gining o‘zgarishi yuz beradigan geteroo‘tishlar vujudga keltiriladi.

Кимёвий таркибига кўра тўшамадан фарқ қиладиган, лекин кристаллографик структураси бўйича яқин бўлган модда монокристалл қатламини ўстириш жараёни. Гетероэпитак-сия методи билан, чегарасида материал хос-саларининг, энергетик зоналар структурасининг, тақиқланган зона кенглигининг ўзгариши юз берадиган гетероўтишлар вужудга келтирилади.

heteroepitaxy