Молекула, легко отдающая электрон и при этом окисляющаяся.

electron donor

Молекула, легко отдающая электрон и при этом окисляющаяся.

Elektronni oson beradigan, ayni paytda oksidlanadigan molekula.

Электронни осон берадиган, айни пайтда оксидланадиган молекула.

electron donor

Молекула, легко отдающая электрон и при этом окисляющаяся.

Elektronni oson beradigan, ayni paytda oksidlanadigan molekula.

Электронни осон берадиган, айни пайтда оксидланадиган молекула.

electron donor

Допированные (легированные) фуллерены (букиболы). Легированный щелочным металлом фуллерен является проводником, а при низких температурах − сверхпроводником. Легированный калием фуллерит имеет температуру перехода в сверхпроводящее сос-тояние 18 К, а легированный рубидием – 28-29 К.

 dopeyballs

Допированные (легированные) фуллерены (букиболы). Легированный щелочным металлом фуллерен является проводником, а при низких температурах − сверхпроводником. Легированный калием фуллерит имеет температуру перехода в сверхпроводящее сос-тояние 18 К, а легированный рубидием – 28-29 К.

Dopirlangan (legirlangan) fullerenlar (bukibollar). Ishqoriy metall bilan legirlangan fulleren o‘tkazgich, past temperaturalarda esa, o‘ta o‘tkazgich hisoblanadi. Kaliy bilan legirlangan fulleritning o‘ta o‘tkazuvchan holatga o‘tish temperaturasi 18 K, rubidiy bilan legirlangan fulleritniki esa, 28-29 K.

Допирланган (легирланган) фуллеренлар (букиболлар). Ишқорий металл билан легирланган фуллерен ўтказгич, паст температураларда эса, ўта ўтказгич ҳисобланади. Калий билан легирланган фуллеритнинг ўта ўтказувчан ҳолатга ўтиш температураси 18К, рубидий билан легирланган фуллеритники эса, 28-29 К.

 dopeyballs

Допированные (легированные) фуллерены (букиболы). Легированный щелочным металлом фуллерен является проводником, а при низких температурах − сверхпроводником. Легированный калием фуллерит имеет температуру перехода в сверхпроводящее сос-тояние 18 К, а легированный рубидием – 28-29 К.

Dopirlangan (legirlangan) fullerenlar (bukibollar). Ishqoriy metall bilan legirlangan fulleren o‘tkazgich, past temperaturalarda esa, o‘ta o‘tkazgich hisoblanadi. Kaliy bilan legirlangan fulleritning o‘ta o‘tkazuvchan holatga o‘tish temperaturasi 18 K, rubidiy bilan legirlangan fulleritniki esa, 28-29 K.

Допирланган (легирланган) фуллеренлар (букиболлар). Ишқорий металл билан легирланган фуллерен ўтказгич, паст температураларда эса, ўта ўтказгич ҳисобланади. Калий билан легирланган фуллеритнинг ўта ўтказувчан ҳолатга ўтиш температураси 18К, рубидий билан легирланган фуллеритники эса, 28-29 К.

 dopeyballs

Процесс направленного движения подвиж-ных носителей заряда в твердом теле под действием внешних полей, например, электрического поля. Накладывается на беспоря-дочное (тепловое) движение, но его скорость обычно мала по сравнению со скоростью теплового движения.

drift (carriers)

Процесс направленного движения подвиж-ных носителей заряда в твердом теле под действием внешних полей, например, электрического поля. Накладывается на беспоря-дочное (тепловое) движение, но его скорость обычно мала по сравнению со скоростью теплового движения.

Tashqi maydonlar, masalan, elektr maydon ta’sirida qattiq jismda harakatchan zaryad tashuvchilarning yo‘naltirilgan harakatlanish jarayoni. Tartibsiz (issiqlik) harakatiga qo‘yiladi, lekin uning tezligi odatda, issiqlik harakati tezligiga qaraganda kam bo‘ladi.

Ташқи майдонлар, масалан, электр майдон таъсирида қаттиқ жисмда ҳаракатчан заряд ташувчиларнинг йўналтирилган ҳаракатланиш жараёни. Тартибсиз (иссиқлик) ҳаракатига қўйилади, лекин унинг тезлиги одатда, иссиқлик ҳаракати тезлигига қараганда кам бўлади.

drift (carriers)

Процесс направленного движения подвиж-ных носителей заряда в твердом теле под действием внешних полей, например, электрического поля. Накладывается на беспоря-дочное (тепловое) движение, но его скорость обычно мала по сравнению со скоростью теплового движения.

Tashqi maydonlar, masalan, elektr maydon ta’sirida qattiq jismda harakatchan zaryad tashuvchilarning yo‘naltirilgan harakatlanish jarayoni. Tartibsiz (issiqlik) harakatiga qo‘yiladi, lekin uning tezligi odatda, issiqlik harakati tezligiga qaraganda kam bo‘ladi.

Ташқи майдонлар, масалан, электр майдон таъсирида қаттиқ жисмда ҳаракатчан заряд ташувчиларнинг йўналтирилган ҳаракатланиш жараёни. Тартибсиз (иссиқлик) ҳаракатига қўйилади, лекин унинг тезлиги одатда, иссиқлик ҳаракати тезлигига қараганда кам бўлади.

drift (carriers)

Дуговой метод получения фуллеренов, осно-ванный на термическом разложении графита при электролитическом нагреве графитового электрода или лазерном облучении поверх-ности графита.

fullerenic arc

Дуговой метод получения фуллеренов, осно-ванный на термическом разложении графита при электролитическом нагреве графитового электрода или лазерном облучении поверх-ности графита.

Fullerenlar olishning, grafit sirtini lazer nurlan-tirishda yoki grafit elektrodni elektrolitik qizdi-rishda grafitni termik ajratishga asoslangan yoy metodi.

Фуллеренлар олишнинг, графит сиртини лазер нурлантиришда ёки графит электродни электролитик қиздиришда графитни термик ажратишга асосланган ёй методи.

fullerenic arc

Дуговой метод получения фуллеренов, осно-ванный на термическом разложении графита при электролитическом нагреве графитового электрода или лазерном облучении поверх-ности графита.

Fullerenlar olishning, grafit sirtini lazer nurlan-tirishda yoki grafit elektrodni elektrolitik qizdi-rishda grafitni termik ajratishga asoslangan yoy metodi.

Фуллеренлар олишнинг, графит сиртини лазер нурлантиришда ёки графит электродни электролитик қиздиришда графитни термик ажратишга асосланган ёй методи.

fullerenic arc

Фиксированное значение величины, которое принято за единицу данной величины и принимается для количественного выражения однородных с ней величин.

 unit of measurement

Фиксированное значение величины, которое принято за единицу данной величины и принимается для количественного выражения однородных с ней величин.

Kattalikning, berilgan kattalikning birligi sifati-da qabul qilingan va u bilan bir xil bo‘lgan katta-liklarni miqdor jihatdan ifodalash uchun qabul qilinadigan qat’iy qiymati.

Катталикнинг, берилган катталикнинг бирлиги сифатида қабул қилинган ва у билан бир хил бўлган катталикларни миқдор жиҳатдан ифодалаш учун қабул қилинадиган қатъий қиймати.

 unit of measurement

Фиксированное значение величины, которое принято за единицу данной величины и принимается для количественного выражения однородных с ней величин.

Kattalikning, berilgan kattalikning birligi sifati-da qabul qilingan va u bilan bir xil bo‘lgan katta-liklarni miqdor jihatdan ifodalash uchun qabul qilinadigan qat’iy qiymati.

Катталикнинг, берилган катталикнинг бирлиги сифатида қабул қилинган ва у билан бир хил бўлган катталикларни миқдор жиҳатдан ифодалаш учун қабул қилинадиган қатъий қиймати.

 unit of measurement

Поверхностный слой окисла материала, образовавшийся в процессе окисления при контакте с окружающей атмосферой.

natural oxide

Поверхностный слой окисла материала, образовавшийся в процессе окисления при контакте с окружающей атмосферой.

Material oksidining, atrof atmosferasi bilan kontakt paytida oksidlanish jarayonida hosil bo‘ladi-gan sirtiy qatlami.

Материал оксидининг, атроф атмосфераси билан контакт пайтида оксидланиш жараёнида ҳосил бўладиган сиртий қатлами.

natural oxide

Поверхностный слой окисла материала, образовавшийся в процессе окисления при контакте с окружающей атмосферой.

Material oksidining, atrof atmosferasi bilan kontakt paytida oksidlanish jarayonida hosil bo‘ladi-gan sirtiy qatlami.

Материал оксидининг, атроф атмосфераси билан контакт пайтида оксидланиш жараёнида ҳосил бўладиган сиртий қатлами.

natural oxide

Тонкая пленка, создающая текстуру на поверхности изделия. Устраняет необходи-мость в зачистке и подготовке детали для дальнейшей сборки. Является типом поверхностной микрообработки, основанной на осаждении тонких слоев на поверхности подложки и травлении одного или нескольких слоев для освобождения структуры. Удаляе-мые слои называются жертвенными. Осво-бождение подвижных частей (структурных слоев) сенсорных и актюаторных элементов (удаление жертвенных слоев) производится на последнем этапе процесса изготовления. В качестве жертвенных слоев могут быть использованы следующие материалы: SiO2, Si3N4, GaAs и т.д.

sacrificial layer

Тонкая пленка, создающая текстуру на поверхности изделия. Устраняет необходи-мость в зачистке и подготовке детали для дальнейшей сборки. Является типом поверхностной микрообработки, основанной на осаждении тонких слоев на поверхности подложки и травлении одного или нескольких слоев для освобождения структуры. Удаляе-мые слои называются жертвенными. Осво-бождение подвижных частей (структурных слоев) сенсорных и актюаторных элементов (удаление жертвенных слоев) производится на последнем этапе процесса изготовления. В качестве жертвенных слоев могут быть использованы следующие материалы: SiO2, Si3N4, GaAs и т.д.

Buyum sirtida tekstura hosil qiladigan yupqa plyonka. Detalni keyinchalik yig‘ish uchun tozalash va tayyorlash zaruratini bartaraf qiladi. Strukturani bo‘shatish uchun bir yoki bir nechta qatlamni tozalashga va to‘shama sirtida yupqa qatlamlarni cho‘ktirishga asoslangan, sirtiy mik-roishlov berish turi hisoblanadi. Chiqarib tash-lanadigan qatlamlar voz kechiladigan qatlamlar deyiladi. Sensor va aktyuator elementlar harakat-chan qismlarini (strukturaviy qatlamlarni) bo‘-shatish (voz kechiladigan qatlamlarni chiqarib tashlash), tayyorlash jarayonining oxirgi bosqi-chida amalga oshiriladi. Voz kechiladigan qat-lamlar sifatida, SiO₂, Si₃N₄, GaAs kabi mate-riallardan foydalanish mumkin.

Буюм сиртида текстура ҳосил қиладиган юп-қа плёнка. Детални кейинчалик йиғиш учун тозалаш ва тайёрлаш заруратини бартараф қилади. Структурани бўшатиш учун бир ёки бир нечта қатламни тозалашга ва тўшама сиртида юпқа қатламларни чўктиришга асосланган, сиртий микроишлов бериш тури ҳисобланади. Чиқариб ташланадиган қатламлар воз кечиладиган қатламлар дейилади. Сенсор ва актюатор элементлар ҳаракатчан қисмларини (структуравий қатламларни) бўшатиш (воз кечиладиган қатламларни чиқа-риб ташлаш), тайёрлаш жараёнининг охирги босқичида амалга оширилади. Воз кечила-диган қатламлар сифатида, SiO₂, Si₃N₄, GaAs каби материаллардан фойдаланиш мумкин

sacrificial layer