Обратимое включение молекулы или группы между другими молекулами или группами.

intercalation

Обратимое включение молекулы или группы между другими молекулами или группами.

Molekula yoki to‘plamning, boshqa molekulalar yoki to‘plamlar o‘rtasida qaytariluvchi qo‘sh-lishi.

Молекула ёки тўпламнинг, бошқа молекулалар ёки тўпламлар ўртасида қайтарилувчи қўшилиши.

intercalation

Обратимое включение молекулы или группы между другими молекулами или группами.

Molekula yoki to‘plamning, boshqa molekulalar yoki to‘plamlar o‘rtasida qaytariluvchi qo‘sh-lishi.

Молекула ёки тўпламнинг, бошқа молекулалар ёки тўпламлар ўртасида қайтарилувчи қўшилиши.

intercalation

Наука, изучающая природу информации, методы получения, хранения, обработки, передачи информации с использованием компьютерных технологий и прогрессивных средств коммуникаций.

 informatics

Наука, изучающая природу информации, методы получения, хранения, обработки, передачи информации с использованием компьютерных технологий и прогрессивных средств коммуникаций.

Kompyuter texnologiyalari va ilg‘or aloqa vosi-talaridan foydalangan holda axborotning xususiyati, uni taqdim etish, to‘plash, avtomatik qayta ishlash va uzatish metodlarini o‘rganuvchi fan.

Компьютер технологиялари ва илғор алоқа воситаларидан фойдаланган ҳолда ахборотнинг хусусияти, уни тақдим этиш, тўплаш, автоматик қайта ишлаш ва узатиш методларини ўрганувчи фан.

 informatics

Наука, изучающая природу информации, методы получения, хранения, обработки, передачи информации с использованием компьютерных технологий и прогрессивных средств коммуникаций.

Kompyuter texnologiyalari va ilg‘or aloqa vosi-talaridan foydalangan holda axborotning xususiyati, uni taqdim etish, to‘plash, avtomatik qayta ishlash va uzatish metodlarini o‘rganuvchi fan.

Компьютер технологиялари ва илғор алоқа воситаларидан фойдаланган ҳолда ахборотнинг хусусияти, уни тақдим этиш, тўплаш, автоматик қайта ишлаш ва узатиш методларини ўрганувчи фан.

 informatics

Атом, имеющий число электронов больше, или меньше числа протонов в ядре.

Примечания

1 Разность числа протонов и числа электронов определяет заряд иона (обычно измеряется в единицах элементарного заряда – заряда электрона).

2 Возможно существование кластерных ионов – кластеров, заряд хотя бы одного из атомов которого отличен от нуля, молекулярных ионов – молекул (или фрагментов молекул), суммарное число атомных электронов в которых не равно суммарному заряду атомных ядер входящих атомов.

 ion

Атом, имеющий число электронов больше, или меньше числа протонов в ядре.

Примечания

1 Разность числа протонов и числа электронов определяет заряд иона (обычно измеряется в единицах элементарного заряда – заряда электрона).

2 Возможно существование кластерных ионов – кластеров, заряд хотя бы одного из атомов которого отличен от нуля, молекулярных ионов – молекул (или фрагментов молекул), суммарное число атомных электронов в которых не равно суммарному заряду атомных ядер входящих атомов.

Elektronlar soni yadrodagi protonlar sonidan ko‘p yoki kam bo‘lgan atom.

Izohlar

1 Protonlar va elektron sonining farqini ion zaryadi belgilaydi (odatda, elementar zaryad−elektron zaryadi birliklarida o‘lchanadi).

2 Atomlaridan juda bo‘lmaganda bittasining zaryadi noldan farq qiladigan klasterli ionlar − klasterlar, atom elektronlarning jami soni kiradigan atomlar atom yadrolarining jami zaryadiga teng bo‘lmagan molekulyar ionlar − molekulalar (yoki molekulalarning parchalari) bo‘lishi mumkin.

Электронлар сони ядродаги протонлар сонидан кўп ёки кам бўлган атом.

Изоҳлар

1 Протонлар ва электрон сонининг фарқини ион заряди белгилайди (одатда, элементар заряд−электрон заряди бирликларида ўлчанади).

2 Атомларидан жуда бўлмаганда биттасининг заряди нолдан фарқ қиладиган кластерли ионлар − кластерлар, атом электронларнинг жами сони кирадиган атомлар атом ядроларининг жами зарядига тенг бўлмаган молекуляр ионлар − молекулалар (ёки молекулаларнинг парчалари) бўлиши мумкин.

 ion

Атом, имеющий число электронов больше, или меньше числа протонов в ядре.

Примечания

1 Разность числа протонов и числа электронов определяет заряд иона (обычно измеряется в единицах элементарного заряда – заряда электрона).

2 Возможно существование кластерных ионов – кластеров, заряд хотя бы одного из атомов которого отличен от нуля, молекулярных ионов – молекул (или фрагментов молекул), суммарное число атомных электронов в которых не равно суммарному заряду атомных ядер входящих атомов.

Elektronlar soni yadrodagi protonlar sonidan ko‘p yoki kam bo‘lgan atom.

Izohlar

1 Protonlar va elektron sonining farqini ion zaryadi belgilaydi (odatda, elementar zaryad−elektron zaryadi birliklarida o‘lchanadi).

2 Atomlaridan juda bo‘lmaganda bittasining zaryadi noldan farq qiladigan klasterli ionlar − klasterlar, atom elektronlarning jami soni kiradigan atomlar atom yadrolarining jami zaryadiga teng bo‘lmagan molekulyar ionlar − molekulalar (yoki molekulalarning parchalari) bo‘lishi mumkin.

Электронлар сони ядродаги протонлар сонидан кўп ёки кам бўлган атом.

Изоҳлар

1 Протонлар ва электрон сонининг фарқини ион заряди белгилайди (одатда, элементар заряд−электрон заряди бирликларида ўлчанади).

2 Атомларидан жуда бўлмаганда биттасининг заряди нолдан фарқ қиладиган кластерли ионлар − кластерлар, атом электронларнинг жами сони кирадиган атомлар атом ядроларининг жами зарядига тенг бўлмаган молекуляр ионлар − молекулалар (ёки молекулаларнинг парчалари) бўлиши мумкин.

 ion

Способ введения посторонних атомов внутрь твердого тела путем бомбардировки его поверхности пучком ионов с высокой энергией (до 1 MeV). Имплантируемые ионы внедряются в материал мишени на глубину от 0,01 до 1,0 µm, формируя в ней особое структурно-фазовое состояние. Толщина слоя зависит от энергии и от массы ионов, а также от массы атомов мишени. Широко используется для формирования легированных облас-тей на поверхности полупроводника при соз-дании полупроводниковых приборов. Является стандартным технологическим приемом, используемым в планарной технологии.

ion implantation

Способ введения посторонних атомов внутрь твердого тела путем бомбардировки его поверхности пучком ионов с высокой энергией (до 1 MeV). Имплантируемые ионы внедряются в материал мишени на глубину от 0,01 до 1,0 µm, формируя в ней особое структурно-фазовое состояние. Толщина слоя зависит от энергии и от массы ионов, а также от массы атомов мишени. Широко используется для формирования легированных облас-тей на поверхности полупроводника при соз-дании полупроводниковых приборов. Является стандартным технологическим приемом, используемым в планарной технологии.

Yuqori energiyali (1 MeV gacha) ionlar dastasi bilan qattiq jism sirtini bombаrdimon qilish yo‘li bilan, bu jism ichiga yot atomlarni kiritish usuli. Implantlanadigan ionlar nishon materialiga, unda alohida struktura-faza holatini shakllantirgan holda, 0,01 µm dan 1,0 µm gacha chuqurlikkacha kiritiladi. Qatlam qalinligi ionlar massasi va energiyaga, shuningdek, nishon atomlari massasiga bog‘liq. Yarimo‘tkazgichli asboblar yaratishda yarimo‘tkazgich sirtida legirlangan sohalar yuzaga keltirish uchun keng foydalaniladi. Planar texnologiyada foydalaniladigan standart texnologik usul hisoblanadi.

Юқори энергияли (1 MeV гача) ионлар дастаси билан қаттиқ жисм сиртини бомбардимон қилиш йўли билан, бу жисм ичига ёт атомларни киритиш усули. Имплантланадиган ионлар нишон материалига, унда алоҳида структура-фаза ҳолатини шакллантирган ҳол-да, 0,01 µm дан 1,0 µm гача чуқурликкача киритилади. Қатлам қалинлиги ионлар массаси ва энергияга, шунингдек, нишон атомлари массасига боғлиқ. Яримўтказгичли асбоблар яратишда яримўтказгич сиртида легирланган соҳалар юзага келтириш учун кенг фойдала-нилади. Планар технологияда фойдаланиладиган стандарт технологик усул ҳисобланади

ion implantation

Способ введения посторонних атомов внутрь твердого тела путем бомбардировки его поверхности пучком ионов с высокой энергией (до 1 MeV). Имплантируемые ионы внедряются в материал мишени на глубину от 0,01 до 1,0 µm, формируя в ней особое структурно-фазовое состояние. Толщина слоя зависит от энергии и от массы ионов, а также от массы атомов мишени. Широко используется для формирования легированных облас-тей на поверхности полупроводника при соз-дании полупроводниковых приборов. Является стандартным технологическим приемом, используемым в планарной технологии.

Yuqori energiyali (1 MeV gacha) ionlar dastasi bilan qattiq jism sirtini bombаrdimon qilish yo‘li bilan, bu jism ichiga yot atomlarni kiritish usuli. Implantlanadigan ionlar nishon materialiga, unda alohida struktura-faza holatini shakllantirgan holda, 0,01 µm dan 1,0 µm gacha chuqurlikkacha kiritiladi. Qatlam qalinligi ionlar massasi va energiyaga, shuningdek, nishon atomlari massasiga bog‘liq. Yarimo‘tkazgichli asboblar yaratishda yarimo‘tkazgich sirtida legirlangan sohalar yuzaga keltirish uchun keng foydalaniladi. Planar texnologiyada foydalaniladigan standart texnologik usul hisoblanadi.

Юқори энергияли (1 MeV гача) ионлар дастаси билан қаттиқ жисм сиртини бомбардимон қилиш йўли билан, бу жисм ичига ёт атомларни киритиш усули. Имплантланадиган ионлар нишон материалига, унда алоҳида структура-фаза ҳолатини шакллантирган ҳол-да, 0,01 µm дан 1,0 µm гача чуқурликкача киритилади. Қатлам қалинлиги ионлар массаси ва энергияга, шунингдек, нишон атомлари массасига боғлиқ. Яримўтказгичли асбоблар яратишда яримўтказгич сиртида легирланган соҳалар юзага келтириш учун кенг фойдала-нилади. Планар технологияда фойдаланиладиган стандарт технологик усул ҳисобланади

ion implantation

Группа технологических процессов, основанных на взаимодействии конденсированного вещества с потоком ионов

ion-beam technology

Группа технологических процессов, основанных на взаимодействии конденсированного вещества с потоком ионов

Kondensatsiyalangan moddaning ionlar oqimi bilan o‘zaro ta’siriga asoslangan texnologik jarayonlar guruhi.

Конденсацияланган модданинг ионлар оқими билан ўзаро таъсирига асосланган технологик жараёнлар гуруҳи

ion-beam technology

Группа технологических процессов, основанных на взаимодействии конденсированного вещества с потоком ионов

Kondensatsiyalangan moddaning ionlar oqimi bilan o‘zaro ta’siriga asoslangan texnologik jarayonlar guruhi.

Конденсацияланган модданинг ионлар оқими билан ўзаро таъсирига асосланган технологик жараёнлар гуруҳи

ion-beam technology

Процесс удаления вещества с поверхности твердого тела, осуществляемый его бомбардировкой пучками ионов инертных газов

ion beam etching

Процесс удаления вещества с поверхности твердого тела, осуществляемый его бомбардировкой пучками ионов инертных газов

Qattiq jism sirtidan moddani olib tashlash jara-yoni, inert gazlar ion dastalari bilan qattiq jismni bombardimon qilish orqali amalga oshiriladi.

Қаттиқ жисм сиртидан моддани олиб ташлаш жараёни, инерт газлар ион дасталари билан қаттиқ жисмни бомбардимон қилиш орқали амалга оширилади.

ion beam etching

Процесс удаления вещества с поверхности твердого тела, осуществляемый его бомбардировкой пучками ионов инертных газов

Qattiq jism sirtidan moddani olib tashlash jara-yoni, inert gazlar ion dastalari bilan qattiq jismni bombardimon qilish orqali amalga oshiriladi.

Қаттиқ жисм сиртидан моддани олиб ташлаш жараёни, инерт газлар ион дасталари билан қаттиқ жисмни бомбардимон қилиш орқали амалга оширилади.

ion beam etching

Полимер, молекулы которого содержат боко-вые ионные группы. Если любой обычный полимер с ионными группами называется полиэлектролитом, то иономер является осо-бым видом полиэлектролита. Иономеры представляют собой сополимеры, они содер-жат как неионные повторяющиеся звенья, так и небольшое количество звеньев, в состав которых входят ионы. Одним из примеров иономера является сополимер этилена и метакриловой кислоты.

 ionomer

Полимер, молекулы которого содержат боко-вые ионные группы. Если любой обычный полимер с ионными группами называется полиэлектролитом, то иономер является осо-бым видом полиэлектролита. Иономеры представляют собой сополимеры, они содер-жат как неионные повторяющиеся звенья, так и небольшое количество звеньев, в состав которых входят ионы. Одним из примеров иономера является сополимер этилена и метакриловой кислоты.

Molekulalari yon ion guruhlarni ichiga oladigan polimer. Agar ion guruhlar bo‘lgan oddiy polimer polielektrolit deb atalsa, ionomer polielektrolitning alohida turi hisoblanadi. Ionomer o‘zida sopolimerlarni ifodalaydi, ular noion takrorlanadigan zvenolarni ham, tarkibiga ionlar kiradigan kichik miqdordagi zvenolarni ham ichiga oladi. Metakril kislota va etilen sopolimeri ionomerga misol bo‘ladi.

Молекулалари ён ион гуруҳларни ичига оладиган полимер. Агар ион гуруҳлар бўлган оддий полимер полиэлектролит деб аталса, иономер полиэлектролитнинг алоҳида тури ҳисобланади. Иономер ўзида сополимерлар-ни ифодалайди, улар ноион такрорланадиган звеноларни ҳам, таркибига ионлар кирадиган кичик миқдордаги звеноларни ҳам ичига олади. Метакрил кислота ва этилен сополимери иономерга мисол бўлади.

 ionomer